Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 18 июля
 
 


Это интересно!

Новости

Россиян перестанут сажать за GPS-трекеры и якобы шпионские фотокамеры


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Возобновится ли в США технологическое производство?

На прошедшей конференции и выставке DesignCon 2012 журналисты издания EE Times провели опрос рядовых инженеров на тему о том, вернутся ли в США технические предприятия и соответствующие рабочие места.

Apple богатеет за счет болезней китайских рабочих

Уже около 200 тыс. человек подписалось под петицией к руководству компании Apple, требующей улучшить условия работы китайцев, производящих iPhone в ущерб своему здоровью.

Погиб глава Micron. В компании — новый гендиректор

В пятницу, 3 февраля, в авиакатастрофе погиб Стив Эпплтон (Steve Appleton), генеральный директор компании Micron Technology, одного из крупнейших производителей чипов памяти DRAM и NAND.

 

7 февраля 2012

TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., ведущая полупроводниковая фаундри-компания, в начале 2013 г. будет собирать объемные ИС. Об этом заявила Мария Марсид, президент отделения TSMC Europe.

Д

ля реализации технологии под рабочим названием COWOS (chip on wafer on substrate) компании потребуется один год на подготовку всех физических инструментальных комплектов и поддержки средствами САПР.

TSMC уже работает с некоторыми партнерами над промежуточными кремниевыми слоями объемных кристаллов, в т.ч. с Xilinx. Первые заказчики TSMC смогут отдавать микросхемы на корпусирование сторонним подрядчикам на свое усмотрение, но в дальнейшем TSMC возьмет на себя сборку в полном объеме.

Ряд компаний, специализирующихся на процессорах для мобильных приложений, в т.ч. Qualcomm и ST-Ericsson, изучают возможности модификации объемной сборки микросхем, пытаясь увеличить их полосу пропускания и снизить энергопотребление за счет совершенствования системы ввода-вывода DRAM-памяти.

По словам Марсид, использование нескольких кристаллов памяти в одном корпусе (multi-chip package, MCP) в мобильных приложениях позволит изменить подход к проектированию логических ИС и СнК. Объемная компоновка обеспечит реализацию разных функций с помощью оптимизированных техпроцессов и технологии сквозных отверстий в кремнии (through silicon vias, TSV).

По словам Марсид, новая технология сборки позволит, не снизив производительности микросхем, уменьшить потребляемую мощность и занимаемое ими место на плате. Кроме того, разработчики получат возможность устанавливать встраиваемую 40-нм флэш-память на 28- или даже 20-нм процессоры.

Пока неясно, готова ли TSMC устанавливать в объемные микросхемы своего производства кристаллы других производителей, в частности, ИС памяти. Возможно, что в результате перехода TSMC на объемную сборку компания будет предлагать собственные стандартные кристаллы для 3D-компоновки в качестве готовых решений. Однако Марсид опасается того, что TSMC не справится с конкуренцией со стороны заказчиков. Скорее всего, TSMC будет по-прежнему выступать в привычной роли контрактного производителя.

Источник: EETimes

Читайте также:
TSMC в одиночку займется производством 3D-микросхем
TSMC о проблемах 28-нм производства
У TSMC проблемы с 28-нм производством
Intel поделилась технологией производства Atom с TSMC
Битва между Globalfoundries и TSMC на пути к 20 нм и далее
TSMC начинает возведение 300-мм фабрики стоимостью в $9 млрд

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты