Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 12 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Покупка у Sony аккумуляторного бизнеса даст Foxconn козыри в борьбе с «корейцами»

Стало известно, что Sony собирается продать часть своего бизнеса по производству батарей и аккумуляторов. По слухам, наиболее вероятными покупателями являются Foxconn и BYD. 

Развивающиеся рынки могут привнести стабильность в индустрию гелиоэнергетики

По прогнозам IMS Research, развивающиеся рынки позволят производителям солнечных элементов оставаться на плаву и даже увеличить объемы производства.

Упав в 2012 году, рынок микросхем вырастет в 2013-м

По данным организации WSTS, глобальный рынок микросхем все-таки будет расти в 2013 году.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

4 декабря 2012

Globalfoundries начинает производство 14-нм FinFET-транзисторов

Уже в первом квартале 2013 года Globalfoundries планирует запуск в производство пластин для изготовления тестовых образцов по FinFET-технологии на нормах 14 нм.

Т

акое заявление сделал Майкл Нунен (Michael Noonen), исполнительный вице-президент компании по маркетингу и продажам.

Спустя всего год после внедрения 20 нм технологического процесса, Globalfoundries Inc (Милпитас, штат Калифорния) активно старается заполучить заказчиков для массового производства в 2014 г. чипов, изготовленных по технологическому процессу 14XM (eXtreme Mobility). По сути, трансформация технологии осуществляется заменой планарных транзисторов на FinFET-элементы с использованием тех же процессов при создании изоляции и металлических межсоединений, что и на 20 нм. Несмотря на то, что размер самого кристалла практически не изменится, переход с техпроцесса 20LPM на 14XM даст такие преимущества, как снижение энергопотребления и увеличение производительности.

Схема перехода на 14-нм FinFET-процесс у Globalfoundies

Нунен также отметил, что запуск производства по 14XM-процессу намечен на первый или второй квартал 2013 года с тестированием схем опытных образцов потенциальными заказчиками. Инструменты для работы с продуктом 14XM были представлены Globalfoundries в сентябре.

На вопрос о возможных доработках или даже радикальных изменениях, например, о переходе на пластины типа кремний-на-изоляторе (КНИ), Нунен категорично ответил, что 14XM является процессом на монолитном кремнии.

Но при этом Globalfoundries действительно используют пластины КНИ в других технологических процессах. Нунен отметил, что Globalfoundries активно сотрудничает с STMicroelectronics по производству полностью обедненных транзисторов на пластинах КНИ с технормами 28 нм и 20 нм, что объясняется стремлением к лидерству во всех сферах данной области.

Как известно, для изготовления полностью обедненных транзисторов на КНИ-подложках используется планарная технология, но в будущем возможна корреляция маршрутных карт для обеих технологий. Использование кремния-на-изоляторе позволяет увеличить производительность на 14 нм, но, в то же время, ограничивает возможности использования FinFET-технологии. Также существуют проблемы, связанные с эффектами плавающего заряда и самонагрева.

Нунен заявил, что Globalfoundries уже готова запустить в производство процесс по технологии 20 нм на недавно открывшемся предприятии Fab 8 в Нью-Йорке, но отказался комментировать слухи о том, что на Fab 8 уже запущено массовое производство схем на 20 нм.

Источник: EE Times

Читайте также:
14-нм техпроцесс Globalfoundries не даст существенного уменьшения размеров
Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм
Globalfoundries уготована участь бездомной компании?
Globalfoundries приступила к строительству фабрики в Нью-Йорке
UMC может опередить TSMC в использовании FinFET-технологии

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты