Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 10 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Глава Microsoft уйдет из компании

Частенько, когда рыночная капитализация компании достигает 300 млрд долл., а ее акции вырастают на 8%, с ней происходит что-нибудь необычное…

Миниатюрная система-в-корпусе для электромобилей

Компания Infineon Technologies совместно с 40 европейскими партнерами заявила об успешном завершении крупномасштабного проекта ESiP («Эффективная интеграция микросхем в многокристальную систему-в-корпусе»).

Отказ Apple существенно скажется на фаундри-бизнесе Samsung

Одной из самых обсуждаемых в августе новостей на рынке полупроводников стал прогноз аналитиков IHS о том, что темпы роста фаундри-бизнеса вырастут на 21% после отказа Apple от Samsung как поставщика процессоров. Однако не все так просто.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

26 августа 2013

Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти

Toshiba расширит производство Fab 5, предоставив площадку для изготовления флэш-памяти NAND по технологии следующего поколения, а также для микросхем 3D-памяти. Строительство завершится летом 2014 г.

М

ногоуровневая структура 3D NAND состоит из ячеек памяти, расположенных друг над другом, как в памяти DRAM. Компания Samsung, лидер на рынке NAND-памяти, в этом месяце заявила о том, что уже производит небольшие партии кристаллов NAND с вертикальной структурой.

Micron, третий крупнейший производитель на рынке NAND, также подготавливает серийный выпуск памяти 3D NAND. По словам Глена Хока (Glen Hawk), вице-президента отдела NAND-решений из Micron, прежде чем производство станет эффективным, потребуется освоить упаковку в одном кристалле нескольких десятков слоев, но до сих пор никто не знает их точного числа.

Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент, Micron

Объем первого кристалла 3D NAND-памяти от Samsung с 24-мя слоями составил 128 Гбит.

Преимущество NAND-памяти заключается в том, что ее вертикальная структура исключает необходимость в дальнейшем уменьшении проектной нормы. Например, в вертикальной 3D NAND-памяти первого поколения используется не самая современная технорма.

Хок признается, что за всю его карьеру компания впервые изготавливает кристаллы большего размера, но с лучшими характеристиками и меньшей ценой. У вертикальных NAND-устройств выше надежность и производительность, чем у планарной NAND-памяти.

При проектных нормах меньше 1 мкм ячейки NAND-памяти теряют заряд. Поскольку на одну ячейку памяти, изготовленной по норме ниже 20 нм, приходится несколько десятков электронов, поведение таких запоминающих устройств непредсказуемо. В то же время ячейки вертикальных NAND-структур насчитывают сотни электронов.

Изготовление NAND-памяти с вертикальными слоями не ограничивается методом литографии и расстоянием между элементами и определяется лишь физическими процессами в ячейке.

По словам Хока, в скором времени ожидаются еще два поколения планарных запоминающих NAND-кристаллов, а к концу 2015 г. на рынке появится NAND-память с вертикальной структурой.

В результате перехода от планарной структуры к вертикальной изменится и соответствующее оборудование, в котором станут применяться эти устройства.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Создана система для 3D-печати электронных схем
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты