Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 16 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Определен Топ-5 производителей мобильников и смартфонов в 2012 г.

Сократив долю в сегменте смартфонов с 16% до 5%, компания Nokia утратила позицию крупнейшего игрока на рынке мобильных терминалов, которую впервые заняла корейская Samsung.

Foxconn таки будет заменять китайцев миллионом роботов

Foxconn опровергает слухи о проблемах с запланированной автоматизацией производства.

Delta и NSP выиграют от слияния на рынке гелиоэнергетики

Слияние тайваньских компаний-производителей солнечных элементов Neo Power Solar (NSP) и DelSolar (дочерней компании Delta Electronics) рассматривалось как выгодный и необходимый шаг в отрасли солнечной энергетики.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

24 декабря 2012

Ван ден Хов заявил, что литография глубокого ультрафиолета не готова к 14 нм

Как заявил президент IMEC Люк ван ден Хов (Luc van den Hove) на недавно состоявшейся ежегодной конференции IEDM, литография глубокого ультрафиолета (EUV) не готова для работы на 14 нм.

П

о словам Ван ден Хова, настал момент, когда необходимо определяться с методами литографии для 14 нм, и совершено очевидно, что итография глубокого ультрафиолета (ЛГУ, EUV) пока не достаточно отработана для этих целей.

Люк ван ден Хов (Luc van den Hove), президент IMEC

Одним из возможных вариантов на 14 нм является тройное экспонирование на существующих литографических установках, но это приведет к увеличению стоимости пластины на 90% по сравнению с 28 нм.

Применение ЛГУ привело бы к увеличению стоимости всего на 60%, но данный метод возможно будет реализовать только к 2014 году, и даже тогда – только для ограниченного коммерческого использования.

Процесс тройного экспонирования настолько сложен, что для того чтобы достичь удовлетворительного результата, следует пересмотреть правила проектирования для 14 нм.

«За последние 40 лет удвоение плотности транзисторов каждые 14 месяцев с сокращением площади на 50% двигало вперед полупроводниковую промышленность, – заявил Ван ден Хов. – На опытных установках ЛГУ удалось получить рисунок на 16 нм экспонированием в один этап и добиться точности наложения в 2 нм. В процессе совершенствования ЛГУ возникает масса проблем, связанных как с оборудованием, так и с технологией, и в настоящее время проводится много работ для разработки установок с достаточной для процесса мощностью».

Основная проблема возникает именно с источниками излучения нужной мощности. Стабильными пока получаются установки мощностью 20–30 Вт; достаточным будет добиться 100 Вт; а для достижения производительности 60–120 пластин в час необходимо оборудование мощностью 125–250 Вт.

Как заявил Ван ден Хов, возможность масштабирования процесса ниже 10 нм открывает перспективы для революционного продвижения на рынок резистивной памяти RAM, преимуществами которой являются высокая скорость, превосходная масштабируемость, совместимость с КМОП-технологией, а также, по сравнению с широко используемой в настоящее время NAND –памятью, более высокая надежность.

Читайте также:
14 нм — очередная проверка закона Мура
IEDM: FinFET-технология Intel вызвала огонь критики конкурентов
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
Как «спасти» закон Мура?
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
Создан источник излучения для EUV-литографии

Источник: ElectronicsWeekly

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты