Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 18 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

TI и Altera сокращают планы продаж на I кв.

Компании Texas Instruments и Altera сократили целевые показатели продаж в I кв. 2102 г., объяснив это решение меньшим спросом на рынке беспроводных технологий

Планшеты — наше реальное будущее

Согласно прогнозам тайваньских аналитиков, уже в 2013 г. мировой рынок планшетных компьютеров превысит рынок десктопов. Притом что маржинальность планшетов сейчас доходит до 50-60%.

Полуторакратный рост продаж индуктивностей обусловлен массовыми китайскими заказами

Базирующиеся в Китае заводы компаний Lenovo и Huawei наращивают свои заказы на заводах Chilisin Electronics

 

12 марта 2012

В Сингапуре откроется центр передовых технологий корпусирования 3D-кристаллов

Компания Applied Materials и Институт микроэлектроники (Institute of Microelectronics, IME) открыли совместный Центр (Centre of Excellence in Advanced Packaging, CEAP) для разработки передовых технологий корпусирования объемных кристаллов.

С

овместные инвестиции Applied Materials и IME объемом более 100 млн долл. пойдут на создание чистой комнаты класса 10 и площадью 14 тыс. кв.м в Сингапурском научном парке II. Центр оснащен полностью интегрированной 300-мм производственной линией, построенной для научных исследований и разработки технологий корпусирования объемных кристаллов.

Этот центр станет самой передовой лабораторией в своем роде, специализирующейся на корпусировании объемных кристаллов на уровне пластин. Компания Applied Materials оснастит лабораторию оборудованием и технологическим процессом, тогда как Институт микроэлектроники предоставит исследовательские ресурсы.

Корпусирование 3D-кристаллов станет новым этапом развития полупроводниковой индустрии, когда производство кристаллов с малым потреблением будет осуществляться в корпусах меньшего размера, а полоса пропускания данных станет шире, что приведет к дальнейшему совершенствованию мобильных устройств.

Традиционно кристаллы соединяются с корпусами по их краям с помощью проволоки. Такой подход ограничивает возможное количество соединений кристалла, а достаточно длинные проволочные соединения приводят к большим задержкам на распространение сигнала и уменьшают энергоэффективность.

Межсоединение кристаллов в многоярусном 3D-корпусе осуществляется с помощью технологии TSV (Through-Silicon Vias – сквозные межсоединения в кремнии). Ожидается, что благодаря размещению кристаллов памяти на кристаллах логики размер корпуса уменьшится на 35%, энергопотребление снизится на 50%, а полоса пропускания данных увеличится более чем в 8 раз.

Корпусирование 3D-кристаллов – новый виток в развитии электроники

Источник: Electronics news

Читайте также:
Наступает время 3D-кристаллов
Стартовали инициативы GSA по созданию 3D-кристаллов и MEMS
Новый альянс по производству 3D-кристаллов
TSMC в одиночку займется производством 3D-микросхем
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
TSMC может опередить Intel в производстве 3D-кристаллов
Российская микроэлектроника 2011/2012: итоги и прогнозы

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты