Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 24 февраля
 
 


Это интересно!

Ранее

Великобритания ищет шпионов с опытом компьютерных игр

Правительство Великобритании объявило набор молодых людей без высшего образования, но с опытом использования интернета и компьютерных игр для борьбы с киберпреступностью.

ИС для компьютерных приложений уступают своё место коммуникационным ИС

На первое место в глобальных продажах ИС выходят ИС для коммуникационных приложений

Наступило время Японии покинуть китайский рынок ТВ. Следом мировой?

Резкое падение продаж японских товаров в Китае связано не только со спором за острова, но и с тем, что китайские производители ТВ догнали японских конкурентов по качеству и техническим характеристикам.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

24 октября 2012

TSMC планирует производство V8 ARM по 16-нм FinFET технологии

В ближайшие 2-3 года начнётся массовое производство изделий по 14-нм и 16-м технологии. Ещё рано обсуждать, в чём будут похожи или непохожи изделия TSMC и Globalfoundries, но оба «льва» уже готовы к прыжку.

К

омпания TSMC опубликовала планы производства для 20-нм планарных изделий, 16-нм FinFET и 2,5D-стеков. Тайваньская компания, вероятно, в течение следующего года будет изготавливать 64-битный процессор V8 компании ARM для тестирования 16-нм техпроцесса FinFET.

Появление технологии двойного формирования (экспонирования) литографического рисунка при использовании 20-нм технологии и 16-нм FinFET-технологии создаёт значительные проблемы для разработчиков кристаллов, решаемые в ходе переговоров TSMC и компаний-партнеров. Обнародованный план TSMC очень похож на план конкурента – компании Globalfoundries, которая также надеется в следующем году начать производство изделий по 20-нм технологии, а в 2014 году начать производство FinFET изделий по 14-нм технологии.

TSMC настроена в ноябре 2013 года начать производство FinFET по 16-нм техпроцессу

Одна из компаний-разработчиков аналоговых систем сообщила, что её первое изделие, изготовленное по 20-нм техпроцессу, оказалось состоящим из неожиданно больших блоков, что разочаровало клиентов. Компании пришлось полностью перестроить ядро и представить его состоящим из USB-блоков, работа заняла год и с помощью технологии двойного формирования рисунка удалось сократить размеры на 25–30%.

Использование USB было необходимо, потому что 20-нм техпроцесс позволяет подводить к транзисторам напряжение до 1,8 В. USB требуется для обеспечения стандартных уровней напряжения 5 В и 3,3 В.

Отраслевые эксперты считают, что слишком рано обсуждать будут ли одинаковыми или разными FinFET изделия, изготовленные в TSMC по 16-нм техпроцессу по сравнению с аналогичными продуктами, сделанными таким конкурентом, как GlobalFoundries. Изготовители только сейчас начинают получать первые, тестовые версии FinFET-изделий по таким проектным нормам, хотя некоторые предварительные тесты были уже проведены.

Клифф Хоу

Во время беседы с корреспондентом американского издания EE Times Клифф Хоу (Cliff Hou), вице-президент по исследовательским и конструкторским работам TSMC, сказал, что 16-нм FinFET-процесс TSMC будет существенно похож на 20-нм техпроцесс с высокой металлизацией затворов для изготовления систем-на-кристалле (SoC). Другие компании, как ожидается, будут использовать тот же метод – при переходе на 14-нм и 16-нм FinFET-технологии в качестве  фоновых будут использовать 20-нм и 22-нм техпроцессы.

При использовании 20-нм и 22-нм техпроцессов в фоновом режиме и переходе к 14-нм и 16-нм FinFET структурам производители могут избежать, по крайней мере, необходимости в сложном и дорогостоящем трехкратном или четырехкратном экспонировании при литографии.

Постепенный переход к FinFET-технологии позволит решать пользовательские задачи методами, удобными для контрактного производителя. Несмотря на это предложение TSMC, некоторые разработчики, особенно те, кто создаёт аналоговые и аналого-цифровые блоки с поддержкой USB, предполагают, что им придётся уже сейчас перестроить их ядра для FinFET-технологии.

TSMC стремится создать удобную для разработчика ИС технологию, которую можно будет использовать для разработки изделий, предназначенных для 16-нм техпроцесса. TSMC надеется, что эта технология будет доступна в январе для создания первых интеллектуальных продуктов, таких как стандартные ячейки. Технология для разработки SRAM-блоков будет готова месяц спустя. В ноябре 2013 года будет дан старт производству первых, «тестовых» изделий, соответствующих 16-нм технологии. Серийное производство продукции начнётся 4-5 кварталов спустя.

По словам Хоу, токи утечки для техпроцесса FinFET будут иметь такую же величину, как в  20-нм техпроцессе, но изделие будет иметь более высокую производительность (рост до 35%), а снижение потребляемой мощности  может составить 35% по сравнению изделием, изготовленным по 20-нм технологии.

Источник: EE Times

Читайте также:
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
GSS предлагает Intel более совершенную технологию производства FinFET
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
ARM выиграла битву процессоров? Едва ли!
UMC приобретает лицензию у IBM на технологию 20-нм FinFET
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Netronome использует 22-нм технологию Intel FinFET в своих Intel-совместимых процессорах

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты