Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика

Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


Интервью, презентации

Ранее

Сотрудничество Xilinx с TSMC продолжится на 20 нм

Успешный выпуск 28-нм устройств Xilinx на фабрике TSMC вдохновил крупнейшего поставщика ПЛИС воспользоваться услугами фаундри по изготовлению 20-нм изделий следующего поколения. Передача этой продукции в производство намечена на 2013 г.

TSMC наладит 28-нм производство в запланированные сроки

TSMC запустит производственные мощности для реализации 28-нм техпроцесса гораздо быстрее, чем она это сделала при освоении технологии 40/45 и 65 нм.

Samsung и LG начинают войну на рынке OLED-телевизоров накануне Олимпийских игр в Лондоне

В ближайшие месяцы два мировых гиганта приступают к серийному производству OLED-телевизоров и начинают делить рынок.

 

19 апреля 2012

ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel

Компания Soitec, специализирующаяся на изготовлении кремниевых пластин, заявила о том, что производители полупроводников смогут избежать необходимости долгие годы совершенствовать технологию полностью обедненных кремниевых транзисторов, перейдя на использование пластин КнИ. Этим путем решили пойти компании STMicroelectronics NV, ST-Ericsson и IBM.

П

о словам Стива Лонгориа (Steve Longoria), старшего вице-президента Soitec, при использовании техпроцессов по нормам ниже 32 нм производство полупроводников нуждается в технологии полностью обедненных транзисторов. Компания IBM воспользуется пластинами, изготовленными по технологии «кремний-на-изоляторе» (КнИ), при переходе на 14-нм FinFET-процесс. Компании STMicroelectronics и ST-Ericsson совместно с Soitec разрабатывают технологию полностью обедненных планарных транзисторов для создания 28-нм процессоров следующего поколения для мобильных устройств.

Одной из самых сложных проблем при переходе к проектированию полупроводников по нормам ниже 32 нм является неоднородность распределения легирующих примесей в наноразмерном канальном слое транзистора. Для ее решения в полностью обедненных транзисторах используются нелегированные каналы. Инженеры Intel увеличили их длину в трехзатворных транзисторах FinFET на стандартных монолитных пластинах. В результате для изоляции каналов и предотвращения избыточного тока утечки в подложку потребовалось ионное легирование их стенок.

Компания Soitec работает с двумя типами пластин по технологии КнИ. Одни пластины применяются для изготовления традиционных планарных транзисторов с очень тонким верхним слоем кремния при допуске в 5 Å. Для создания каналов полностью обедненных транзисторов применяется скрытый оксидный слой диэлектрика очень небольшой толщины, который предотвращает утечку тока в подложку и исключает необходимость в дополнительных производственных операциях, к которым прибегает Intel.

Структура трехслойной подложки КнИ

Второй тип пластин компании Soitec предназначен для изготовления объемных FinFET-транзисторов, например по 14-нм техпроцессу IBM. У этого типа пластин кремниевый и скрытый оксидный слой изолятора имеют большую толщину, чтобы учесть сильные поля, создаваемые многочисленными металлическими затворами.

Стоимость КнИ-пластин для изготовления планарных и объемных кристаллов в четыре раза превышает стоимость монолитного кремния, что объясняет нежелание Intel применять технологию КнИ в процессе FinFET. Однако Soitec утверждает, что сокращение времени, затраченного на разработку полностью обедненных транзисторов, и уменьшение числа производственных операций по сравнению с теми, которые требуются в техпроцессе Intel для изготовления транзисторов с полностью обедненными и легированными каналами, более чем оправдывает высокую цену этих пластин.

Структура трехмерного транзистора Intel

Компания Soitec утверждает, что производительность полностью обедненных транзисторов, созданных с использованием КнИ-пластин, на 40% выше. Благодаря гораздо меньшему току утечки из скрытого слоя диэлектрика потребление таких устройств понижается на 40% при нынешних уровнях производительности. Soitec заявила о том, что сотрудничает с компаниями IBM и ARM над созданием спецификации для КнИ-пластин, которая позволит перейти с использования традиционных планарных транзисторов к полностью обедненным нелегированным каналам. Это позволит обойти проблему коротких каналов, когда близкое расположение стока и истока приводит к большим токам утечки через монолитную кремниевую подложку.

Источник: EE Times

Читайте также:
Прорыв в области кремниевой фотоники
AMD начинает поставки 16-ядерного кристалла Bulldozer
Micron выигрывает в результате закрытия Innovative Silicon
Производительность завтрашних систем
«Ситроникс Микроэлектроника» открывает производство 90-нм кристаллов
У фаундри – проблемы с выходом годных изделий на 28 нм
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Темпы освоения новых топологических норм замедляются
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов

Оцените материал:

Комментарии

1 / 1
1

119 апреля, 12:13

Владимир Кондратьев

Какой, однако, разнобой!

На сайте Intel Insider пишут: «…изготовление чипов с полностью обедненным каналом... влечет удорожание производства на 10%», и потому Intel коренным образом пересмотрела архитектуру транзистора, сделав его трехмерным. А вот компания Soitec уверяет в обратном – мол, ей удалось оправдать применение дорогостоящих КнИ-пластин за счет упрощения (соответственно, удешевления) разработки и количества производственных операций по сравнению с Intel. Интересно, Intel просчитывает эти варианты или их так много, что всего не учесть, если принимать во внимание особенности технологических процессов на разных фаундри, их реализацию, конкретные особенности производства, другие ветвления. Скорее всего, в данном случае действует неоспоримый авторитет Intel, которая не жалеет средств на разработку и технологически опережает другие компании. Уж какая здесь экономия, ведь главное – стать первой! Огромные затраты на R&D в таких случаях покрываются за счет баснословной прибыли в других сегментах рынка. А победителя не судят и идут по широкой колее, которую он проложил.

1 / 1
1

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты