Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 19 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Китайские поставщики ИС объединяются, чтобы не уступить Qualcomm и MediaTek

Видя, как стремительно наращивают свое присутствие компании Qualcomm и MediaTek на рынке полупроводников для сотовых телефонов, китайские поставщики кристаллов предпринимают попытку объединиться, чтобы повысить свою конкурентоспособность.

Япония инвестирует в ИС на базе GaN-на-кремнии

Начинающая компания Transphorm, специализирующаяся на силовых GaN-микросхемах на кремниевой подложке, заявила о закрытии очередного раунда финансирования Series E на сумму в 35 млн долл. Этот раунд финансирования осуществлялся под руководством компаний Innovation Network Corp. of Japan (INCJ) и Nihon Inter Electronics Co. (NIEC).

ASE закладывает новую фабрику для производства ИС в Корее

Компания Advanced Semiconductor Engineering (ASE) заложила камень в основание своей второй фабрики в г. Паджу, Корея. По информации от этого сборщика ИС и поставщика услуг, серийное производство на новом заводе начнется в 2017 г.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

5 октября 2012

Производительность Globalfoundries на 28/32 нм достигла 80 тыс. пластин

Ежемесячный объем выпускаемых платин на предприятиях Globalfoundries составил 60–80 тыс. Об этом заявил Майкл Нунен (Michael Noonen), исполнительный вице-президент компании.

В

настоящее время Globalfoundries изготавливает 28-нм изделия на фабах в США (Fab 8) и Германии (Fab 1). При этом серийное производство по этой технологии будет запущено в 2013 г. В следующем году начнется также освоение 20-нм техпроцесса.

Майкл Нунен, исполнительный вице-президент Globalfoundries, утверждает, что компания освоит 20 нм в 2013 г. и 14 нм – в 2014 г. Фото: Michael Lee, Digitimes, октябрь 2012 г.

Нунен также заметил, что 14-нм процесс с использованием 3D FinFET-транзисторов, недавно представленный компанией, будет готов для выпуска опытной продукции в 2014 г. Производство по новым проектным нормам 20 и 14 нм начнется на фабрике Fab 8 в Нью-Йорке.

Фабрика Fab 1 компании Globalfoundries в Дрездене может выпускать до 80 тыс. 12-дюймовых пластин ежемесячно, тогда как мощность Fab 8 составляет 60 тыс. пластин. Предприятие Fab 1 специализируется на выпуске кристаллов по нормам 45 нм и меньше, а Fab 8 работает с изделиями на 28 нм и меньше. Сингапурская фабрика Fab 7 компании Globalfoundries выпускает 12-дюймовые пластины для изготовления кристаллов по нормам 40 нм и больше. Ее ежемесячная производительность составляет 50 тыс. пластин.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
Globalfoundries пытается обойти конкурентов: 14 нм к 2014 г.
Полупроводниковый бизнес IBM достанется GlobalFoundries?
Globalfoundries можно считать самым продвинутым контрактным производителем
Новые назначения в Globalfoundries
Абу-Даби и земля Саксонии инвестируют в производство 3D-микросхем
AMD уступает свою долю в Globalfoundries
У EUV-литографии альтернатив нет
Фабрика GlobalFoundries в Дрездене получит 20-нм техпроцесс для изготовления 450-мм пластин: фоторепортаж
Globalfoundries приступила к строительству фабрики в Нью-Йорке
IBM теряет позиции полупроводникового производителя

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты