 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
  Это интересно!Новости
РанееЗавершилось разделение ST-EricssonST-Ericsson завершила реструктуризацию и передачу бизнеса, активов и сотрудников в компании Ericsson, STMicroelectronics и сторонним покупателям вслед за решением от 18-го марта 2013 г. о сворачивании совместного предприятия. Большие перемены в первой двадцатке полупроводниковых компанийПо данным IC Insights, доходы каждой из компаний Hynix, Qualcomm, MediaTek и TSMC за первую половину 2013 г. превысили 20% по сравнению с показателем прошлого года. Прибыль Micron выросла после приобретения ElpidaПо словам Марка Адамса (Mark Adams), президента компании Micron Technology, ее деятельность впервые стала рентабельной. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
7 августа 2013 Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллахКомпания Samsung сообщила о запуске серийного производства первых в отрасли кристаллов памяти 3D Vertical NAND (V-NAND) с объемной структурой и емкостью 16 Гбайт.К
омпания утверждает, что масштабирование флэш-памяти NAND, которая изготавливается по норме 10 нм на планарной структуре, достигло предела из-за взаимодействия между ячейками. Однако в новых устройствах V-NAND эти ограничения преодолены. ИС памяти 3D V-NAND предназначены для промышленного оборудования, потребительской электроники, в т.ч. для твердотельных накопителей (SSD). Новинки построены на ячейках с вертикальной структурой на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и технологии вертикальных межсоединений для создания объемного массива ячеек. В дальнейшем Samsung станет выпускать ИС памяти 3D V-NAND с повышенной производительностью и плотностью.
Samsung усовершенствовала архитектуру собственной разработки CTF, которая появилась в 2006 г. В этой структуре флэш-памяти NAND электрический заряд временно удерживается с помощью непроводящего слоя из нитрида кремния (SiN). При этом не используется плавающий затвор, чтобы предотвратить взаимодействие между соседними ячейками. Объемный слой CTF позволяет повысить надежность в 2–10 раз и в 2 раза увеличить скорость чтения по сравнению со стандартной 10-нм флэш-памятью NAND с плавающим затвором. Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений в новых ИС памяти стала реализация технологии межсоединений Samsung, благодаря которой обеспечивается вертикальное расположение ячеек в 24 слоях. При этом через специальные отверстия проводник может проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и последнего слоя. Таким образом, значительно повышается плотность хранения данных.
У новых микросхем 3D V-NAND имеются свои ограничения. Samsung считает, что эти ограничения станут критичными к концу текущего десятилетия. Источник: Sammyhub Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателей«Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] «Тесла Групп» возрождает бренды Rover Computers [1] Гигантский космический рекламный дисплей от сколковского стартапа угрожает мировой науке [1] Российская робототехническая отрасль в 500 раз меньше мировой, но не унывает [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
