Samsung представила чипы FinFET на 14 нм


Субмикронные технологии набирают обороты: на свет появился еще один опытный образец с транзисторами типа FinFET на 14 нм.

Корейский чипмейкер, работавший в команде с ARM, Cadence, Mentor Graphics и Synopsys, в конце декабря объявил о том, что выпущено некоторое количество тестовых чипов, причем, в опытных образцах удалось реализовать функции процессора ARM Cortex A7 (на маломощных компонентах ARM с конфигурацией/технологией « big-little»), а так же создать чип на базе SRAM, способный работать на пороговых значениях напряжения наряду с аналоговыми матричными IP системами.

Samsung сообщила о новых 14-нм разработках следующее:

— По проекту Cadence, в сотрудничестве с ARM на тестовом образце реализована архитектура процессора Cortex-A7. Cadence предоставила средства RTL-to-signoff flow для проверки уровня интеграции чипов. ARM использовала инструменты Cadence при создании библиотек для14 нм FinFET.

— Использование инструментов Synopsys позволило оптимизировать исполнение дополнительных IP для FinFET-приборов, в том числе маломощных SRAM.

— Mentor для 14 нм FinFET взял на себя такие задачи как контроль, производство и доработка.

Объявление о реализации технологии FinFET на 14 нм стало вторым за месяц.

В ноябре Cadence объявила о выпуске 14 нм тестового чипа с функциями процессоров ARM Cortex-M0, реализованного по технологии FinFET от IBM.

Читайте также:
IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор
Intel успешно совершенствует 14-нм технологию
Конференция ARM TechCon о перспективах производства 14-нм ИС
14 нм — очередная проверка закона Мура
Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм
IMEC о топологических нормах менее 15 нм

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *