10 декабря 2012

Корейские производители DRAM переходят на 20-нм техпроцесс

В 2013 году Samsung Electronics и Hynix SK начнут массовое производство DRAM для мобильных и серверных приложений

о данным отраслевых источников, корейские компании Samsung Electronics и Hynix SK активизировали свои усилия, направленные на переход к 20-нм техпроцессу, который, как ожидается, станет их основным производственным процессом для изготовления ИС DRAM в 2013 году.

Экономичная память SK Hynix 2/4/8Gb DDR3L-RS

Как отмечают отраслевые источники, обе компании уже начали производство ИС DRAM по 20-нм технологии в 2012 году. Замена существующего 30-нм оборудования на новую 20-нм технику и использование последней в качестве основного оборудования, скорее всего, состоится во второй половине 2013 года.

Как указывают источники, Samsung и Hynix будут постепенно уменьшать свое присутствие на рынке DRAM для ПК, который продолжает страдать от избыточного предложения. Изначально, для 20-нм продуктов целевым рынком у обеих компаний будут мобильные и сетевые приложения, для которых предполагается изготавливать 4 ГБ ИС DRAM.

Как сообщают отраслевые источники, другие производители DRAM – Micron Technology, Nanya Technology и Inotera Memories – готовятся к переходу на новый техпроцесс. Указанные компании прикладывают усилия для ускорения выхода своей продукции на рынок серверных и мобильных приложений DRAM.

Тайваньская компания Inotera, например, планирует завершить свой переход к 30-нм технологии к середине 2013 года. Ежемесячный потенциал в Inotera оценивается в 40 тысяч 12-дюймовых пластин.

Inotera является дочерней компанией фирмы Micron, которая сейчас занята поглощением обанкротившейся компании Elpida.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
Samsung и Hynix сокращают производство флэш-памяти
Spansion и SK Hynix займутся производством микросхем SLC NAND
Spansion начинает поставки NAND-памяти с одноуровневыми ячейками

Комментарии