Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 23 июля
 
 


Это интересно!

Новости

Россиян перестанут сажать за GPS-трекеры и якобы шпионские фотокамеры


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

В США накаляется борьба за бюджет финансирования исследований

Эксперты отрицательно оценивают возможное сокращение бюджета исследовательских работ в микроэлектронике.

Китайская индустрия гелиоэнергетики постепенно оживает

После празднования Восточного Нового года поставщики солнечных модулей повышают коэффициент загрузки производственных мощностей.

Fujitsu и Panasonic создают фаблес-компанию по производству ИС

Японские компании Fujitsu Ltd и Panasonic Corp объявили о том, что они пришли к принципиальному согласию об объединении бизнесов системных LSI (Large Scale Integration – больших интегральных схем, БИС) для создания независимой фаблес-компании по производству микросхем.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

15 февраля 2013

Micron к 2014 году готовит революцию в технологии традиционной DRAM

Micron Technology планирует выпуск гибридных DIMM, объединяющих флеш-память и DRAM на модулях с шиной DDR4.

П

оставщик микросхем памяти Micron Technology планирует размещать NAND флеш-память вместе с DRAM на модулях памяти с шиной DDR4, примерно через 18 месяцев. В компании полагают, что Microsoft Windows будет поддерживать так называемый Hybrid DIMM модуль, который позволит вместить более 256 Гбайт памяти.

Этот шаг продвигает флэш-память на новую позицию в иерархии компьютерной памяти, выше сегодняшних твердотельных накопителей, которые работают на шине PCI Express. Hybrid DIMM будет дороже чем SSD, но вероятно, предложит более высокую производительность с временем доступа к памяти, измеряемым скорее в нано-, чем микросекундах.

OEM-производители и конечные пользователи уже предлагали Micron Technology свои приложения для гибридных DIMM, в том числе, с базами данных в памяти и многое другое. В Micron Technology (Бойсе, штат Айдахо, США) полагают, что модули будут использоваться как более быстрые SSD с большим DRAM кэшем, как DRAM-модули с флеш-памятью в качестве своп-раздела или как блочный флэш-накопитель с вспомогательной DRAM-памятью.

Гибридные DIMM используют специальный контроллер в качестве основного интерфейса к процессору. Также они имеют отдельный контроллер для флеш.

Поддержка в Windows – это ключ к развитию гибридных DIMM. Пока что Microsoft не комментировала публично свои планы, но за последние шесть месяцев провела множество переговоров относительно этой технологии с Micron Technology.

«Я постоянно читаю то, что они подписывают – они продолжают договариваться о новых встречах», – сказал Райан Бакстер (Ryan Baxter), старший менеджер по развитию бизнеса Micron Technology, который вел презентацию на конференции в LinleyDataCenter.

Micron Technology работает самостоятельно над возможностью использования гибридных DIMM под Linux. Она намеревается выпустить это программное обеспечение для DDR4-продуктов своевременно.

По слухам, Samsung тоже проявил интерес к технологии. Ни Samsung, ни Microsoft не ответили на расспросы прессы.

По отдельности, Micron Technology и партнер Gigatech Products уже испытывают так называемые энергонезависимые DIMM. Они используют флеш-память и ультраконденсатор для резервирования данных DRAM в случае пропадания питания. Говорят, что Netlist Inc (Ирвин, штат Калифорния, США) буде поставлять подобные продукты.

В длительной перспективе Micron Technology планирует выпуск версий своей многослойной гибридной памяти (Hybrid Memory Cube, HMC) – 3-D стека логики и памяти, пригодных для интеграции в партнерских ASIC и ПЛИС. «Они получат доступ к технологии интерфейса,... которой так интересуются разработчики однокристальных систем (SoC)», – сказал Бакстер.

Существующая модель HMC использует интерфейс с 16 SerDes (последовательно-параллельными преобразователями), работающими на скорости 10 Гбит/с каждый, с возможностью переключения на 15 Гбит/с. Устройство получит полосу пропускания 300 Гбайт/с примерно в 2016 г.

На слайде показана концепция гибридного DIMM

На следующих страницах Micron Technology демонстрирует свои передовые идеи замены DRAM, а также, пробел в иерархии памяти, который заполняют эти продукты, и энергонезависимые DIMM, тестируемые сегодня.

Гибридные DIMM в пост-DRAM мире

Micron Technology готовит ко внедрению несколько идей будущих гибридных DIMM с памятью класса накопителей (SCM). Источник: EE Times

На рисунке: SCM и контроллер SCM, объединенные по требованиям приложения.

  • Позволяет быстрее выйти на рынок новым технологиям.
  • Потенциально требует программной поддержки для получения всех возможностей.

Гибридные DIMMs обогнали SSD

Гибридные DIMM заполняют пробел между кэшем на кристалле и твердотельными накопителями с PCI Express, заявляет Micron Technology.

Энергонезависимые DIMM уже в наличии

Micron Technology, Gigatech и Netlist – все заявили о поставках энергонезависимых DIMM, использующих флеш и ультраконденсаторы.

Читайте также:
Micron первой в мире начала производство «фазовой» памяти
Micron покупает долю Intel в производстве флэш-памяти
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
Silterra начинает производство встроенной флэш по 0,18-микронной технологии
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Samsung начал выпуск более быстрой флэш-памяти для смартфонов и планшетов
Твердотельные запоминающие устройства могут потеснить HDD в ближайшие 3–5 лет
Разработана самовосстанавливающаяся флэш-память

Источник: EE Times

Оцените материал:


Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты