Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 17 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Китайский ВВП в 2014 году превысит 10 трлн долл. – прогноз

В этом году ВВП Китая превысит 10 трлн долл. при сохранении нынешних темпов роста экономики, передает агентство «Синьхуа» со ссылкой на прогнозы экспертов. Таким образом, Китай станет второй после США страной мира, которой удалось пересечь этот пороговый уровень.

Экономика для циников: все еще хуже, чем в 2008 году

Свежая статистика, свидетельствующая о восстановлении мировой экономики, не должна никого успокаивать, считают авторы блога Cyniconomics. Изучив балансы бюджетов развитых стран, очищенные от военных расходов, они пришли к выводу, что мировая экономика еще никогда не находилась в более затруднительном положении.

HSBC: скупайте валюты emerging markets

Крупнейший европейский банк HSBC Holdings Plc, более половина доходов которого приходится на развивающиеся страны, советует покупать валюты emerging markets, курсы которых после бегства инвесторов из этого сегмента опустились до минимума с 2009 г., сообщает агентство Bloomberg.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

11 февраля 2014

Новые инвестиции в технологию для силовых устройств SiC-на-кремнии

Anvil Semiconductors разработала технологию изготовления эпитаксиальных слоев 3C-SiC на кремниевых подложках, которая обещает открыть путь на рынок для массовых карбид-кремниевых устройств.

П

редседателем правления компании Anvil Semiconductors Ltd. из Ковентри (Англия) был назначен Мартин Лэмб (Martin Lamb). Он будет руководить программой организации производства для новой технологии, обещающей открыть массовые рынки силовых устройств для карбида кремния (SiC).

В прошлом году компания Anvil Semiconductors, которая выделилась из Университета Уорвика (Warwick University), получила 1 млн фунтов стерлингов на разработку и внедрение в производство технологии карбида кремния на кремнии (SiC-on-silicon) для силовых устройств, созданной этой британской компанией.

Под руководством одного из основателей д-ра Питера Уорда (Peter Ward), компания Anvil, победившая в категории «Инновации в силовой электронике» конкурса NMI Electronic Systems Awards 2013 г., разработала технологию изготовления эпитаксиальных слоев 3C-SiC на кремниевых подложках, которая обещает резкое снижение стоимости производства силовых коммутаторов. В случае успеха технология может открыть путь на рынок для массовых карбид-кремниевых устройств.

Компания Anvil утверждает, что инновационная эпитаксиальная технология карбида кремния на кремнии позволит создавать устройства с параметрами карбида кремния и стоимостью близкой к стоимости кремниевых устройств.

Ранее Мартин Лэмб уже занимал руководящие должности, включая должность управляющего директора Wafer Technology Ltd и члена правления IQE plc. Он имеет более чем 25-летний опыт работы в индустрии сложных полупроводниковых материалов и был активным ангел-инвестором, участвовавшим в правлении нескольких компаний, многие из которых ищут возможности внедрения новых технологий, связанных с производством или обработкой материалов.

«Anvil имеет несколько очень интересных технологий, которые могут «подорвать» многие рынки», – прокомментировал Лэмб.

Размещение ценных бумаг было проведено частично финансируемым ЕС фондом содействия низкоуглеродной экономике Low Carbon Innovation Fund (LCIF), в котором были задействованы группа ангел-инвесторов Ntensive, Cambridge Capital Group, несколько частных ангел-инвесторов и прежние инвесторы Midven и Minerva Business Angels.

Читайте также:
Создана установка для массового производства карбида кремния
Уже 30 компаний начали использовать карбид кремния
Скоро в электромобилях будут использовать устройства на основе нитрида галлия и карбида кремния
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
IMS Research: в ближайшие 5 лет рынок дискретной силовой электроники вырастет в 4 раза
Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники
Fairchild покупает поставщика SiC-транзисторов
Карбид-кремниевый MOSFET бросает вызов IGBT

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты