Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 6 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Japan Inc. хочет помешать поглощению Renesas компанией KKR

Японские производители при поддержке правительства разрабатывают комплекс мер по спасению Renesas Electronics.

Suntech получает предупреждение от NYSE

Нью-йоркская фондовая биржа (NYSE) предупредила китайскую компанию Suntech Power Holdings о возможном исключении из списка, т.к. котировка ее акций более одного месяца не превышает 1 долл.

JEDEC опубликовала спецификацию DRAM следующего поколения

Ассоциация JEDEC опубликовала спецификацию DDR4 — первую из группы стандартов, которая включает поддержку 3D-кристаллов. Спецификация Synchronous DDR4 определяет следующее поколение DRAM-памяти для широкого диапазона устройств.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 сентября 2012

Intel сокрушит ARM на проектных нормах менее 20 нм

Хотя ARM на текущий момент опережает Intel по сравнительно меньшему энергопотреблению кристаллов, у компании Intel есть все возможности превзойти конкурента, если ей удастся сохранить достигнутые темпы совершествования технологий.

Д

эвид Перлмуттер (David Perlmutter), исполнительный вице-президент и руководитель отдела архитектуры Intel, в недавнем интервью изданию EE Times заявил, что Intel успешно продвигается по пути освоения норм на 20- и 14-нм, тогда как экосистема ARM еще только пытается определить бизнес-модель на нормах ниже 22 нм.

Похоже, компания Intel заняла выжидательную позицию. Она готова подождать пару поколений, прежде чем примет финальную битву с ARM и ее партнерами по рынку мобильных устройств.

Intel заявляет о том, что у нее есть понимание того, как работать по новым техпроцессам вплоть до 7 нм. При этом все центральные процессоры этой компании станут в следующем году системами-на-кристалле. 22-нм СнК с микроархитектурой Haswell будут использоваться в планшетах и ультрабуках, а СнК Merrifield – в планшетах и смартфонах.

14 нм станут для Intel той вехой, когда ей удастся реализовать наиболее значительные усовершенствования и выйти победителем на рынке мобильных устройств.
Перед экосистемой ARM стоят куда как более сложные задачи. Для поставщиков фаундри-услуг по-прежнему остается острой проблема обеспечить низкую стоимость изделий, повысить выход годных и подобрать новые материалы. По мнению руководства ARM, действие закона Мура замедляется из-за недостаточного объема капитальных затрат и дефицита возможностей в области разработки.

Уже на 28 нм экосистема ARM испытывает определенные трудности – только недавно одной фаундри-компании (TSMC) удалось решить проблему с выходом годных изделий, а Globalfoundries только начинает серийный выпуск по этой норме. Недостаток в этой продукции испытывает вся отрасль.

В то время когда Intel уже поставляет 22-нм кристаллы, изготовленные по технологии FinFET, и намеревается воспользоваться EUV-литографией на 14 нм, компании ARM становится все труднее быть достойным конкурентом.

По словам Перлмуттера, Intel стремится не только улучшить технологию изготовления каждого нового поколения кристаллов, но и квалификацию инженеров, которая должна быть выше, чем у инженеров предыдущих поколений. У нынешних инженеров уже другой менталитет, т.к. они привыкли работать с кристаллами с широким функционалом.

Несмотря на кажущуюся основательность стратегических планов Intel, Перлмуттер не уверен, что в дальнейшем компания не столкнется с определенными препятствиями. Они были на 1 мкм, на нормах менее 100 нм и далее. Тем не менее компания четко следует намеченному графику, предусматривающему выпуск первых 14-нм изделий уже в следующем году.

По мнению Перлмуттера, Intel удастся увеличить свое преимущество после выпуска 14-нм кристаллов, работающих с высокой производительностью.

Источник: EE Times

Читайте также:
Globalfoundries пытается обойти конкурентов: 14 нм к 2014 г.
ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
Центр IMEC о перспективах метода gate-last HKMG
ARM присоединяется к клубу 64-разрядной архитектуры
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
Производительность завтрашних систем
Переход на 20-нм техпроцесс начнется в 2013 г.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты