Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 25 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

У рынка печатной электроники большие возможности

В 2012 г. рынок печатной электроники достигнет объема в 9,4 млрд долл. Так считают аналитики IDTechEx.

В Сингапуре откроется центр передовых технологий корпусирования 3D-кристаллов

Компания Applied Materials и Институт микроэлектроники (Institute of Microelectronics, IME) открыли совместный Центр (Centre of Excellence in Advanced Packaging, CEAP) для разработки передовых технологий корпусирования объемных кристаллов.

TI и Altera сокращают планы продаж на I кв.

Компании Texas Instruments и Altera сократили целевые показатели продаж в I кв. 2102 г., объяснив это решение меньшим спросом на рынке беспроводных технологий

 

13 марта 2012

Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены

По мнению аналитиков Yole Developpement, к 2014 г. объем рынка силовых электронных устройств на основе технологии нитрида галлия вырастет до 1 млрд долл., в т.ч. за счет развития светодиодной отрасли.

У

частники светодиодного рынка с растущим интересом смотрят на сегмент силовой GaN-электроники. Они оценивают возможность использовать избыток мощностей по производству светодиодов для выпуска силовых устройств.

Сегмент силовой GaN-электроники всегда был связан со светодиодной отраслью одной технологией производства. Предпосылки развития эпитаксиальной GaN-технологии в свое время были созданы в светодиодной индустрии, благодаря чему эта технология перекочевала из лабораторий в серийное производство. В настоящее время бурное развитие технологии эпитаксиальных пластин GaN-на-Si создало почву для развития обоих рынков – светодиодного и силовой электроники. Большая часть поставщиков эпитаксиальных пластин намеревается работать на этих двух рынках.

В новом отчете «Power GaN – 2012 edition» агентства Yole утверждается, что доходы отрасли силовых GaN-устройств составили менее 2,5 млн долл. в 2011 г., т.к. только две компании (International Rectifier и Efficient Power Conversion) работают на открытом рынке. Однако темпы роста доходов, количество контрактов на исследования и разработку технологии GaN, объемы проведения квалификационных испытаний и работ, связанных с получением опытных образцов, очень велики.

Аналитики Yole считают, что в краткосрочной перспективе компании International Rectifier и Efficient Power Conversion останутся на открытом рынке двумя основными поставщиками силовых устройств на основе GaN. Объем этого сегмента не превысит 10 млн долл. В текущем году ожидается проведение большого объема исследовательских работ.

В следующем году начнется переход от квалификационных испытаний к запуску производства нескольких новых продуктов, благодаря чему объем рынка силовых устройств увеличится до 50 млн долл. По прогнозам Yole, в 2014 г. выпуск большей части новых устройств вырастет, а к 2015 г. на рынке появятся сертифицированные GaN-устройства на 600 В для непотребительских приложений. В 2015 г. потребление эпитаксиальных пластин 12–15 участниками этого рынка превысит 100 тыс. шт. (в 6-дюймовом эквиваленте).

По мнению д-ра Филиппа Руссела (Philippe Roussel), руководителя бизнес-подразделения Yole, если GaN-устройства пройдут сертификацию на использование в гибридных автомобилях и электромобилях, объем рынка этих компонентов вырастет до 1 млрд долл., а к 2019 г. объем рынка подложек GaN-на-Si превысит 300 млн долл. Однако пока неизвестно, какую технологию предпочтут использовать автопроизводители, – SiC, GaN или общепринятую кремниевую.

Источник: newelectronics

Читайте также:
Лампы Soraa, или новая глава в истории светодиодных технологий
Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодов
Идентификация основных причин отказов силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции
Solarphasec создала революционный тип солнечных батарей
Рынок светодиодного освещения заметно вырос в 2011 г.
Рынок светодиодов в России растет благодаря инвестициям и господдержке
Motorola разделится в январе 2011 г.
Начинающая компания получает инвестиции для производства пластин GaN-на-Si

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты