Samsung начинает серийный выпуск 20-нм чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит

На сегодняшний день технормы 20 нм – самые маленькие среди освоенных в серийном производстве памяти типа DRAM. Уменьшение такой памяти, каждая ячейка которой содержит транзистор и конденсатор, дается сложнее по сравнению с флэш-памятью типа NAND, в ячейке которой конденсатора нет. Для освоения более тонких норм техпроцесса в производстве памяти DRAM специалисты Samsung разработали модифицированную технологию экспонирования с двойным шаблоном и с формированием атомарного слоя.

По словам производителя, эта технологию можно считать важной технологической вехой, так как она позволяет выпускать 20-нм память DDR3 с применением существующего оборудования для фотолитографии и при этом создает задел для технологии производства памяти DRAM следующего поколения по технормам 10 нм.

Помимо этого, в Samsung научились формировать сверхтонкие и беспрецедентно равномерные диэлектрические слои конденсаторов, благодаря чему были улучшены характеристики ячеек памяти.

Переход к технологическим нормам 20 нм при производстве памяти DDR3 DRAM дает возможность более чем на 30% увеличить объемы производства по сравнению с памятью, выпускаемой по нормам 25 нм, и более чем вдвое по сравнению с памятью, соответствующей нормам 30 нм.

Модули DDR3, в которых применены новые чипы, выигрывают по энергопотреблению до 25% у модулей такого же объема, в которых применены чипы предыдущего поколения, созданные по технормам 25 нм.

Читайте также:
Samsung начинает серийное производство оперативной памяти DDR4
Samsung и Hynix продолжают лидировать на DRAM-рынке
Корейские производители DRAM переходят на 20-нм техпроцесс
Доля DRAM-памяти для сегмента ПК впервые за 30 лет стала меньше 50%
Слияние Micron и Elpida изменит соотношение сил на рынке DRAM
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах

Источник: Samsung Electronics