В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC

Благодаря применению нового техпроцесса Toshiba создала чип наименьшего размера в своем классе, улучшив при этом скоростные показатели.

Существует мнение, что технологический предел для выгодного с экономических позиций выпуска флеш-памяти NAND-типа – 15 (16) нм. Дальнейшее развитие флеш-памяти связывают с созданием многослойной архитектуры, чем уже занялась компания Samsung, представившая т.н. 3D V-NAND-память. Компания Micron приступила к выпуску 16-нм планарной NAND-флеш MLC летом 2013 г., пообещав выпустить память с трехбитовой ячейкой – 16-нм NAND TLC – в 4 кв. 2014 г. Теперь Toshiba побила рекорд своего конкурента: согласно официальной информации, компания в конце апреля приступит к массовому производству NAND-флеш MLC памяти плотностью 128 Гбит по технормам 15 нм, и собирается до июня текущего года начать производство 15-нм NAND TLC.

Благодаря применению нового техпроцесса Toshiba смогла создать чип наименьшего размера в классе. Скоростные показатели 15-нм флеш-памяти стали лучше по сравнению со вторым поколением 19-нм памяти: скорость записи осталась прежней, а скорость обмена увеличилась до 533 Мбит/с, т.е. в 1,3 раза.

Параллельно Toshiba занимается созданием контроллеров флеш-памяти для использования во встраиваемых решениях, в смартфонах, а также в SSD для ноутбуков и ПК. Компания подчеркивает, что, по ее мнению, у памяти с трехбитовой ячейкой существуют большие перспективы для использования в ПК и смартфонах. Производить 15-нм флеш-память будет завод Fab 5, расположенный в Йоккаичи на юго-востоке Японии, где в настоящее время готовится к вводу в строй еще одна очередь этого производства.

Источник: Toshiba

Оставьте отзывОтмена