ASE и Inotera создадут СП по выпуску 3D-чипов


Переговоры компаний ASE и Inotera о создании СП по выпуску 3D-микросхем велись на протяжении года, и перешли в финальную стадию.

Компания Samsung летом 2013 г. доказала, что создание фактически монолитных полупроводниковых 3D-структур – вполне выполнимая задача. Компания первой в индустрии начала выпуск серийной флэш-памяти 3D NAND. Но переход к 3D-структурам возможен не только в случае создания флэш-памяти. Поскольку дальнейшее снижение масштаба техпроцесса за разумные деньги представляется проблематичным, разработчики задумываются о переводе на вертикальные структуры и прочих полупроводников – процессоров, контроллеров, FPGA-матриц и др.

Неотъемлемая часть вертикальных полупроводниковых структур – это так называемые TSVs-соединения (through-silicon via), то есть достаточно тонкие межкристальные каналы с металлизацией. В идеале толщина такого канала стремится к размеру элемента, тогда как вертикальные соединения типа «Манхэттен», давно реализуемые на практике, имеют каналы диаметром от сотен нанометров до нескольких сотен микрометров.

К примеру, компания TSMC на данный момент освоила 2,5D-упаковку, что предполагает использование TSVs-каналов для связи кристаллов с общей подложкой. Полноценная 3D-технология  появится в том случае, если при помощи TSVs-соединений можно будет связать от двух и более кристаллов в стеке. Такие решения планируют выпускать на контрактной основе компании ASE и Inotera. В течение года оба производителя ведут переговоры о создании специализированного СП. По сообщению сайта DigiTimes, переговоры, наконец, перешли в финальную стадию. Если они завершатся успешно, партнеры смогут выпускать до 10 тыс. 3D-чипов ежемесячно. Это будет мобильная DRAM-память и прикладные процессоры (SoC). Напомним, компания ASE – одно из крупных предприятий по упаковке и тестированию чипов, а компания Inotera специализируется на выпуске DRAM-памяти.

Читайте также:
Термокомпрессионные соединения: метод соединений 3D-стеков с малым шагом от IMEC
Рынок 3D ИС растет в среднем на 18% за год
Qualcomm оценивает 3D-технологию производства чипов от Leti: это не TSV
SK Hynix покупает лицензию BeSang на 3D ИС
Китайская SMIC откликается на взлет рынка 3D ИС
Xilinx и TSMC начали серийное производство 28-нм 3D ИС
ASE и SPIL разрабатывают подложки для дешевых микросхем

Источник: Digitimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *