Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 11 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Президент ZTE: Интернет вещей - флагман четвертой промышленной революции

Президент корпорации ZTE г-н Чжао Сяньмин, PhD, выступил с докладом на Азиатском мобильном конгрессе в Шанхае и поделился видением корпорации ZTE о том, как интернет вещей приведет к Четвертой промышленной революции и полностью изменит жизнь общества.

К 2030 г. в промышленный Интернет вещей вложат 60 трлн долларов

81% руководителей промышленных компаний считает, что использование Интернета вещей станет обязательным условием успешного бизнеса. Суммарный объем вложений в эту сферу к 2030 г. достигнет $60 трлн, при этом стоимость промышленных активов, подключенных к Интернету, составит более чем $50 млрд.

Gartner: Мировой рынок ИТ впадает в полную стагнацию

По прогнозу экспертов, в 2016 г. на мировом рынке ИТ не будет роста. Тем не менее, этот прогноз лучше, чем предыдущий, когда ожидалось незначительное сокращение расходов.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

12 июля 2016

IBM и Samsung продемонстрировали 11-нм память MRAM

Одной из первых энергонезависимую память типа MRAM (магниторезистивную память с произвольным доступом) начала разрабатывать компания IBM. Проект вырос 20 лет назад из изучения компанией тонкоплёночных структур во время разработки жёстких дисков и магнитных головок. Первым партнёром IBM в разработке MRAM была компания Motorola. Потом к вопросу разработки подключались компании Infineon, TDK, Toshiba и Micron.

В

се перечисленные выше компании и ряд других лидеров полупроводниковой отрасли после работы с IBM инициировали собственные проекты по разработке памяти MRAM. Тем не менее, коммерческий выпуск магниторезистивной памяти всё ещё сопровождают трудности, главная из которых — это низкая плотность записи. Но на днях, в ознаменование 20-летнего юбилея работы над MRAM, компания IBM доложила о завершении разработки нового варианта ячейки магниторезистивной памяти и о движении в сторону коммерческой реализации проекта.

Новый тип MRAM ячейки создан инженерами IBM в содружестве с инженерами Samsung. Партнёры смогли реализовать набирающий моду принцип вертикальной ориентации ячеек. Управляющий транзистор и ячейка MRAM вытянуты ввысь, а не размазаны по площади кристалла. Судя по всему, нас может ждать многослойная структура MRAM нового поколения. Также партнёры создали ячейку на основе эффекта записи с помощью переноса спина электрона, что существенно снижает потребление во время записи данных — это так называемая память STT MRAM (spin-transfer torque MRAM). Особенно в разработке STT MRAM преуспела компания Toshiba.

Сообщается, что в массовое производство память STT MRAM разработки IBM и Samsung поступит через три года. Данный вид памяти имеет почти неограниченный ресурс устойчивости к износу и наиболее эффективно может использоваться в качестве встроенной памяти, например — вместо SRAM в качестве кэш-памяти процессоров. Это ведёт к появлению интересных режимов работы устройств. По быстродействию STT MRAM приближается к памяти типа DRAM — время доступа опытных чипов примерно равно 10 нс. Что касается потребления, то во время записи токи находятся на уровне единиц микроампер. Для коммерческой реализации проекта, если верить IBM, остались несущественные инженерные доработки и оптимизация используемого сырья.

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты