Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 10 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти

Toshiba расширит производство Fab 5, предоставив площадку для изготовления флэш-памяти NAND по технологии следующего поколения, а также для микросхем 3D-памяти. Строительство завершится летом 2014 г.

Глава Microsoft уйдет из компании

Частенько, когда рыночная капитализация компании достигает 300 млрд долл., а ее акции вырастают на 8%, с ней происходит что-нибудь необычное…

Миниатюрная система-в-корпусе для электромобилей

Компания Infineon Technologies совместно с 40 европейскими партнерами заявила об успешном завершении крупномасштабного проекта ESiP («Эффективная интеграция микросхем в многокристальную систему-в-корпусе»).

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 августа 2013

Физики объяснили, как возникает «магнитная начинка в пустом бутерброде»

Физики из университета Огайо предложили теоретическое объяснение явлению возникновения магнитных свойств на границе двух веществ, которые по отдельности этими свойствами не обладают.

Р

абота опубликована в журнале Nature Physics, а ее краткое содержание можно прочитать на сайте Phys.Org.

Ученые исследовали взаимодействие двух веществ: алюмината лантана (LaAlO3) и титаната стронция (SrTiO3). В обычных условиях оба вещества не проявляют магнитных свойств и не проводят электрический ток. Однако если наложить слой одного вещества на другой, то на границе между ними атомы приобретают магнитный момент и, кроме того, возникают электропроводящие свойства. «Это похоже на то, как если бы между двумя сложенными кусками хлеба сам собой появился джем с маслом», – объяснил суть феномена один из соавторов работы, Мохит Рандериа (Mohit Randeria).

Основываясь на теории молекулярных орбиталей, ученые показали, как именно на границе немагнитных веществ упорядочиваются спины электронов и она неожиданно приобретает магнитные свойства. При этом образуется необычный спиральный узор.

По мнению авторов, это явление можно использовать для создания нового типа электронных устройств, в которых будет задействована граница между двумя оксидами. Теоретически такие устройства будут сочетать вычислительные свойства кремниевого кристалла с возможностями устройств с магнитной записью. Для этого ученым предстоит подтвердить теоретические выводы экспериментально.

По словам Рандериа, использование эффекта электропроводности и магнетизма в одном устройстве позволит интегрировать компьютерную память в блок процессора. На сегодняшний день наиболее изученным способом сочетания обработки и хранения информации в одном электронном компоненте является использование мемристоров – резисторов с эффектом памяти. Например, сети мемристоров могут решать некоторые задачи из теории графов.

Источник: Lenta.ru

Читайте также:
Новая электроника: из цепей мемристоров создадут принципиально новые компьютеры
Ученые предложили принципиальную схему электронного мозга
ARM, Atom и мемристоры — будущее серверов, считают в HP Labs
Исследователи заявили о создании кремниевого мемристора
Мемристору – двести лет
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
Создан первый гибкий мемристор
И снова — шумный спор о мемристорах
Теория мемристора несостоятельна?
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора
Электроника будущего: недорогая, «зеленая», прозрачная

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты