 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Российские учёные совершили прорыв в создании сегнетоэлектрической памяти
РанееВозобновится ли в США технологическое производство?На прошедшей конференции и выставке DesignCon 2012 журналисты издания EE Times провели опрос рядовых инженеров на тему о том, вернутся ли в США технические предприятия и соответствующие рабочие места. Apple богатеет за счет болезней китайских рабочихУже около 200 тыс. человек подписалось под петицией к руководству компании Apple, требующей улучшить условия работы китайцев, производящих iPhone в ущерб своему здоровью. Погиб глава Micron. В компании — новый гендиректорВ пятницу, 3 февраля, в авиакатастрофе погиб Стив Эпплтон (Steve Appleton), генеральный директор компании Micron Technology, одного из крупнейших производителей чипов памяти DRAM и NAND. |
7 февраля 2012 TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., ведущая полупроводниковая фаундри-компания, в начале 2013 г. будет собирать объемные ИС. Об этом заявила Мария Марсид, президент отделения TSMC Europe.Д
ля реализации технологии под рабочим названием COWOS (chip on wafer on substrate) компании потребуется один год на подготовку всех физических инструментальных комплектов и поддержки средствами САПР. TSMC уже работает с некоторыми партнерами над промежуточными кремниевыми слоями объемных кристаллов, в т.ч. с Xilinx. Первые заказчики TSMC смогут отдавать микросхемы на корпусирование сторонним подрядчикам на свое усмотрение, но в дальнейшем TSMC возьмет на себя сборку в полном объеме. Ряд компаний, специализирующихся на процессорах для мобильных приложений, в т.ч. Qualcomm и ST-Ericsson, изучают возможности модификации объемной сборки микросхем, пытаясь увеличить их полосу пропускания и снизить энергопотребление за счет совершенствования системы ввода-вывода DRAM-памяти. По словам Марсид, использование нескольких кристаллов памяти в одном корпусе (multi-chip package, MCP) в мобильных приложениях позволит изменить подход к проектированию логических ИС и СнК. Объемная компоновка обеспечит реализацию разных функций с помощью оптимизированных техпроцессов и технологии сквозных отверстий в кремнии (through silicon vias, TSV). По словам Марсид, новая технология сборки позволит, не снизив производительности микросхем, уменьшить потребляемую мощность и занимаемое ими место на плате. Кроме того, разработчики получат возможность устанавливать встраиваемую 40-нм флэш-память на 28- или даже 20-нм процессоры. Пока неясно, готова ли TSMC устанавливать в объемные микросхемы своего производства кристаллы других производителей, в частности, ИС памяти. Возможно, что в результате перехода TSMC на объемную сборку компания будет предлагать собственные стандартные кристаллы для 3D-компоновки в качестве готовых решений. Однако Марсид опасается того, что TSMC не справится с конкуренцией со стороны заказчиков. Скорее всего, TSMC будет по-прежнему выступать в привычной роли контрактного производителя. Источник: EETimes Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
