Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 19 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Новые продукты ARM к грядущей битве с Intel

Жёсткая конкуренция между ARM и Intel набирает обороты, и ARM, выпустив два новых изделия, добавляет огня в этом сражении.

ARM начинает программу аккредитации инженеров

Подобно Microsoft и Cisco, ARM начинает программу обучения инженеров, в ходе которой инженеры познакомятся с номенклатурой и особенностями продуктов компании и сдадут экзамен, который подтвердит их квалификацию.

Переворот в промышленности: американцы заменят мигрантов роботами

«Умный» и безопасный многофункциональный промышленный робот-рабочий Baxter может коренным образом изменить рынок труда.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 октября 2012

IMEC о топологических нормах менее 15 нм

Бельгийская научно-исследовательская лаборатория IMEC была образована для изучения технологий производства полупроводниковых приборов, после чего она стала одной из двух организаций, с которой сотрудничают многие компании в области современных техпроцессов. Другой организацией является IBM.

T

SMC сотрудничает с IMEC в области передовых КМОП-процессов, как и почти все остальные фаундри, в т.ч. Samsung, за исключением Intel, которая играет свою игру (но сотрудничает с IMEC в расширении возможностей вычислительных систем петафлопсного диапазона).

По словам Люка вана ден Хоува (Luc Van den Hove), исполнительного директора IMEC, если для реализации 28- и 32-нм процессов достаточно технологии HKMG (high-k metal gate), то на 22–14 нм требуется метод FDSOI (fully depleted silicon-on-insulator – полностью обедненный кремний) либо FinFET.

На нормах менее 14 нм транзисторы станут работать медленнее, если ничего не будет предпринято, чтобы увеличить подвижность носителей в каналах MOSFET. Технология FinFET-транзисторов будет использоваться и на 14 нм, считает Ван ден Хоув, а на меньших нормах – подзатворный диэлектрик с большой проницаемостью, FinFET-транзисторы и носители с высокой подвижностью.

Для повышения подвижности носителей заряда лаборатория IMEC предлагает использовать вместо кремниевых каналов небольшие включения других полупроводников, формирующих FinFET-каналы (см. рисунок). По словам Вана ден Хоува, в P-канальных транзисторах будет использоваться германий, а материалы группы III-V – в N-канальных транзисторах, что позволит выйти на топологии с размерами элементов меньше 10–7 нм.

В настоящее время в N-канале используется InGaAs, выращенный на буферных слоях, которые находятся, в свою очередь, на кремниевой решетке.

При размерах элементов менее 7 нм стандартные механизмы проводимости перестают эффективно работать, поэтому IMEC рассматривает квантовое туннелирование в качестве альтернативного метода – туннельные полевые транзисторы, FinFET или вертикальные транзисторы.

У вертикальных полевых транзисторов канал имеет форму тонкого столбика, который окружает металлический затвор. Его поле воздействует на канал со всех направлений, а не только с трех сторон, как в FinFET-транзисторах.

Инженеры IMEC также исследуют поведение 5-нм элементов, считая, что наиболее подходящим материалом на этой топологической норме станет графен. На этой норме уже не годится использование стандартных методов 193-нм литографии.

Что касается 20 нм, то на этой топологической норме применяются методы двойного экспонирования. В результате интерференции света, прошедшего через две последовательно наложенные маски, образуется более четкое изображение на фоторезисте, что позволяет создавать более мелкие элементы.

Для правильного формирования рисунка методом двойного экспонирования необходимо еще более точное и дорогостоящее размещение пластин, чем при использовании масок для создания разных слоев.

Для формирования только прямых линий (в производстве ИС памяти) используются всего две отдельные маски. На 14 нм, по мнению экспертов IMEC, потребуется тройное экспонирование – шесть масок на двух этапах вместо традиционных двух.

Таким образом, использование EUV-литографии на 13,5 нм обойдется дешевле 193-нм тройного экспонирования на 14 нм, обеспечив переход на 450-мм пластины.

В лаборатории IMEC уже имеется опытная установка для EUV-литографии от поставщика оборудования ASML, на которой было обработано около 3 тыс. 300-мм пластин со времени ее запуска в 2011 г. IMEC планирует построить экспериментальную линию по обработке 450-мм пластин.

Манипуляции с 450-мм пластинами с заданной точностью – довольно-таки трудоемкая вещь, которая, однако, ничто по сравнению со сложностью реализации методов EUV-литографии (недаром Intel инвестировала средства на разработку оборудования ASML).

Особенно трудным представляется изготовление источника излучения, мощность которого для производственных нужд должна составить 200–500 Вт. На текущий момент она не превышает 15 Вт.

Переход на 13,5-нм литографию позволяет понять, что темпы производства полупроводников незаметно замедлились по сравнению с теми, которые определил закон Мура. Так, например, элементы 28-нм кристаллов, на самом деле, превышают 28 нм. Эксперты надеются, что применение субмикронной УФ-литографии поможет восстановить действие закона Мура.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
Конференция ARM TechCon о перспективах производства 14-нм ИС
Полупроводниковый бизнес IBM достанется GlobalFoundries?
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
На конференции ARM TechCon покажут 25-долларовый компьютер Pi
Путь полупроводниковой отрасли на 10 лет вперед
Создан консорциум по продвижению SOI
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
Производительность завтрашних систем

Оцените материал:

Комментарии

1 / 1
1

119 февраля, 13:24

aranut серов

Туннельный эффект

Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное в классической механике; аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. http://dyyt.info/2011/07/kvantovoe-tunnelirovanie/

1 / 1
1

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты