 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
  Это интересно!Новости
РанееТайваньские фирмы превратятся в ОЕМ-фабрики для китайских компанийНепомерно высокие пошлины, которые могут быть наложены Департаментом торговли США на китайских производителей солнечных элементов, приведут к разным последствиям в разных странах. Глава Foxconn считает, что состояние экономики в Европе и США ухудшитсяЭкономика в Еврозоне находится в плачевном состоянии из-за продолжающегося долгового кризиса. В этих условиях состояние бизнес-среды США в 2013 г. будет неудовлетворительным. Так считает Терри Гоу (Terry Gou), глава Foxconn. Samsung, LG и Huawei увеличат мощности для производства LTE-решенийКомпании Samsung Electronics, LG Electronics и Huawei Device намереваются увеличить долю LTE-решений собственной разработки, чтобы снизить свою зависимость от Qualcomm, производство которой не справляется с уровнем текущего спроса. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
31 мая 2012 Стартап-компания начинает производство нитрид-галлиевых пластинИсследовательская группа, выделившаяся из научно-исследовательского института IMEC, начинает промышленное производство нитрид-галлиевых пластин диаметром 150 мм.С
тартап EpiGaN NV, выделившийся из научно-исследовательского института IMEC в 2010 г., официально открыл производственные мощности для изготовления нитрид-галлиевых структур на кремниевых пластинах в научно-исследовательском кампусе в г.Хасселт, Бельгия.
Нитрид-галлиевые структуры по сравнению с кремниевыми структурами, как ожидается, позволят повысить эффективность электронных узлов, что, в первую очередь, найдёт применение при создании источников питания, драйверов моторов, инверторов для солнечных энергетических станций и экологического транспорта. Выращивание эпитаксиального слоя GaN на кремниевой подложке EpiGaN ставит своей целью добавить к существующим производственным масштабам по изготовлению кремниевых структур возможность изготовления высокопроизводительных структур на основе GaN. Технология EpiGaN позволяет размещать эпитаксиальные слои GaN на кремниевых пластинах или на SiC-пластинах до Источник: EE Times Читайте также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
