История о том, как Micron осваивает новую DRAM-память

Нескольким партнерам компании Micron, которые получили от нее первый опытный образец DRAM-памяти объемом 4 Гбайт с интерфейсом на 160 Гбайт/с, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC), пока не удалось соединить кристалл с контроллером.

В новой трехмерной архитектуре Hybrid Memory Cube слои кристаллов самой памяти чередуются со слоями логических схем, связанных между собой проводниками, которые проходят через сквозные переходные отверстия. Ожидается, что минимизация длины соединений и максимально близкое расположение управляющих логических цепей обеспечат значительные преимущества памяти нового типа перед самыми лучшими образцами современной памяти.

В рамках программы по реализации этой технологии также планируется создать кристаллы следующего поколения – 8-Гбайт память со скоростью обмена данными 320 Гбайт/с и с более высокой эффективностью, чем нынешние опытные образцы.

Работа над созданием памяти с архитектурой HMC началась в 2006 г., когда отраслевые компании стали осваивать технологии многоядерных процессоров и объемной упаковки кристаллов с помощью сквозных переходных отверстий (through-silicon vias, TSV)

По словам Брента Кита (Brent Keeth), научного сотрудника компании Micron и руководителя отдела разработки DRAM, прежде в КМОП-устройствах формирователя видеосигналов плотность размещения сквозных отверстий была невысока. С увеличением числа ядер центральных процессоров возникла настоятельная необходимость в расширении полосы DDR-интерфейсов для преодоления т.н. «стены памяти».

Брент Кит (Brent Keeth), научный сотрудник компании Micron и руководитель отдела разработки DRAM

Чтобы решить эту проблему, одна группа разработчиков Micron под руководством Кита занялась созданием мозаичной структуры DRAM с большим параллелизмом, а вторая группа Micron, возглавляемая Джо Джеддело (Joe Jeddeloh), главным руководителем отдела проектирования логики, приступила к поиску компромиссного решения, обеспечивающего взаимодействие новой структуры памяти с контроллером. В свое время эта группа разработала чипсеты DDR и контроллеры для PCI Express и твердотельных дисков.

В результате совместных усилий Кит и Джеделло выдвинули предложение о создании опытного образца Gen-1 со скоростью обмена данными 128 Гбайт/с. Это предложение было одобрено на встрече представителей группы разработчиков Micron и руководителей отделов DRAM и логических схем с вице-президентов компании Брайаном Ширли (Brian Shirley).

По словам Кита, через день он уже получил разрешение на создание опытного образца памяти, несмотря на бурные дискуссии о возможности реализации этой технологии.

Год спустя компания Micron возглавила одну из нескольких отраслевых встреч, инициированных правительственной организацией США, которая курирует работы по созданию суперкомпьютеров класса Exascale. На этой встрече представители ведущих научно-исследовательских лабораторий, агентств и отраслевые технологи впервые собрались для того, чтобы обсудить планы Micron о создании 3D-кристаллов памяти. И хотя собравшиеся не пришли к единому мнению относительно представленных планов, они доверили компании Micron разработку новой архитектуры.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена