Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 15 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Fujitsu хочет выйти из полупроводникового бизнеса

Японская компания Fujitsu, лидер в области информационно-коммуникационных технологий, обратилась за помощью к швейцарскому инвестиционному банку UBS AG в качестве финансового консультанта, чтобы продать свой полупроводниковый бизнес.

Производитель iPhone 5 закрыл завод из-за массовой драки

Драка, в которой приняли участие около 2 тыс. рабочих Foxconn, вынудила ключевого партнера Apple закрыть один из своих крупнейших китайских заводов.

Американский метеоспутник GOES-13 вышел из строя

Американский спутник GOES-13, предназначенный для сбора метеорологических данных и наблюдения за космической погодой, вышел из строя - на борту аппарата перестали работать два главных прибора: инфракрасная камера и инструмент для измерения температур атмосферы, говорится в сообщении на сайте американской администрации океанических и атмосферных исследований (NOAA).

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 сентября 2012

JEDEC опубликовала спецификацию DRAM следующего поколения

Ассоциация JEDEC опубликовала спецификацию DDR4 — первую из группы стандартов, которая включает поддержку 3D-кристаллов. Спецификация Synchronous DDR4 определяет следующее поколение DRAM-памяти для широкого диапазона устройств.

В

новой спецификации определяется интерфейс, обеспечивающий скорость вплоть до 3,2 Гпередач/c. В пресс-релизе JEDEC утверждается, что следующее обновление DDR4 будет поддерживать более высокую производительность. В нынешнем интерфейсе DDR4 этот параметр составляет 1,6 Гпередач/с, и его превосходят показатели некоторых DDR3-кристаллов.

Интерфейс DDR4 поддерживает комплект, включающий до восьми устройств памяти. Кристаллы DDR4 поддерживают два или четыре блока памяти, позволяя одновременно осуществлять активацию, чтение, запись или обновление информации в каждом блоке. Для обеспечения возможных скоростей передачи информации в DDR4 требуется определять и по-новому измерять параметры синхронизации по переменному току.

По словам Джо Макри (Joe Macri), одного из руководителей AMD, который является председателем группы JC-42.3 ассоциации JEDEC, новый стандарт обеспечит более высокое быстродействие систем следующего поколения, большую плотность упаковки и повышенную надежность при низком энергопотреблении.

Усовершенствование быстродействия и энергопотребления делают DDR4 привлекательным решением для следующего поколения изделий потребительской электроники и серверов предприятия.

Samsung и другие компании выразили готовность поддержать этот стандарт, который уже некоторое время в модульном виде разрабатывается производителями DRAM. 30 и 31 октября JEDEC проведет в Санта-Кларе двухдневный семинар, посвященный выходу новой спецификации.

Источник: EE Times

Читайте также:
Интеллектуальная память заменит TCAM и DRAM
Доля DRAM-памяти для сегмента ПК впервые за 30 лет стала меньше 50%
Цены на DRAM-память укрепляются по мере снижения складских запасов
Неспокойные рынки DRAM- и флэш-памяти NAND
Договорные цены на DRAM-память: мартовские гонки
Слияние Micron и Elpida изменит соотношение сил на рынке DRAM
Грядёт передел рынка DRAM из-за банкротства Elpida
Samsung увеличивает отрыв от конкурентов на рынке мобильной памяти DRAM
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Начало продаж 30-нм DRAM-устройств на фоне падающего рынка

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты