Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 9 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

TSMC и Apple расширили производственное соглашение на 10-нм техпроцесс

По информации DigiTimes, Apple подписала соглашение с TSMC на FinFET техпроцессы 16 нм и 10 нм, которые заменят 20-нм планарный техпроцесс.

Qualcomm завершает инвестиции в Sharp

Qualcomm стала владельцем 3,5% акций компании Sharp. Samsung также имеет 3,5%-ную долю, приобретённую в марте за 105 млн долл.

Gartner: в 2013 году продажи персональных электронных устройств в мире вырастут почти на 6%

По итогам 2013 года продажи электронных устройств в мире вырастут на 5,9%, при этом поставки компьютеров упадут на 10,6%, а планшетов - вырастут на 67,9%, сообщает исследовательская компания Gartner.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 июля 2013

IMEC уменьшает флеш до технормы менее 20 нм

IMEC удалось объединить в стек материалы HfAlO/Al2O3/HfAlO (алюминат гафния/оксид алюминия/алюминат гафния), в качестве межзатворного диэлектрика в планарной структуре NAND-флеш с гибридным плавающим затвором Si/TiN (кремний/нитрид титана). Это позволит в дальнейшем уменьшить размер ячейки.

О

птимизируя стек материалов с высоким и низким значением диэлектрической проницаемости (high-k/low-k/high-k), можно получить окно программирования/стирания с напряжением до 18 В, а также отличные показатели времени удержания заряда и долговечности. Новый трехслойный диэлектрик между затворами позволяет масштабировать его толщину, что позволит организовать плотно скомпонованные массивы. В результате, ожидается уменьшение NAND-флеш-памяти до технорм менее 20 нм.

При уменьшении ячеек NAND-флеш-памяти до технологической нормы менее 20 нм требуется применение полностью планарной архитектуры, в которой управляющий затвор более не огибает плавающий затвор из-за очень плотной компоновки. Однако в такой планарной структуре окно программирования/стирания сильно уменьшено из-за значительного снижения коэффициента связи между управляющим и плавающим затворами. Это окно может быть частично восстановлено с помощью гибридного плавающего затвора, где металл с высокой рабочей способностью на вершине кремниевого плавающего затвора ограничивает утечку через межзатворный диэлектрик в процессе программирования.

Чтобы еще более увеличить окно программирования, IMEC успешно объединила такой гибридный плавающий затвор (2 нм Si / 5 нм TiN) с трехслойной структурой межзатворного диэлектрика из материалов с высоким и низким значением диэлектрической проницаемости (high-k/low-k/high-k). Такое сочетание материалов дополнительно ограничивает утечку в межзатворном диэлектрике и, в то же время, увеличивает коэффициент связности затворов, допуская дальнейшее масштабирование напряжения. Наилучшие результаты были получены с таким стеком: 10 нм HfAlO – 5 нм Al2O3 – 10 нм HfAlO, с аморфным средним слоем Al2O3. С такой структурой, можно получить окно программирования/стирания до 18 В. Это огромное улучшение получено благодаря одному диэлектрическому слою Al2O3. Также тесты на удержание заряда показывают показывают ничтожную потерю заряда при температурах прокаливания до 125°C.

Ключом к этим результатам являются хорошие морфологические свойства алюмината гафния (HfAlO) и его хорошая стабильность с нитридом титана (TiN). К тому же стек HfAlO/Al2O3/HfAlO может быть уменьшен до размеров 10 нм/5 нм/5 нм с потерей только примерно 1 В в окне программирования и около 2 В в окне стирания, но при этом с увеличением напряжения программирования/стирания на 1 В. Уменьшенный вариант показывает все еще хорошие значения времени удержания и долговечности. Эта масштабируемость толщины важна для дальнейшего уменьшения напряжения программирования, которое требует меньшей эквивалентной толщины оксида в межзатворном диэлектрике. Эти усовершенствования значительно помогут миниатюризации NAND-флеш-памяти на технормах ниже 20 нм.

Читайте также:
Globalfoundries совместно с Imec работает над STT-MRAM
Чипы памяти при нормах ниже 20 нм будут использовать нанотрубки
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
Производители NAND-флеш-памяти ускоряют переход на новый техпроцесс
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC
Разработана самовосстанавливающаяся флэш-память
Краткая история развития устройств памяти
IMEC о топологических нормах менее 15 нм

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты