Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 15 июля
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Japan Inc. хочет помешать поглощению Renesas компанией KKR

Японские производители при поддержке правительства разрабатывают комплекс мер по спасению Renesas Electronics.

Suntech получает предупреждение от NYSE

Нью-йоркская фондовая биржа (NYSE) предупредила китайскую компанию Suntech Power Holdings о возможном исключении из списка, т.к. котировка ее акций более одного месяца не превышает 1 долл.

JEDEC опубликовала спецификацию DRAM следующего поколения

Ассоциация JEDEC опубликовала спецификацию DDR4 — первую из группы стандартов, которая включает поддержку 3D-кристаллов. Спецификация Synchronous DDR4 определяет следующее поколение DRAM-памяти для широкого диапазона устройств.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 сентября 2012

Intel сокрушит ARM на проектных нормах менее 20 нм

Хотя ARM на текущий момент опережает Intel по сравнительно меньшему энергопотреблению кристаллов, у компании Intel есть все возможности превзойти конкурента, если ей удастся сохранить достигнутые темпы совершествования технологий.

Д

эвид Перлмуттер (David Perlmutter), исполнительный вице-президент и руководитель отдела архитектуры Intel, в недавнем интервью изданию EE Times заявил, что Intel успешно продвигается по пути освоения норм на 20- и 14-нм, тогда как экосистема ARM еще только пытается определить бизнес-модель на нормах ниже 22 нм.

Похоже, компания Intel заняла выжидательную позицию. Она готова подождать пару поколений, прежде чем примет финальную битву с ARM и ее партнерами по рынку мобильных устройств.

Intel заявляет о том, что у нее есть понимание того, как работать по новым техпроцессам вплоть до 7 нм. При этом все центральные процессоры этой компании станут в следующем году системами-на-кристалле. 22-нм СнК с микроархитектурой Haswell будут использоваться в планшетах и ультрабуках, а СнК Merrifield – в планшетах и смартфонах.

14 нм станут для Intel той вехой, когда ей удастся реализовать наиболее значительные усовершенствования и выйти победителем на рынке мобильных устройств.
Перед экосистемой ARM стоят куда как более сложные задачи. Для поставщиков фаундри-услуг по-прежнему остается острой проблема обеспечить низкую стоимость изделий, повысить выход годных и подобрать новые материалы. По мнению руководства ARM, действие закона Мура замедляется из-за недостаточного объема капитальных затрат и дефицита возможностей в области разработки.

Уже на 28 нм экосистема ARM испытывает определенные трудности – только недавно одной фаундри-компании (TSMC) удалось решить проблему с выходом годных изделий, а Globalfoundries только начинает серийный выпуск по этой норме. Недостаток в этой продукции испытывает вся отрасль.

В то время когда Intel уже поставляет 22-нм кристаллы, изготовленные по технологии FinFET, и намеревается воспользоваться EUV-литографией на 14 нм, компании ARM становится все труднее быть достойным конкурентом.

По словам Перлмуттера, Intel стремится не только улучшить технологию изготовления каждого нового поколения кристаллов, но и квалификацию инженеров, которая должна быть выше, чем у инженеров предыдущих поколений. У нынешних инженеров уже другой менталитет, т.к. они привыкли работать с кристаллами с широким функционалом.

Несмотря на кажущуюся основательность стратегических планов Intel, Перлмуттер не уверен, что в дальнейшем компания не столкнется с определенными препятствиями. Они были на 1 мкм, на нормах менее 100 нм и далее. Тем не менее компания четко следует намеченному графику, предусматривающему выпуск первых 14-нм изделий уже в следующем году.

По мнению Перлмуттера, Intel удастся увеличить свое преимущество после выпуска 14-нм кристаллов, работающих с высокой производительностью.

Источник: EE Times

Читайте также:
Globalfoundries пытается обойти конкурентов: 14 нм к 2014 г.
ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
Центр IMEC о перспективах метода gate-last HKMG
ARM присоединяется к клубу 64-разрядной архитектуры
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
Производительность завтрашних систем
Переход на 20-нм техпроцесс начнется в 2013 г.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты