Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 16 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

STMicroelectronics совместно с Lab4MEMS создаст новое поколение МЭМС

STMicroelectronics вместе с партнерами начала работы по разработке пилотной линейки нового поколения МЭМС с использованием таких новых технологий, как пьезоэлектрические и магнитные материалы и объемное корпусирование.

Технология embedded CBRAM теперь доступна для демонстрации на 130-нм КМОП-техпроцессе

Altis анонсировала свое новое поколение технологии встроенной CBRAM (eCBRAM). Новая платформа будет доступна для демонстрации во втором квартале 2013 г.

Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм

В начале месяца в Globalfoundries объявили о запуске чипов следующего поколения для мобильных и потребительских приложений, изготавливаемых по 3D-технологии, что стало важным этапом в рамках стратегии развития компании.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 апреля 2013

Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники

Toshiba начала массовое производство карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов в г. Химедзи в префектуре Хиого, ожидая рост спроса на промышленные и автомобильные устройства.

К

арбид-кремниевые силовые компоненты обеспечивают более стабильную работу, чем существующие кремниевые устройства – даже при высоких значениях напряжения и тока – так как они имеют значительно меньше тепловыделение. Они отвечают разнообразным потребностям промышленности в меньших, более эффективных устройствах связи и могут применяться в промышленных устройствах – от серверов до инверторов и от железнодорожного транспорта до автомобильных систем.

Эксперты полагают, что рынок карбид-кремниевых силовых устройств возрастет от сегодняшнего уровня в 10 раз к 2020 г. Toshiba намеревается удержать 30% рынка в 2020 г. благодаря усилению своей линейки продукции, начиная с запуска в производство новых диодов Шоттки.

Toshiba сначала будет производить диоды Шоттки (Schottky Barrier Diodes, SBD). Они могут применяться, в том числе, для регуляторов напряжения в фотоэлектрических системах генерации. Диоды Шоттки также могут заменять кремниевые диоды в импульсных источниках питания, где они на 50% эффективнее.

На рисунке: Линия компромисса. Синяя линия – традиционные диоды Шоттки, красная линия – новые серии. Вертикальная ось – обратный ток (мкА) при напряжении 30 В. Горизонтальная ось – прямое падение напряжения (В) при токе 10мА.

Технические характеристики новых SBD на SiC от Toshiba

Наименование изделия

TRS12E65C

Максимальное повторяющееся
обратное напряжение (VRRM)

650 В

Максимальный прямой ток (IFM)

12 А

Прямое падение напряжения (VF)

макс. 1,7 В при I пр = 12 А

Максимальный повторяющийся
обратный ток (IRRM)

макс. 90 мкА
при U обр = 650 В

Начало серийного производства

март 2013 г.

Масштаб производства

1 млн штук

Читайте также:
Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники
Fairchild покупает поставщика SiC-транзисторов
Диоды Шотки: технология совершенствуется
Новые MOSFET от IR: высокая эффективность и надежность
Toshiba на 30% сократит производство флэш-памяти
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
IMS Research: в 2013 г. спрос на источники питания будет стимулировать рост рынка полупроводников

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты