Азиатское СМИ рассекретило планы Intel по выпуску первых на рынке SSD на базе фазовой памяти. Устройства будут доступны и для потребителей, и для корпоративных клиентов. Их производство компания собирается начать в конце 2016 г. В Intel утверждают, что новая память в 1 тыс. раз быстрее и выносливее современной NAND-памяти.
Intel собирается приступить к производству SSD под новым товарным знаком Optane в IV квартале 2016 г. Устройства будут работать по протоколу NVMe и предназначены для подключения к шине PCI Express 3 с четырьмя линиями, сообщает тайваньский сайт benchlife.info, в распоряжении которого оказалась внутренняя презентация компании.
Устройства будут предназначены как для потребительского, так и для корпоративного рынка. Первые будут носить кодовое имя Mansion Beach, вторые — Stony Beach.
Ориентировочно в I квартале 2017 г. Intel планирует выпустить накопители Brighton Beach с поддержкой PCI Express 3 с двумя. линиями. А не ранее, чем в середине 2017 г., — обновить Mansion Beach и представить новое поколение накопителей Optane для корпоративного рынка под кодовым именем Carson Beach. Устройства Carson Beach планируется выполнять в форм-факторе BGA, в дополнение к M.2.
В каком форм-факторе будут потребительские устройства, в презентации не уточняется.
Память 3D XPoint
Накопители Optane базируются на технологии памяти 3D XPoint, анонсированной Intel совместно с Micron Technology в июле 2015 г. Партнеры утверждают, что 3D XPoint обладает в 1 тыс. раз более высокой скоростью работы и во сколько же раз более высокой выносливостью по сравнению с флэш-памятью типа NAND, повсеместно используемой в современной электронике, и в 10 раз большей плотностью по сравнению с современной компьютерной памятью.
Вместо использования транзисторов, как в NAND-памяти, в памяти 3D XPoint применяются ячейки из материала, который меняет свои физические свойства при прохождении через него электрического тока. Такая память еще называется фазовой памятью. Она энергонезависимая, как и флэш-память, но при этом быстрее NAND-памяти и дешевле в производстве, чем DRAM-память, которая используется в ОЗУ.
Впервые технология фазовой памяти была описана одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в 1970 г. в журнале Electronics. В 2008 г. корпорация выпустила тестовые образцы устройств хранения информации на основе новой технологии.
Прорыв IBM
Фазовая память интересует множество компаний. В мае 2016 г. инженеры IBM впервые создали образец памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, в котором ячейка способна хранить не один, а целых три бита информации. В корпорации это событие назвали прорывом, так как увеличение количества информации в одной ячейке фазовой памяти поможет существенно снизить ее стоимость и быстрее начать коммерческий выпуск.
Источник: CNews