Уже в первом квартале 2013 года Globalfoundries планирует запуск в производство пластин для изготовления тестовых образцов по FinFET-технологии на нормах 14 нм.
Такое заявление сделал Майкл Нунен (Michael Noonen), исполнительный вице-президент компании по маркетингу и продажам.
Спустя всего год после внедрения 20 нм технологического процесса, Globalfoundries Inc (Милпитас, штат Калифорния) активно старается заполучить заказчиков для массового производства в 2014 г. чипов, изготовленных по технологическому процессу 14XM (eXtreme Mobility). По сути, трансформация технологии осуществляется заменой планарных транзисторов на FinFET-элементы с использованием тех же процессов при создании изоляции и металлических межсоединений, что и на 20 нм. Несмотря на то, что размер самого кристалла практически не изменится, переход с техпроцесса 20LPM на 14XM даст такие преимущества, как снижение энергопотребления и увеличение производительности.
 |
Схема перехода на 14-нм FinFET-процесс у Globalfoundies
Нунен также отметил, что запуск производства по 14XM-процессу намечен на первый или второй квартал 2013 года с тестированием схем опытных образцов потенциальными заказчиками. Инструменты для работы с продуктом 14XM были представлены Globalfoundries в сентябре.
На вопрос о возможных доработках или даже радикальных изменениях, например, о переходе на пластины типа кремний-на-изоляторе (КНИ), Нунен категорично ответил, что 14XM является процессом на монолитном кремнии.
Но при этом Globalfoundries действительно используют пластины КНИ в других технологических процессах. Нунен отметил, что Globalfoundries активно сотрудничает с STMicroelectronics по производству полностью обедненных транзисторов на пластинах КНИ с технормами 28 нм и 20 нм, что объясняется стремлением к лидерству во всех сферах данной области.
Как известно, для изготовления полностью обедненных транзисторов на КНИ-подложках используется планарная технология, но в будущем возможна корреляция маршрутных карт для обеих технологий. Использование кремния-на-изоляторе позволяет увеличить производительность на 14 нм, но, в то же время, ограничивает возможности использования FinFET-технологии. Также существуют проблемы, связанные с эффектами плавающего заряда и самонагрева.
Нунен заявил, что Globalfoundries уже готова запустить в производство процесс по технологии 20 нм на недавно открывшемся предприятии Fab 8 в Нью-Йорке, но отказался комментировать слухи о том, что на Fab 8 уже запущено массовое производство схем на 20 нм.
Источник: EE Times
Читайте также:
14-нм техпроцесс Globalfoundries не даст существенного уменьшения размеров
Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм
Globalfoundries уготована участь бездомной компании?
Globalfoundries приступила к строительству фабрики в Нью-Йорке
UMC может опередить TSMC в использовании FinFET-технологии