Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 17 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК

Уоррена Иста (Warren East), исполнительного директора ARM, вовсе не пугает, что Intel технологически опережает те фаундри, которые сотрудничают с ARM.

Чем рискует Micron, приобретая Elpida

Недавнее приобретение компанией Micron обанкротившейся фирмы Elpida Memory — рискованный шаг, даже несмотря на то, что эта сделка позволит Micron более чем в два раза увеличить свои производственные мощности по выпуску DRAM-памяти.

Компании ASE и SPIL, занимающиеся корпусированием ИС, в 2Q12 получили рост прибыли на 50%

Ряд тайваньских компаний отметил значительный рост валовой маржи и чистой прибыли во втором квартале 2012 года.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 августа 2012

GSS предлагает Intel более совершенную технологию производства FinFET

Полностью обедненные FinFET-транзисторы на пластинах КнИ позволят снизить ток утечки вполовину по сравнению с FinFET на монолитном кремнии.

Э

тот факт был установлен с помощью внешнего симулятора устройств TCAD от компании Gold Standard Simulations (GSS).

Профессор Асен Асенов (Asen Asenov), исполнительный директор GSS, пришел к выводу, что, возможно, Intel сочтет целесообразным перейти на техпроцесс FinFET-на-КнИ (кремний-на-изоляторе) на нормах менее 22 нм.

В мае компания GSS выполнила симуляцию с использованием транзисторов, которые Intel называет трехзатворными. Было установлено, что поперечное сечение этих элементов имеет трапециевидную, или почти треугольную, а не прямоугольную форму. В июне GSS сделала заявление о том, что прямоугольная структура FinFET-транзисторов характеризуется сравнительно лучшими характеристиками и выбор скошенных «плавников» приводит к потере производительности. Профессор Асенов предположил, что реализация FinFET-транзисторов на пластинах КнИ позволит упростить изготовление затворов прямоугольной формы с предварительно заданной и неизменной высотой.

Асенов провел серию симуляций для сравнения FinFET-транзисторов с затворами различной длины и ширины на монолитном кремнии и КнИ. FinFET-транзисторы полностью совместимы с 20-нм технологией. Оказалось, что FinFET-транзисторы на пластинах КнИ незначительно лучше, чем FinFET на монолитном кремнии, по такому параметру как управляющий ток и намного лучше – по току утечки.

Из рисунка 1 видно, что управляющий ток FinFET-транзисторов на пластинах КнИ в среднем на 5% больше, чем у FinFET-транзисторов на монолитном кремнии.

Соотношение между током Isat транзисторов FinFET, выполненных по технологии КнИ, и током Isat транзисторов на монолитном кремнии при заданной разнице между пороговым напряжением и напряжением питания
Fin Width – Ширина затвора
Gate Length – Длина затвора
Источник: GSS

Из рисунка 2 видно, что ток утечки FinFET-транзисторов, выполненных по технологии КнИ, на 30–50% ниже показателя FinFET-транзисторов того же размера на монолитном кремнии. За счет этого преимущества можно более чем в два раза увеличить срок службы батарей в мобильных телефонах. Это преимущество становится менее заметным при уменьшении длины затвора, но увеличивается при уменьшении ширины кремниевого канала.

Сравнение токов утечки FinFET-транзисторов на пластинах КнИ и транзисторов на монолитном кремнии
Fin Width – Ширина затвора
Gate Length – Длина затвора
Источник: GSS

По мнению Асенова, FinFET-транзисторы Intel с треугольным поперечным сечением отстают по производительности от FinFET-транзисторов идеальной прямоугольной формы. Вполне возможно, что технологи Intel остановились на треугольном сечении, чтобы упростить этапы изготовления компонентов при травлении изоляционных материалов.

На конференции IEDM 2011 (International Electron Devices Meeting) ученые из GSS и Университета Глазго представили статью, в которой излагается технология реализации FinFET-транзисторов на пластинах КнИ, а также требования к малому статистическому разбросу в 11-нм КМОП-процессе. По словам Асенова, GSS сотрудничает с IBM.

Источник: EE Times

Читайте также:
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
ARM выиграла битву процессоров? Едва ли!
UMC приобретает лицензию у IBM на технологию 20-нм FinFET
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Netronome использует 22-нм технологию Intel FinFET в своих Intel-совместимых процессорах

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты