Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 23 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Рост фаундри-рынка опережает рост остальной полупроводниковой отрасли

Повышенное внимание полупроводниковой отрасли к сегменту мобильных устройств будет означать, что фаундри-индустрия станет расти опережающими темпами в прогнозируемом будущем.

Производители MLCC снизят загрузку фабрик в 4Q12

Сезонное падение спроса на многослойные керамические конденсаторы вынуждает производителей снижать загрузку своих предприятий и понижать цены на готовую продукцию

Доходы TSMC и UMC выросли в III кв.

Доходы компаний TSMC и UMC существенно выросли в III кв., опередив прошлогодние показатели за тот же период. Однако в сентябре выручка оказалась несколько ниже ожидавшейся.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

12 октября 2012

Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии

Серийное производство 14-нм кристаллов будет перенесено на 2014 г. или позднее, если не будут найдены мощные источники для фотолитографических установок глубокого ультрафиолета (EUV).

Д

ействие закона Мура, являющегося двигателем инноваций на рынке полупроводников уже многие десятилетия, замедляется, что связано с трудностями внедрения EUV-технологии следующего поколения. Такой вердикт вынесли эксперты на Международном симпозиуме по вопросам EUV-литографии (2012 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography).

EUV-системам необходимы источники света, мощность которых приблизительно в 20 раз выше мощности тех источников, которые используются в настоящее время для формирования элементов 14-нм кристаллов следующего поколения. Группа экспертов по вопросам литографии заявила на международном симпозиуме о том, что 200-Вт источники света для EUV-литографии появятся, в лучшем случае, в 2014 г.

В прошлом году исследователи из центра IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) создали около 3000 пластин с помощью EUV-литографии. Однако производительность систем стоимостью во много миллионов долларов по-прежнему в 15–30 раз ниже, чем у систем, используемых производителями серийной продукции, – компаний Intel, Samsung и TSMC.

За последние три года ученым удалось повысить мощность источников света в 20 раз, однако им предстоит совершить не менее героические усилия, чтобы в ближайшие два года повысить этот показатель еще в 20 раз и подготовить производство по технологии EUV. Группа исследователей из IMEC заявила также о том, что разработка 500–1000-Вт источников света для EUV-литографии завершится в 2016 г.

По словам Курта Ронса (Kurt Ronse), директора программы IMEC по современным методам литографии, в результате задержки с освоением EUV-методов отрасль развивается не в полную силу, осваивая лишь промежуточные проектные нормы. Например, то, что производители полупроводников называют 14-нм технологиями, правильнее было бы отнести к разряду 16- или 17-нм процессов.

По словам Ронса, размеры ячеек SRAM не уменьшаются на 50% на норме 14 нм без применения EUV-технологии. Так происходит потому, что метод многократного экспонирования шаблонов имеет определенные ограничения на расстояние между отдельными элементами. Это ограничение можно преодолеть лишь с помощью EUV-технологии. В настоящее время предпринимается немало попыток по созданию источников света, благодаря чему, в конце концов, будет найден приемлемый метод. Однако невозможно точно сказать, когда это произойдет.

Компании Intel и TSMC недавно вложили миллиарды долларов в совместную с ASML программу, в соответствии с которой осуществляется разработка EUV-системы. Intel также заявила о том, что в следующем году начнет выпуск 14-нм кристаллов, а в 2015 г. эта компания станет производить 10-нм процессоры с помощью иммерсионной литографии. В отсутствие EUV-технологии инженеры Intel будут вынуждены пятикратно экспонировать один и тот же слой с ключевыми элементами иммерсионным способом, на что потребуется больше времени и средств при относительно невысокой суммарной стоимости процесса.

В настоящее время на изготовление изделий с помощью EUV-системы NXE 3100 от ASML, установленной в институте IMEC, затрачивается более 60% времени. С помощью этой системы исследователям IMEC удалось добиться разрешения в 16 нм. По мнению Ронса, EUV-система, скорее всего, будет использоваться только для критических слоев кристалла наряду с иммерсионным методом.

Выравнивание элементов кристалла также представляет собой сложную задачу. На сегодняшний день специалистам IMEC удалось с помощью EUV-системы и иммерсионного метода выровнять слои в пределах 6 нм. В дальнейшем подгонка элементов будет осуществляться уже в пределах 2–3 нм.

Источник: EE Times

Читайте также:
Высокопроизводительные EUV-системы появятся в 2016 г.
Переход на 450-мм пластины приобретает реальные черты
Оборудование ASML для 20-нм процесса появится уже в этом году
ASML отмечает снижение количества заказов
Субмикронная УФ-литография появится нескоро
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования
Компания ASML выпускает EUV-оборудование для 16-нм техпроцесса
IBM и Toppan воспользуются иммерсионной литографией для 14-нм процесса
Intel рассматривает обратную литографию, как альтернативу EUV
Intel поделилась планами на ежегодном мероприятии Research@Intel Day
Intel подтверждает планы создания 450-мм производства

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты