Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 19 февраля
 
 


Это интересно!

Ранее

NVIDIA создаст 7-нм встраиваемые ARM-процессоры для Минобороны США

NVIDIA получила контракт с Министерством обороны США на сумму до 20 млн долл. для разработки высокопроизводительных встраиваемых процессоров.

Производители пассивных компонентов накануне 2013 г. совершили кадровые перестановки в руководстве

За последнее время большое количество тайваньских компаний по производству пассивных компонентов произвели кадровые перестановки с целью улучшения своих показателей в 2013 г.

Дистрибьюторы ИС отмечают значительный рост продаж в ноябре

В ноябре большинством дистрибьюторов ИС был отмечен последовательный рост продаж.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 декабря 2012

План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм

SOI Industry Consortium сообщил, что 14-нм технология FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе) будет освоена в то же время, что и 14-нм технология FinFET от Intel. На волне FDSOI компания ST может вернуться в технологические лидеры.

П

осле недавнего заседания рабочей группы в Сан-Франциско из стратегического плана освоения технологии FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе) исчезло упоминание о проектной норме 20 нм. Вместо нее появилась норма 14 нм. Далее в плане предусмотрено освоение 10 нм.

Горацио Мендес (Horacio Mendez), исполнительный директор консорциума SOI Industry Consortium, сообщил, что 14-нм технология FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе) будет освоена в то же время, что и 14-нм технология FinFET от Intel. При этом будут реализованы те же рабочие характеристики, но при намного меньшей стоимости.

Презентация Джоэла Хартманна (Joel Hartmann), исполнительного вице-президента отдела технологий обработки полупроводниковых пластин компании STMicroelectronics, на семинаре этого консорциума также свидетельствует о переходе с 28-нм процесса FDSOI, который стал использоваться в производстве во второй половине 2012 г., на 14-нм FDSOI, а затем – на 10-нм FDSOI.

Некоторое время назад компания ST заявила о том, что в июле текущего года она приступит к изготовлению опытных образцов по технологии 28-нм FDSOI, после чего предполагалось в III кв. 2013 г. освоить производство опытных образцов по проектной норме 20 нм.

Причина этих изменений кроется в том, что компании, заинтересованные в осуществлении плана освоения FDSOI, приняли решение переименовать название этой технологии по норме 20 нм таким образом, чтобы она соответствовала эквивалентному техпроцессу 14-нм FinFET компании Intel, а также FinFET-технологиям, по которым будут работать фаундри-компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. и Globalfoundries.

В презентации Хартманна были представлены самые последние результаты измерений 28-нм процесса FDSOI, полученные с помощью многоядерного процессора ModAp NovaThor от ST-Ericsson. Хартманн заявил о превосходстве 28-нм техпроцесса FDSOI gate-first компании ST над 28-нм КМОП ИС на полупроводниковой подложке за счет меньшего энергопотребления и более высокой производительности.

В свою очередь, Мендес указал на то, что теперь в план совершенствования технологии FDSOI входит 10-нм процесс, освоение которого намечено завершить к 2016 г. К этому времени также предполагается освоение технологии второго поколения FinFET.

На недавно прошедшей конференции International Electron Devices Meeting компания STMicroelectronics заявила о предпроизводственной готовности 28-нм технологии FDSOI на фабрике Crolles по изготовлению 300-мм пластин.

Из заявления компании следует, что планарный процесс FDSOI имеет ряд преимуществ над другими вариантами производственного процесса, например над планарным КМОП ИС на полупроводниковой подложке и КМОП FinFET, в плане оптимального соотношения между производительностью, потреблением и технологичностью. У компании ST имеется лицензионное соглашение с Globalfoundries, предусматривающее производство изделий на базе процесса FDSOI и его предоставление другим заказчикам.

Технологическая платформа FDSOI включает стандартные ячейки, генераторы памяти, ячейки системы ввода-вывода и специфические схемные блоки для аналоговых, аналого-цифровых и высокоскоростных интерфейсов, лицензируемых в качестве интеллектуальной собственности. Такая технология ранее была выбрана ST-Ericsson для будущих аппаратных платформ для мобильных приложений.

По словам Жана-Марка Шери (Jean-Marc Chery), главного технолога STMicroelectronics, завершение подготовки FDSOI-технологии к этапу производства позволяет снова считать компанию ST лидером инновационного технологического развития. Тестирование обработанных пластин позволяет утверждать о существенных преимуществах FDSOI по производительности и энергопотреблению над стандартными технологиями и возможностях создания экономичных решений, начиная с 28 нм.

Процессоры NovaThor, созданные на основе FDSOI, могут работать с частотой 800 МГц при напряжении всего лишь 0,6 В или с частотой 2,5 ГГц при более высоком напряжении и с большей энергоэффективностью, чем КМОП ИС на монолитных подложках. При этом устройства на основе FDSOI имеют расширенный динамический диапазон напряжений и режим масштабирования частоты (DVFS).

Технология FDSOI позволяет создавать очень энергоэффективные устройства с возможностью мгновенного переключения при необходимости в режим высокой производительности и последующего возвращения в состояние с малыми утечками тока.

Читайте также:
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
20-нм планарный техпроцесс не подходит для мобильных приложений
Altera начнет выпускать 20-нм ПЛИС в следующем году
3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
Globalfoundries начинает производство 14-нм FinFET-транзисторов
Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм
Конференция ARM TechCon о перспективах производства 14-нм ИС
UMC может опередить TSMC в использовании FinFET-технологии
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
STMicroelectronics выйдет из совместного предприятия ST-Ericsson
У Intel нет технологических преимуществ по сравнению с ARM

Источники: www.soiconsortium.orgEE Times, Electronics Weekly

Оцените материал:

Комментарии

1 / 1
1

120 декабря, 02:25

DrON DrONыч

Вот чего надо Микронам и Ангстремам осваивать в срочном порядке, а не отсталые 90 нм с барского плеча

за FD SOI реальное будущее, против физики не попрешь, даже если ты такой маленький и шустрый как электронотозоид

1 / 1
1

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты