Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 21 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Broadcom: переход на 20 нм может привести к удорожанию мобильных устройств

Как заявил Скотт Макгрегор (Scott McGregor), генеральный директор Broadcom, в ходе ежегодного заседания по анализу рынка, закон Мура теперь получит «обратный эффект» и удельная стоимость транзистора на кристаллах с нормами 20 нм и 14 нм может вырасти.

Тайваньские дизайн-центры выиграют от агрессивной стратегии Samsung в 2013 г.

Тайваньские центры проектирования ИС, сотрудничающие с Samsung Electronics по разработке продуктов компании, рассчитывают преуспеть в 2013 году.

IHS: рынок ИС для управления питанием снизится в 2012 году

По прогнозам IHS ISuppli, в 2012 г. рынок полупроводников для управления питанием снизится на 6%, главным образом, из-за нестабильности мирового потребительского рынка.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

14 декабря 2012

MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах

Компания Toshiba заявила о том, что созданный ею опытный образец памяти STT-MRAM сменит SRAM в кэш-памяти мобильных процессоров для смартфонов и планшетных ПК.

П

амять STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive random access memory – магниторезистивная RAM с передачей спинового вращательного момента), структуре которой был посвящен доклад на прошедшей на днях в Сан-Франциско конференции производителей электронных устройств IEDM 2012, имеет наименьшее энергопотребление и составляет около 1/10 потребления прежде испытанных образцов запоминающих устройств. Toshiba утверждает, что это первая MRAM, способная конкурировать со SRAM для кэш-памяти. Toshiba намеревается как можно скорее завершить разработку STT-MRAM.

Принцип работы усовершенствованной структуры памяти основан на записи с перпендикулярным намагничиванием. Такая память при малых токах обеспечивает возможность программирования данных и создания ячеек меньшего размера. Размеры элементов новой структуры стали меньше 30 нм. ИС памяти не имеет тока утечки в рабочем режиме и режиме ожидания.

Поперечное сечение элемента памяти с вертикальным намагничиванием STT-MRAM от Toshiba

Энергопотребление памяти STT-MRAM меньше, чем у эквивалентной SRAM. Моделирование, выполненное специалистами Toshiba , показало, что замена SRAM новой STT-MRAM в кэш-памяти стандартного процессора мобильного устройства приводит к сокращению энергопотребления на 2/3.

Работы по созданию памяти STT-MRAM финансировались японской организацией NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).

Читайте также:
20-нм планарный техпроцесс не подходит для мобильных приложений
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis
«Универсальная память» все еще на старте
Магниторезистивная память MRAM - быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме

Источник: EE Times

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты