Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 6 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Создан гаджет, объединяющий 8 платежных карт

Американский стартап создал гаджет, который позволяет сэкономить место в кошельке и не рисковать утерей банковских карт.

Рынок ТВ рушится второй год подряд. Названа дата начала роста

Эксперты прогнозируют в 2013 году падение рынка телевизоров на 4,8%. Однако в последующие годы аналитики ожидают рост.

Инвестиции в полупроводники ослабевают

Удручающее состояние инвестиционного климата в полупроводниковой отрасли было освещено в докладе Международного полупроводникового альянса (GSA).

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 ноября 2013

ST и Memoir Systems выпускают быструю встраиваемую память по FD-SOI

Вследствие тесного сотрудничества двух компаний, STMicroelectronics сделала возможным применение технологии алгоритмической памяти компании Memoir Systems для встраиваемой памяти в специализированных ИС (ASIC) и системах на кристалле (СнК), производимых STMicroelectronics по технологии полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI).

«

Сама по себе технология FD-SOI позволяет производить специализированные ИС и СнК, работающие быстрее и с меньшим нагревом, чем альтернативные производственные технологии, – заявил Филипп Магаршак (Philippe Magarshack), исполнительный вице-президент конструкторской службы в STMicroelectronics. – Добавляя выдающийся интеллектуальный продукт от Memoir Systems, мы делаем FD-SOI еще более привлекательной и демонстрируем насколько она легка для внедрения».

STMicroelectronics стала первым полупроводниковым производителем, сделавшим доступной чрезвычайно интересную технологию FD-SOI, которая расширяет и упрощает существующую планарную монолитную технологию. Транзистор FD-SOI работает на более высоких частотах, чем аналогичный транзистор, произведенный по монолитной КМОП-технологии, благодаря улучшенным статическим характеристикам и меньшей длине канала. Было замечено, что изделия произведенные по технологии FD-SOI демонстрируют на 30% большее быстродействие и на 30% большую энергоэффективность по сравнению с изделиями произведенными по монолитной технологии.

Читайте также:
Начинающая компания предлагает IP-блоки памяти
FD-SOI привлекла внимание ARM
Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST
Rambus получит лицензию на технологию FD-SOI компании ST
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
FDSOI-транзисторы удалось разогнать до 3 ГГц
SMIC запускает 0,13-микронный техпроцесс LL eFlash
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты