Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 14 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм

SOI Industry Consortium сообщил, что 14-нм технология FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе) будет освоена в то же время, что и 14-нм технология FinFET от Intel. На волне FDSOI компания ST может вернуться в технологические лидеры.

NVIDIA создаст 7-нм встраиваемые ARM-процессоры для Минобороны США

NVIDIA получила контракт с Министерством обороны США на сумму до 20 млн долл. для разработки высокопроизводительных встраиваемых процессоров.

Производители пассивных компонентов накануне 2013 г. совершили кадровые перестановки в руководстве

За последнее время большое количество тайваньских компаний по производству пассивных компонентов произвели кадровые перестановки с целью улучшения своих показателей в 2013 г.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 декабря 2012

IBM открывает путь для гибкой, «складной» электроники

Если у IBM все пойдет по плану, то не за горами время, когда можно будет сложить и положить в карман гибкий смартфон или электронную газету.

Н

а прошедшей на прошлой неделе конференции IEDM компания IBM представила новую и относительно недорогую технологию изготовления кремниевой электроники на гибкой пластиковой подложке. Исследования показывают, что гибкая и доступная электроника может производиться с использованием стандартных процессов при комнатной температуре, хотя IBM и признает некоторое снижение характеристик транзисторов в процессе производства.

По словам Давуда Шарьерди (Davood Shahrjerdi), сотрудника исследовательского центра IBM TJ Watson Research Center, при попытке применить в гибкой электронике другие одно- и двумерные материалы не удавалось добиться низкого контактного сопротивления и надежной изоляции затвора. Кроме того, другие методы требуют либо нестандартных процессов или материалов, либо высоких температур в процессе производства.

Метод IBM, основанный на контролируемом скалывании или отслаивании, был представлен в начале текущего года. Тогда IBM продемонстрировала возможность изготовления маломощных фотоэлектрических элементов, используя kerfless-технику для удаления кремния, германия и III-V-слоев.

Как ни странно, метод очень прост: подложка с микросхемами скалывается и переносится на гибкую пластиковую ленту. Таким образом были получены приборы с длиной затвора менее 30 нм и шагом затвора 100 нм. 

Как отметили в IBM, удалось добиться наилучших характеристик для гибких схем SRAM-памяти с напряжением питания до VDD=0,6 В и кольцевого генератора с периодом задержки 16 пс при питании от 0,9 В.

Процесс IBM заключается в следующем: на подложку ультратонкого кремния-на-изоляторе (ETSOI), осаждается стрессор-слой никеля толщиной 5–6 микрон. (ИС были изготовлены по 22-нм КМОП-технологии с использованием ETSOI-пластин диаметром 300 мм). Поверх стресс-слоя помещают слой гибкой полиимидной ленты. Затем при комнатной температуре с одного края подложки провоцируют «стресс-разрыв», при этом, «механически управляемый» фронт разлома распространяется по всей поверхности подложки. 

Выход годных – 97%

IBM заявила, что использует технологию ETSOI по двум причинам. Во-первых, толщина подложек составляет всего 60 ангстрем, что, по словам Шарьерди, позволяет масштабировать процесс ниже 30 нм и добиться высокой плотности элементов схемы. Во-вторых, наличие нелегированных каналов транзисторов снижает неравномерность распределения примесей, что допускает значительный разброс значений напряжений на чипе.

Для повышения механической гибкости исследователи вытравили избыток кремния под заглубленным слоем окисла.

Вторым шагом был перенос схемы на пластиковую подложку с последующим удалением «относительно толстой» полиимидной ленты и слоя никеля. Полиимид легко сходит, потому что он связан с подложкой термоудаляемым адгезивом; никель удаляется посредством химического травления.

IBM сообщила о незначительном уменьшении быстродействия схем на гибких образцах по сравнению с характеристиками до переноса на гибкую ленту, причем у полевых транзисторов p-типа отмечается большее ухудшение параметров (на 30–40%), чем у n-типа. 

Для определения причин ухудшения IBM произвела контролируемое скалывание на другой пластине ETSOI, используя те же этапы обработки. Но на этот раз вместо переноса на гибкую пластиковую подложку образец был жестко зафиксирован на кремниевой пластине. В результате в IBM пришли к выводу, что снижение характеристик транзисторов p-типа было вызвано, скорее всего, механическим воздействием зонда, а не напряжениями, вызванными процессом скалывания.

Шарьерди утверждает, что в лаборатории выход годных образцов составил 97%, а проблемы, с которыми они столкнулись, были вызваны инструментом для осаждения никеля, который затронул этот слой. По заверениям Шарьерди, процесс является воспроизводимым, а глубину скалывания с точностью 1 мкм можно определить по расположению уровня стрессора в слое никеля.

Читайте также:
Гибкая электроника совершает прорыв
Тонкие кристаллы для гибкой электроники
Наконец-то появятся массовые гибкие дисплеи
Samsung запускает первое в мире производство гибких дисплеев
Гибкие AMOLED-дисплеи от Samsung скоро выйдут в массовое производство
Перспективные технологии гибких дисплеев с сенсорным управлением
Электроника получит материалы с переменной эластичностью

Источник: EE Times

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты