По мнению специалистов, начало производства 64-слойной флэш-памяти 3D NAND станет последним гвоздём в крышку гроба планарной флэш-памяти NAND-типа.
По сообщению южнокорейских источников, компания Toshiba может первой начать производство самой совершенной на данном этапе 64-слойной флэш-памяти 3D NAND. Произойдёт это в течение третьего квартала, тогда как компания Samsung, которая начала выпуск 3D NAND на два с половиной года раньше Toshiba, 64-слойную память начнёт выпускать на квартал позже. Сегодня обе компании выпускают 48-слойную флэш-память 3D NAND. Компания Samsung дольше и в большем объёме, а Toshiba лишь несколько месяцев и в небольших объёмах.
По мнению специалистов, начало производства 64-слойной флэш-памяти 3D NAND станет последним гвоздём в крышку гроба планарной флэш-памяти NAND-типа. В Toshiba планируют быстро наращивать выпуск 3D NAND, обещая довести её долю в потоке продукции до 50 % в следующем году и до 80 % в 2018 году.
Следующим важным рубежом обещает стать выпуск 100-слойной памяти, о чём мечтает каждая из компаний. Ёмкость одного 100-слойного чипа будет составлять 1 Тбит. Но на этот счёт пока вразумительных планов нет. Зато в Toshiba знают, чем займутся после покорения 100-слойного рубежа. Согласно планам японского производителя, на этом этапе он займётся выпуском энергонезависимой памяти типа ReRAM.