Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 6 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Экономист: после кризиса рынки живут в мире научной фантастики

После кризиса ситуация на финансовых рынках развивается по сценарию научно-фантастического фильма, считает известный экономист и глава одного из крупнейших инвестфондов мира Мохаммед Эль Эриан. Из-за антикризисных усилий центральных банков стоимость активов теперь определяют не фундаментальные экономические показатели, а заявления финансовых регуляторов.

Microsoft объявила о больших переменах в стратегии: теперь больше электроники

Глава Microsoft Стив Баллмер адаптировал структуру Microsoft для того, чтобы компания стала более инновационной и могла быстрее реагировать на изменяющиеся потребности клиентов.

«Ликономика»: как некомпетентные чиновники губят Китай

Китайские власти поумнели и больше не хотят стимулировать бурный экономический рост, но пока недостаточно компетентны, чтобы без шума и пыли сдуть пузырь в недвижимости и теневом финансовом секторе.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

16 июля 2013

LETI: 450-мм пластины станут необходимостью на технормах менее 7 нм

По мнению французской полупроводниковой исследовательской лаборатории LETI, экономика будет диктовать переход на 450-мм пластины для чипов с технормой менее 7 нм.

И

сполнительный директор LETI Лоран Малье (Laurent Malier) заявил: «Мы полагаем, что экономический фактор не будет существенным до 10 нм, а возможно до 7 нм, а далее будут необходимы пластины размером 450 мм». Он полагает, что в будущем из-за ограничений, накладываемых законами физики, изготовление меньших транзисторов станет сложным, и стоимость масок и литографии станет чрезмерно высокой.

Одно из зданий LETI

Технология FinFET, ставшая победителем среди других технологий благодаря Intel, является только одной из возможностей сделать транзисторы меньше. Другой хорошей возможностью, хотя и менее популярной, чем FinFET, является планарная технология полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI), поддерживаемая LETI, STMicroelectronics, IBM и Global Foundries.

Из двух технологий FinFET сейчас применяется более широко, использует простые кремниевые подложки и имеет большой управляющий ток, а ее стоимость сравнима со сложным 3D-техпроцессом. FD-SOI требует дорогих подложек КнИ (кремний-на-изоляторе), но использует простой планарный техпроцесс и не требует большого управляющего тока. Какой подход окажется наиболее эффективным для каких применений – пока не ясно.

Обе технологии имеют малый размер элементов, и это требует либо многократного экспонирования, для которого необходимо много наборов дорогих масок, либо перехода на литографию жесткого ультрафиолета (EUV), которая будет стоить дорого и показала себя сложной в применении.

Несмотря на это, дорогой и сложный переход на 450-мм пластины может принести снижение стоимости в расчете на один чип – благодаря удвоению количества чипов, произведенных на этапе обработки подложек.

«Стоимость разработки каждой технологии и конструкторской платформы высока. Технология FinFET стала огромным шагом. Стоимость каждого дизайна с ее масками и всем остальным увеличивается, и в то же время, EUV – это очень дорого, – сказал Малье. – Я думаю, что 7 нм будет производиться на 300-мм пластинах. А возможно, одновременно на 300-мм и 450-мм пластинах. По моему мнению, для некоторых приложений, одно из них – беспроводные коммуникации, лишь несколько игроков, таких как Samsung и Qualcomm, смогут позволить себе проектирование, даже если это будет очень дорого».

Что касается других: «Остальные смогут позволить себе техпроцессы 28, 20 и 14 нм – и это будет длительный этап для отрасли. Для Интернета вещей понадобятся наиболее передовые техпроцессы. Для энергоэффективности будет использоваться 28-нм техпроцесс, для снижения затрат – возможно 14-нм процесс, который на больших объемах может иметь невысокую стоимость».

Для техпроцессов, уменьшающихся медленнее, чем по закону Мура, единственным способом поместить больше транзисторов в один корпус, является 3D-интеграция.

«3D будет развиваться все больше и больше: межслойные переходы через кремний, перемычки и МЭМС».

Что касается МЭМС... «Фаундри проявляют к ним интерес. 3D-технологии на больших фабриках сделают доступными некоторые процессы, которые можно будет использовать в МЭМС», – сказал Малье.

Читайте также:
Борьба за 450-мм пластины и литографию жесткого ультрафиолета обещает быть долгой
TSMC снова объявила о планах производства 450-мм пластин
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
TSMC внедрит в производство 16-нм FinFET уже к концу 2013 года
Конференция ISSCC: литография жесткого ультрафиолета — лучший выбор для техпроцесса 10 нм и ниже
IBM пессимистично смотрят на EUV-литографию
TSMC начинает строительство фабрики по производству 450-мм п/п пластин
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты