 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
  Это интересно!Новости Российские учёные совершили прорыв в создании сегнетоэлектрической памяти
РанееЭкономист: после кризиса рынки живут в мире научной фантастикиПосле кризиса ситуация на финансовых рынках развивается по сценарию научно-фантастического фильма, считает известный экономист и глава одного из крупнейших инвестфондов мира Мохаммед Эль Эриан. Из-за антикризисных усилий центральных банков стоимость активов теперь определяют не фундаментальные экономические показатели, а заявления финансовых регуляторов. Microsoft объявила о больших переменах в стратегии: теперь больше электроникиГлава Microsoft Стив Баллмер адаптировал структуру Microsoft для того, чтобы компания стала более инновационной и могла быстрее реагировать на изменяющиеся потребности клиентов. «Ликономика»: как некомпетентные чиновники губят КитайКитайские власти поумнели и больше не хотят стимулировать бурный экономический рост, но пока недостаточно компетентны, чтобы без шума и пыли сдуть пузырь в недвижимости и теневом финансовом секторе. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
16 июля 2013 LETI: 450-мм пластины станут необходимостью на технормах менее 7 нмПо мнению французской полупроводниковой исследовательской лаборатории LETI, экономика будет диктовать переход на 450-мм пластины для чипов с технормой менее 7 нм.И
сполнительный директор LETI Лоран Малье (Laurent Malier) заявил: «Мы полагаем, что экономический фактор не будет существенным до 10 нм, а возможно до 7 нм, а далее будут необходимы пластины размером 450 мм». Он полагает, что в будущем из-за ограничений, накладываемых законами физики, изготовление меньших транзисторов станет сложным, и стоимость масок и литографии станет чрезмерно высокой.
Одно из зданий LETI Технология FinFET, ставшая победителем среди других технологий благодаря Intel, является только одной из возможностей сделать транзисторы меньше. Другой хорошей возможностью, хотя и менее популярной, чем FinFET, является планарная технология полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI), поддерживаемая LETI, STMicroelectronics, IBM и Global Foundries. Из двух технологий FinFET сейчас применяется более широко, использует простые кремниевые подложки и имеет большой управляющий ток, а ее стоимость сравнима со сложным 3D-техпроцессом. FD-SOI требует дорогих подложек КнИ (кремний-на-изоляторе), но использует простой планарный техпроцесс и не требует большого управляющего тока. Какой подход окажется наиболее эффективным для каких применений – пока не ясно. Обе технологии имеют малый размер элементов, и это требует либо многократного экспонирования, для которого необходимо много наборов дорогих масок, либо перехода на литографию жесткого ультрафиолета (EUV), которая будет стоить дорого и показала себя сложной в применении. Несмотря на это, дорогой и сложный переход на 450-мм пластины может принести снижение стоимости в расчете на один чип – благодаря удвоению количества чипов, произведенных на этапе обработки подложек. «Стоимость разработки каждой технологии и конструкторской платформы высока. Технология FinFET стала огромным шагом. Стоимость каждого дизайна с ее масками и всем остальным увеличивается, и в то же время, EUV – это очень дорого, – сказал Малье. – Я думаю, что 7 нм будет производиться на 300-мм пластинах. А возможно, одновременно на 300-мм и 450-мм пластинах. По моему мнению, для некоторых приложений, одно из них – беспроводные коммуникации, лишь несколько игроков, таких как Samsung и Qualcomm, смогут позволить себе проектирование, даже если это будет очень дорого». Что касается других: «Остальные смогут позволить себе техпроцессы 28, 20 и 14 нм – и это будет длительный этап для отрасли. Для Интернета вещей понадобятся наиболее передовые техпроцессы. Для энергоэффективности будет использоваться 28-нм техпроцесс, для снижения затрат – возможно 14-нм процесс, который на больших объемах может иметь невысокую стоимость». Для техпроцессов, уменьшающихся медленнее, чем по закону Мура, единственным способом поместить больше транзисторов в один корпус, является 3D-интеграция. «3D будет развиваться все больше и больше: межслойные переходы через кремний, перемычки и МЭМС». Что касается МЭМС... «Фаундри проявляют к ним интерес. 3D-технологии на больших фабриках сделают доступными некоторые процессы, которые можно будет использовать в МЭМС», – сказал Малье. Читайте также: Источник: Electronics Weekly Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
