Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 21 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

X-Fab совершенствует свой «аналоговый» 180-нм техпроцесс и снижает его стоимость

X-Fab модернизировала свой техпроцесс XP018 новыми возможностями для снижения стоимости микросхем для высокопроизводительных аналоговых приложений, таких как аудиоустройства и интерфейсы датчиков.

Rambus получит лицензию на технологию FD-SOI компании ST

Rambus и STMicroelectronics подписали лицензионное соглашение, открывающее для ST доступ к технологиям памяти и интерфейса Rambus, а также доступ для Rambus к техпроцессу FD-SOI компании ST.

Директор Silicon Labs заявляет, что Energy Micro является частью большего плана

Исполнительный директор Silicon Labs Тайсон Таттл (Tyson Tuttle) сообщил, что покупка производителя маломощных микросхем Energy Micro является важным этапом трансформации компании в производителя микросхем широкой номенклатуры.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

21 июня 2013

Toshiba и TSMC сообщают о разработке многоуровневых ячеек памяти ROM

Двухбитные ячейки памяти позволяют сократить время доступа при неизменном количестве ячеек на единицу площади кристалла.

К

омпании Toshiba и TSMC разработали маску памяти MROM (только для чтения), которая имеет большую плотность данных за счёт сохранения нескольких бит в ячейке.

Условно маска ROM формируется пересечением единичного слова и битовых линий и сохраняет одиночный бит в ячейке в зависимости от того, связывает их диод или нет. Однако из-за неустойчивости производственного процесса в передовых технологиях и сужения площади канала транзистора ячейки, при 40-нм техпроцессе время доступа увеличивается по сравнению с предыдущим поколением процессов.

На симпозиуме VLSI Circuits прошедшем, на прошлой неделе в Киото, Япония, Toshiba сообщила, что разработала многобитную ячейку, которая занимает площадь в два раза больше стандартной одноуровневой ячейки.

Статья рассматривает трёхпроводную программируемую ячейку (TWPC), которая состоит из одного транзистора с тремя битовыми линиями и сохраняет два бита данных в ячейке. Toshiba выпустила память по 40-нм процессу в 1-Мбитном тестовом чипе и сообщила, что благодаря использованию TWPC время доступа улучшено на 38%. Потребление энергии в активном режиме и режиме ожидания сохраняется на таком же уровне как у стандартной ячейки. Схема также утраивает действующие характеристики ячейки без каких-либо изменений в ёмкости памяти на единицу площади. Это уменьшает влияние неустойчивости в процессе производства на 42%, сообщила Toshiba.

Основная задача MROM – сохранение загружаемых данных или организация ПЗУ, которые затем, когда оборудование включено, могут загрузить другое программное обеспечение с долговременно хранящей памяти. Однако количество MROM, требуемое для приложений в системах-на-кристалле, увеличивается для таких устройств, как смартфоны и планшетные компьютеры.

Toshiba заявила, что компания нацелена в 2014 г. поставить на рынок системы-на-кристалле для цифровых приложений, которые реализовывают многобитную MROM-ячейку. Однако в статье, следующей за анонсом Toshiba, фаундри-поставщик чипов TSMC сообщил, что создал двухбитную ROM-ячейку по 28-нм процессу. Статья рассматривает двухшаговую схему декодирования, которая подходит для однопроводного или дифференцированного считывания. TSMC сообщила, что их схема, изготовленная по 28-нм нормам маломощного процесса, улучшает время доступа на 30% и питается напряжением меньшим на 190 мВ.

Читайте также:
Toshiba предлагает фаундри-услуги
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Toshiba использует технологии ARM в процессорах распознавания изображений
В I кв. 2013 г. Toshiba, Renesas и Sony вернулись к прибыльности
TSMC внедрит в производство 16-нм FinFET уже к концу 2013 года
TSMCзапланировала «системные 3-D-суперчипы», 5-нм технологию и «чип-мозг» на 2 нм

Источник: EE Times

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты