Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 23 сентября
 
 


Это интересно!

Ранее

Micron откладывает покупку компании Inotera Memories на фоне обвала рынка памяти

Причиной этому, видимо, послужило обрушение рынка DRAM за последний квартал.

Прогноз развития рынка дронов: $26 млрд в 2025 году

Перспективы удалённо пилотируемых воздушных аппаратов (RPAS) – «взлететь до небес» в следующие десять лет, в соответствии с последним исследованием Euroconsult. Доклад прогнозирует рост с $1 млрд в 2015-м до $26 млрд в 2025-м.

В Intel не боятся конкуренции ни со стороны GPGPU NVIDIA, ни со стороны ARM

Вероятный претендент на пост президента компании Intel Даяна Браянт (Diane Bryant) дала интервью компании IDC и японскому информагентству Nikkei.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

15 июня 2016

Intel выпускает память в 1000 раз быстрее и долговечнее флэш

Азиатское СМИ рассекретило планы Intel по выпуску первых на рынке SSD на базе фазовой памяти. Устройства будут доступны и для потребителей, и для корпоративных клиентов. Их производство компания собирается начать в конце 2016 г. В Intel утверждают, что новая память в 1 тыс. раз быстрее и выносливее современной NAND-памяти.

I

ntel собирается приступить к производству SSD под новым товарным знаком Optane в IV квартале 2016 г. Устройства будут работать по протоколу NVMe и предназначены для подключения к шине PCI Express 3 с четырьмя линиями, сообщает тайваньский сайт benchlife.info, в распоряжении которого оказалась внутренняя презентация компании.

Устройства будут предназначены как для потребительского, так и для корпоративного рынка. Первые будут носить кодовое имя Mansion Beach, вторые — Stony Beach.

Ориентировочно в I квартале 2017 г. Intel планирует выпустить накопители Brighton Beach с поддержкой PCI Express 3 с двумя. линиями. А не ранее, чем в середине 2017 г., — обновить Mansion Beach и представить новое поколение накопителей Optane для корпоративного рынка под кодовым именем Carson Beach. Устройства Carson Beach планируется выполнять в форм-факторе BGA, в дополнение к M.2.

В каком форм-факторе будут потребительские устройства, в презентации не уточняется.

Память 3D XPoint

Накопители Optane базируются на технологии памяти 3D XPoint, анонсированной Intel совместно с Micron Technology в июле 2015 г. Партнеры утверждают, что 3D XPoint обладает в 1 тыс. раз более высокой скоростью работы и во сколько же раз более высокой выносливостью по сравнению с флэш-памятью типа NAND, повсеместно используемой в современной электронике, и в 10 раз большей плотностью по сравнению с современной компьютерной памятью.

Вместо использования транзисторов, как в NAND-памяти, в памяти 3D XPoint применяются ячейки из материала, который меняет свои физические свойства при прохождении через него электрического тока. Такая память еще называется фазовой памятью. Она энергонезависимая, как и флэш-память, но при этом быстрее NAND-памяти и дешевле в производстве, чем DRAM-память, которая используется в ОЗУ.

Впервые технология фазовой памяти была описана одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в 1970 г. в журнале Electronics. В 2008 г. корпорация выпустила тестовые образцы устройств хранения информации на основе новой технологии.

Прорыв IBM

Фазовая память интересует множество компаний. В мае 2016 г. инженеры IBM впервые создали образец памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, в котором ячейка способна хранить не один, а целых три бита информации. В корпорации это событие назвали прорывом, так как увеличение количества информации в одной ячейке фазовой памяти поможет существенно снизить ее стоимость и быстрее начать коммерческий выпуск.

Источник: CNews

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты