Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 22 сентября
 
 


Это интересно!

Ранее

ARM расширяет сертификацию специалистов по микроконтроллерам

Компания ARM запустила новую программу сертификации "ARM Accredited MCU Engineer” (AAME) для инженеров-программистов встроенных систем на микроконтроллерах, которые хорошо знакомы с процессором ARM Cortex-M.

Spansion лицензирует IP ARM для автомобильных, промышленных и пользовательских встроенных систем

Производитель флеш-памяти компания Spansion Inc. получила лицензии на широкий ряд процессоров ARM для своих существующих и будущих линеек продукции, ориентированных на встроенные приложения на автомобильном, промышленном и потребительском рынках.

Tokyo Electron привнесла в Европу новые комплектующие Inrevium

Компания Tokyo Electron, второй по величине в мире производитель полупроводникового производственного оборудования, вывела на европейский рынок широкий спектр комплектующих под маркой Inrevium.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

20 сентября 2013

TSMC и партнеры экосистемы OIP выпустили маршруты проектирования для 16-нм FinFET и 3D ИС

Компания TSMC в рамках Открытой инновационной платформы (OIP) выпустила три маршрута проектирования, прошедших проверку на реальных кристаллах, для создания дизайнов 16-нм FinFET СнК и 3D стековых устройств.

Л

идирующие производители САПР электроники (EDA) объединили усилия с TSMC, чтобы построить и протестировать эти маршруты проектирования на большом числе контрольных образцов.

Были выпущены следующие маршруты проектирования:

1. Цифровой 16-нм FinFET-маршрут проектирования компании TSMC, обеспечивающий всестороннюю технологическую поддержку для задач пост-планарного проектирования, включая экстракцию, дискретное размещение элементов, работу на низких напряжениях, электромиграцию и управление питанием.

2. Маршрут проектирования для клиентского 16-нм FinFET-дизайна, предлагающий полностью индивидуальный дизайн на транзисторном уровне и верификацию, включая аналоговые дизайны, дизайны смешанных сигналов, заказные цифровые дизайны и память.

3. Маршрут проектирования 3D ИС, направлен на решение задач вертикальной интеграции с полным построением 3D-стека.

"Эти маршруты проектирования предоставляют конструкторам быстрый доступ к 16-нм FinFET-технологии TSMC и открывают дорогу к 3D ИС с технологией TTS (Through-Transistor-Stacking, межтранзисторный стек), - сказал вице-президент по исследованием и разработке TSMC доктор Клифф Хоу (Cliff Hou). - Предоставить наши новейшие кремниевые и производственные технологии нашим клиентам как можно ранее - это основополагающий принцип TSMC и наших партнеров по конструкторской экосистеме OIP".

В качестве тестового образца для сертификации цифрового маршрута проектирования 16-нм FinFET был использован многоядерный процессор ARM Cortex-A15. Маршрут проектирования помогает конструкторам освоить новую технологию благодаря решению связанных с FinFET-структурой задач комплексного 3D RC (резистивно-емкостного) моделирования и дискретной ширины элементов. К тому же, маршрут проектирования предоставляет методики повышения соотношения мощности, производительности и площади (PPA) на 16-нм процессе, включая анализ работы на низких напряжениях, оптимизацию трассировки по сопротивлению для минимизации сопротивления межсоединений, корреляцию анализа трассировки и графического анализа для улучшения временных характеристик в процессе автоматического размещения и трассировки (APR).

Маршрут проектирования для заказного 16FinFET-дизайна позволяет проводить проектирование с учетом возрастающей сложности явлений в 16FinFET-процессе и предоставляет методики для согласования дизайна с 16-нм производственном процессом и обеспечения его надежности.

Техпроцесс 3D ИС обеспечивает значительную миниатюризацию кристалла, преимущества в энергопотреблении и быстродействии, благодаря интеграции множества компонентов в одном устройстве. Маршрут проектирования 3D ИС TSMC направлен на решение перспективных задач интеграции с помощью 3D-стека. Среди его основных функций - технология TTS; технология TSV (сквозных межсоединений через кремний), микровыпуклостей и трассировка металлического слоя на оборотной стороне; соединения TSV-to-TSV.

Читайте также:
TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм
TSMC запланировала «системные 3-D-суперчипы», 5-нм технологию и «чип-мозг» на 2 нм
TSMC выпустили первые тестовые чипы по 16-нм технологии FinFET
ARM с Cadence создала первый 64-битный ЦП Cortex-A57 на 16-нм FinFET-техпроцессе TSMC
TSMC планирует производство V8 ARM по 16-нм FinFET технологии
Группа HSA рассказала о спецификациях для СнК x86 и ARM
Cadence обновила платформу для проектирования 20-нм устройств

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты