Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 10 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Ван ден Хов заявил, что литография глубокого ультрафиолета не готова к 14 нм

Как заявил президент IMEC Люк ван ден Хов (Luc van den Hove) на недавно состоявшейся ежегодной конференции IEDM, литография глубокого ультрафиолета (EUV) не готова для работы на 14 нм.

Определен Топ-5 производителей мобильников и смартфонов в 2012 г.

Сократив долю в сегменте смартфонов с 16% до 5%, компания Nokia утратила позицию крупнейшего игрока на рынке мобильных терминалов, которую впервые заняла корейская Samsung.

Foxconn таки будет заменять китайцев миллионом роботов

Foxconn опровергает слухи о проблемах с запланированной автоматизацией производства.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

24 декабря 2012

Эксперты: иммерсионная фотолитография пока побеждает EUV-литографию

Применение 193-нм фотолитографии для изготовления полупроводников стало неприемлемым, следующему поколению придется переходить на излучение с длиной волны 157 нм.

Д

жим Блэтчфорд (Jim Blatchford), начальник отдела предварительной обработки Texas Instrument, только что закончил переговоры по передовой 157-нм системе фотолитографии, но его все-таки тревожил факт отсутствия данных об успешном применении технологии, поэтому Блэтчфорд отправился в общество оптики и фотоники (SPIE) на конференцию, посвященную 157-нм литографии.

Однако по прибытии он был крайне удивлен, обнаружив полупустое помещение. За окном лил дождь и казалось необычным, что его монотонное постукивание не заглушалось шумом толпы. Со 157 нм, определенно, что-то было не так. 

«Я очень отчетливо это помню. Мы только что закончили переговоры по нашей установке на 157 нм, но когда я прибыл на конференцию SPIE 2004, посвященную этой технологии, в помещении почти никого не было. Стук дождя, барабанившего по крыше, звучал жутковато. Возникало ощущение, что что-то не так», – рассказал Блэтчфорд.

Эта тайна была раскрыта, когда Блэтчфорд понял, что почти все участники переместились на конференцию, посвященную иммерсионной 193-нм литографии, где организаторы убеждали собравшихся в том, что инженерам не обязательно рисковать при переходе на 157 нм. Все, что им нужно было сделать, – это погрузить в воду уменьшающую линзу, располагавшуюся ближе всего к пластине. Таким образом, более высокий показатель преломления жидкости (1,44) позволит повысить разрешающую способность, и использование 193 нм литографии станет возможным и в дальнейшем.

«Самым удивительным для меня было то, насколько быстро все приняли иммерсионную литографию, хотя она была предложена, всего лишь, как одна из возможных технологий», – подметил Блэтчфорд.

Излучение с длиной волны 193 нм имеет предел разрешающей способности порядка 65 нм, но с применением иммерсионной литографии при использовании того же источника излучения уже реализуются полупроводниковые процессы с технормой 40–45нм. (Источник: Nikon)

Длинная история иммерсионной оптики

Иммерсионная литография была так быстро принята, поскольку работает по проверенному принципу иммерсионной микроскопии, возникновение которой предсказал еще в XV веке английский естествоиспытатель Роберт Хук (Robert Hooke). В XVII веке Джованни Баттиста Амичи (Giovanni Battista Amici), итальянский астроном и оптик, впервые применил иммерсионный объектив. А в XX веке иммерсионная микроскопия была усовершенствована и причислена к наукам. 

Принцип действия заключается в преломлении света на границе с жидкой средой, аналогии с палочкой, которая изгибается в стакане с водой, – таким образом, при прохождении через иммерсионную линзу микроскопа получается увеличение изображения. Так же и в установке для литографии, когда излучение, проходя через уменьшающую оптику, попадает в жидкость, происходит сжатие изображения засчет изменения показателя преломления. Сегодня мы знаем, что объединение иммерсионной литографии с последовательным применением нескольких шаблонов для вытравливания одного слоя фоторезиста позволяет увеличить разрешение стандартной 193-нм литографии настолько, что ее можно применять вплоть до техпроцесса с нормой 32 нм. Таким образом, увеличивая число экспозиций и повышая показатель преломления иммерсионной жидкости, 193-нм литография может пройти весь путь масштабирования.

«Intel уже освоили 32 нм, применив тройное экспонирование, а многие инженеры утверждают, что увеличивая число экспозиций можно дойти до 14 нм, – говорит Блэтчфорд. – Есть и некоторые другие приемы, например, удвоение шага может сделать возможным применение иммерсионной литографии на 10 нм». 

Литография глубокого ультрафиолета (ЛГУ, EUV) все еще находится на стадии ​​разработки и многие полупроводниковые компании выразили готовность перехода на ЛГУ, но есть мнение, что применение 193-нм иммерсионной литографии в сочетании с мультиэкспонированием и жидкостью с более высоким показателем преломления сделает возможным масштабирование процесса полупроводников до техноогических норм в 8 нм в соответствии с международным планом по развитию полупроводниковой технологии (ITRS).

«Трудно сказать, потребует ли возможное возникновение новой революционной архитектуры уменьшения технорм кремния, выходящего за пределы текущего ITRS, – заявил Блэтчфорд. – Но Intel публично заявила о том, что при помощи иммерсионной литографии сможет реализовать масштабирование процесса в соответствии с ITRS, даже если ЛГУ никогда не заработает». 

Nikon, Canon и ASML почти уже десять лет много работают над тем, чтобы сделать ЛГУ доступной для коммерческого применения. Приходится работать с излучением с длиной волны порядка 10 нм, что теоретически позволило бы освоить процессы ниже 5 нм, а это уже соизмеримо с шириной всего нескольких молекул. Впрочем, к тому времени, развитие электроники на основе углерода, возможно, заставит нас пересмотреть подход к производственным необходимостям и проблемы литографии отступят перед решением задач по самоорганизации поатомной сборки по принципу «снизу-вверх».

Читайте также:
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
14 нм — очередная проверка закона Мура
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
Как «спасти» закон Мура?
Создан источник излучения для EUV-литографии
Чипы памяти при нормах ниже 20 нм будут использовать нанотрубки
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования

Источник: EE Times

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты