Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 17 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Суд в США засекретил материалы дела об экспорте микроэлектроники

Суд Нью-Йорка постановил засекретить материалы обвинения по делу о незаконном экспорте микроэлектроники из США в Россию.

Купив EPOS, Qualcomm усилит свои процессоры ультразвуком

В конце прошлой недели компания Qualcomm заявила о приобретении части активов компании EPOS Development — разработчика ультразвуковых технологий ввода, в т.ч. с помощью пера, стилуса и жестов. Технологию ультразвуковых волн можно применять в устройствах с экраном и без него, а также в трехмерном пространстве.

Президент Intel уходит в отставку после 8 лет на посту

Корпорация Intel сегодня объявила о том, что ее президент и генеральный директор Пол Отеллини принял решение об уходе на пенсию в мае следующего года.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

21 ноября 2012

Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC

Компания Samsung Electronics анонсировала встраиваемую мультимедийную карту памяти нового поколения (eMMC) на 64 Гбайт, изготовленную по 10-нм техпроцессу. Производство чипов новой NAND-памяти на 64 Гбайт началось в октябре 2012 г.

S

amsung использует 64-Гбайт NAND-память, изготовленную по 10-нм технологии, в новых решениях eMMC Pro Class 2000 на 64 Гбайт. Напомним, что относительно новый стандарт eMMC для устройств флеш-памяти подразумевает объединение контроллера памяти и массива ячеек памяти на одном чипе. Это позволяет называть такие микросхемы (в корпусах LBGA и аналогичных) встраиваемыми мультимедийными картами памяти.

Новое встраиваемое решение превосходит по быстродействию стандартные запоминающие 64-Гбайт устройства eMMC Pro Class 1500 на базе интерфейса eMMC 4.5. В 2013 г. новые высокоскоростные устройства eMMC будут представлены в комитет инженерной стандартизации JEDEC на утверждение в качестве промышленного стандарта.

Samsung создала запоминающие устройства eMMC NAND по 10-нм технологии. Фото: Samsung

Запоминающие устройства eMMC Pro Class 2000 следующего поколения появились всего лишь пять месяцев спустя после того, как компания представила первую встраиваемую память с поддержкой интерфейса eMMC 4.5. Быстродействие eMMC Pro Class 2000 на 30% выше, чем у предыдущего решения.

Скорость произвольной записи новых запоминающих устройств составляет 2000 IOPS (input/output per second – количество операций ввода-вывода в секунду), а скорость произвольного чтения – 5000 IOPS. Скорости последовательного считывания и записи составляют 260 и 50 Мбайт/с, соответственно, что в 10 раз больше, чем у внешней карты памяти класса 10 (24 и 12 Мбайт/с, соответственно).

Размеры 64-Гбайт запоминающего устройства eMMC Pro Class 2000 составляют 11,5×13 мм, что на 13% меньше по сравнению с форм-фактором стандартной встраиваемой памяти (12×16 мм).

Встраиваемая память – один из основных компонентов в таких популярных мобильных приложениях как смартфоны и планшеты. Высокая скорость и плотность хранения данных в картах eMMC позволяет просматривать видео в формате Full HD на новейших моделях мобильных устройств и обеспечивает больший комфорт при просмотре веб-страниц, запуске мультимедийных приложений и в играх.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
Samsung начал выпуск более быстрой флэш-памяти для смартфонов и планшетов
Мировой рынок флэш-памяти NAND сократился на 8,6%
Спрос на флэш-память NAND вырастет в 2012 г.
Рынок памяти вырастет за счет смартфонов и планшетов
Micron и Hynix сократили отрыв от лидеров на рынке NAND флэш-продуктов

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты