Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 17 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Тайваньские дизайн-центры выиграют от агрессивной стратегии Samsung в 2013 г.

Тайваньские центры проектирования ИС, сотрудничающие с Samsung Electronics по разработке продуктов компании, рассчитывают преуспеть в 2013 году.

IHS: рынок ИС для управления питанием снизится в 2012 году

По прогнозам IHS ISuppli, в 2012 г. рынок полупроводников для управления питанием снизится на 6%, главным образом, из-за нестабильности мирового потребительского рынка.

Ноутбук за $99 — сбылась мечта школьников. Пока лишь американских...

Google приступила к поставкам в американские школы ноутбуков по цене 99 долларов, сообщает Reuters.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

13 декабря 2012

Broadcom: переход на 20 нм может привести к удорожанию мобильных устройств

Как заявил Скотт Макгрегор (Scott McGregor), генеральный директор Broadcom, в ходе ежегодного заседания по анализу рынка, закон Мура теперь получит «обратный эффект» и удельная стоимость транзистора на кристаллах с нормами 20 нм и 14 нм может вырасти.

В

следующем году компания собирается очень «разумно» переводить свою продукцию на техпроцессы с уменьшением масштаба, наладив, при этом, выпуск своих первых LTE-чипов для интегрированных сетевых процессоров.

Также Broadcom ожидает, что в следующем году увеличится спрос на смартфоны, в которых используются NFC-чипы, выпускаемые компанией. На выставке потребительской электроники CES, которая состоится в следующем месяце, большое внимание будет уделено телевизорам и телевизионным приставкам с разрешением мониторов 4К х 2К и новым высокоэффективным видеокодекам (которые, вероятно, будут переименованы в MPEG-5).

Скотт Макгрегор (Scott McGregor), генеральный директор Broadcom

По словам Макгрегора, закон Мура переживает сейчас интересный этап: с уменьшением масштаба техпроцесса вплоть до 28 нм удельная стоимость транзистора на кристалле уменьшается, но с переходом на 20 нм или на 14 нм возможен обратный эффект, что для многих может стать шоком.

Тем не менее, Broadcom считает целесообразным уменьшение технормы в тех случаях, когда засчет снижения энергопотребления или увеличения плотности на кристалле можно достичь повышения экономической эффективности.

«Наш техпроцесс отстает от других производителей на одно или два поколения, но мы считаем, что у нас есть шанс сравняться с ведущими компаниями, – заявил Макгрегор. – Мы, возможно, не выбьемся в лидеры, но можем стать более конкурентоспособными». 

Макгрегор отметил, что нецелесообразно изготавливать весь спектр продукции компании с уменьшением нормы, как это было при переходе на 65 нм. Возможно, разумнее будет еще на протяжении какого-то времени оставаться на 28 нм, а некоторые продукты вообще не потребуют изменения техпроцесса. И такой подход компании радикально отличается от общепринятых тенденций.

В Broadcom в 2012 году планируют выпустить 50 новых «систем на кристалле», что, как надеются в компании, будет способствовать росту, несмотря на то, что на НИОКР было потрачено 2 млрд долл.

Переход к интегрированным сетевым процессорам

По словам Макгрегора, для изготовления сетевых чипов, используемых в современных телефонах, нужны новые техпроцессы для получения высокой энергоэффективности и большой плотности транзисторов на кристалле (иногда более 4 млрд). С переходом на новые технологии в компании надеются добиться высоких показателей окупаемости инвестиций.

Broadcom продолжает инвестировать в технологии сотовой связи, стремясь в 2013 г. начать выпуск своих первых LTE-чипов для интегрированных сетевых процессоров. Инвестиции продолжают поступать, несмотря на сильную конкуренцию со стороны компаний вроде Qualcomm и сомнения Макгрегора по поводу роста отрасли в 2013 г.

Broadcom ориентирована на переход от Wi-Fi-комбо-чипов стоимостью 3–6 долл., применяемых на рынке мобильных телефонов, к сетевым продуктам с функцией обработки сигнала, стоимостью 10–30 долл. Объединив в одном смартфоне новые техпроцессы ИС, устройство управления питанием и широкий диапазон рабочих частот, компания сможет увеличить свой доход в пять раз.

И со временем подавляющее большинство всех телефонов будут работать на интегрированных сетевых процессорах.

Боб Ранго (Bob Rango), генеральный менеджер подразделения мобильных и беспроводных устройств Broadcom, представил первый образец LTE-модема, массовый запуск в производство которого планируется в 2013 г. Чип, изготовленный по техпроцессу 28 нм, поддерживает 10 новых функций, в том числе передачу голоса по сетям LTE и агрегацию несущих частот в сети LTE-TDD , и в то же время, размеры процессора на 37% меньше чем у Apple в iPhone 5. 

По словам Ранго, в течение следующих нескольких кварталов Samsung планирует выпустить серию 3G-мобильных телефонов, начиная с Galaxy SII +, на базе интегрированных двухъядерных процессоров компании Broadcom.  Ранго заявил, что не стоит опасаться конкуренции со стороны Samsung с ее процессорами Exynos, предназначенными для внутреннего применения, а также со стороны Qualcomm, совместившей в своих процессорах функции Wi-Fi и Bluetooth.

Читайте также:
Электроника смартфона Samsung Galaxy S III: взгляд изнутри
Broadcom скептически оценивает приобретение CSR компанией Samsung
Broadcom приобретает компанию Gigle Networks
Новые продукты ARM к грядущей битве с Intel
Новые версии Wi-Fi для планшетов

Источник: EE Times

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты