Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 23 июля
 
 


Это интересно!

Новости

Россиян перестанут сажать за GPS-трекеры и якобы шпионские фотокамеры


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Intel строит фабрику для производства ИС из 450-мм пластин

Возведение первой фабрики Intel по обработке пластин диаметром 450 мм идет «полным ходом», заявил EE Times представитель Intel.

Германский рынок дистрибуции электронных компонентов начинает расти

По мере выхода Еврозоны из состояния рецессии спустя 1,5 года рынок дистрибьюторов компонентов начинает набирать темпы, считают эксперты Германской профессиональной ассоциации дистрибьюторов (FBDi).

Процессоры для мобильных устройств компенсируют слабый спрос на микропроцессоры для ПК

Продажи микропроцессоров на мировом рынке могут достичь в 2013 г. рекордного объема – 61 млрд долл., главным образом, за счет сильного спроса на планшеты и мобильные телефоны с подключением к интернету, считают аналитики IC Insights.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 августа 2013

История о том, как Micron осваивает новую DRAM-память

Нескольким партнерам компании Micron, которые получили от нее первый опытный образец DRAM-памяти объемом 4 Гбайт с интерфейсом на 160 Гбайт/с, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC), пока не удалось соединить кристалл с контроллером.

В

новой трехмерной архитектуре Hybrid Memory Cube слои кристаллов самой памяти чередуются со слоями логических схем, связанных между собой проводниками, которые проходят через сквозные переходные отверстия. Ожидается, что минимизация длины соединений и максимально близкое расположение управляющих логических цепей обеспечат значительные преимущества памяти нового типа перед самыми лучшими образцами современной памяти.

В рамках программы по реализации этой технологии также планируется создать кристаллы следующего поколения – 8-Гбайт память со скоростью обмена данными 320 Гбайт/с и с более высокой эффективностью, чем нынешние опытные образцы.

Работа над созданием памяти с архитектурой HMC началась в 2006 г., когда отраслевые компании стали осваивать технологии многоядерных процессоров и объемной упаковки кристаллов с помощью сквозных переходных отверстий (through-silicon vias, TSV)

По словам Брента Кита (Brent Keeth), научного сотрудника компании Micron и руководителя отдела разработки DRAM, прежде в КМОП-устройствах формирователя видеосигналов плотность размещения сквозных отверстий была невысока. С увеличением числа ядер центральных процессоров возникла настоятельная необходимость в расширении полосы DDR-интерфейсов для преодоления т.н. «стены памяти».

Брент Кит (Brent Keeth), научный сотрудник компании Micron и руководитель отдела разработки DRAM

Чтобы решить эту проблему, одна группа разработчиков Micron под руководством Кита занялась созданием мозаичной структуры DRAM с большим параллелизмом, а вторая группа Micron, возглавляемая Джо Джеддело (Joe Jeddeloh), главным руководителем отдела проектирования логики, приступила к поиску компромиссного решения, обеспечивающего взаимодействие новой структуры памяти с контроллером. В свое время эта группа разработала чипсеты DDR и контроллеры для PCI Express и твердотельных дисков.

В результате совместных усилий Кит и Джеделло выдвинули предложение о создании опытного образца Gen-1 со скоростью обмена данными 128 Гбайт/с. Это предложение было одобрено на встрече представителей группы разработчиков Micron и руководителей отделов DRAM и логических схем с вице-президентов компании Брайаном Ширли (Brian Shirley).

По словам Кита, через день он уже получил разрешение на создание опытного образца памяти, несмотря на бурные дискуссии о возможности реализации этой технологии.

Год спустя компания Micron возглавила одну из нескольких отраслевых встреч, инициированных правительственной организацией США, которая курирует работы по созданию суперкомпьютеров класса Exascale. На этой встрече представители ведущих научно-исследовательских лабораторий, агентств и отраслевые технологи впервые собрались для того, чтобы обсудить планы Micron о создании 3D-кристаллов памяти. И хотя собравшиеся не пришли к единому мнению относительно представленных планов, они доверили компании Micron разработку новой архитектуры.

Источник: EE Times

Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Создана система для 3D-печати электронных схем
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты