Компания Samsung Electronics заложила камень в основание фабрики по выпуску пластин для памяти NAND в Сиане, северо-западной части Китая.
На начальном этапе Samsung инвестирует в это предприятие 2,3 млрд долл., а в общей сложности – 7 млрд долл. До сих пор Samsung не указала ожидаемого объема выпуска на разных этапах работы этого производства кремниевых пластин.
На фабрике в Сиане, которая появится вслед за предприятием Line 16 по выпуску ИС памяти в Хвасеонге (Корея), будут использоваться 10–19-нм техпроцессы для изготовления запоминающих устройств для вычислительной техники, смартфонов и планшетов.
Из заявления Samsung следует, что открытие полупроводниковой фабрики в Китае позволит компании сбалансировать глобальную сеть производства и увеличит возможности заказчиков из этого региона.
На церемонии закладки камня Samsung заявила о начале программы сотрудничества с несколькими местными университетами, которая будет стимулировать развитие молодых талантов. В Сиане находятся 37 университетов и 3000 научно-исследовательских центров в области информационных технологий.
Источник: EE Times
Читайте также:
Samsung вложит 4 млрд долл. в обновление фабрики в Остине
Samsung увеличивает отрыв от конкурентов на рынке мобильной памяти DRAM
Samsung построит новую 300-мм фабрику за 2 млрд долл. для производства мобильных чипов по технологиям 20 и 14 нм
Qualcomm и Samsung создали Альянс беспроводного электропитания A4WP
Samsung и Hynix сокращают производство флэш-памяти
Samsung начал выпуск более быстрой флэш-памяти для смартфонов и планшетов
Samsung выделит ЖК-бизнес в отдельную компанию, сфокусируется на OLED