Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 15 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

В IC Insights уверены, что Intel и Qualcomm потратили в 2016 году на НИОКР больше всех в отрасли

Специалисты аналитической компании IC Insights подсчитали средства, выделенные производителями полупроводниковой продукции в прошлом году на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР).

Билл Гейтс предложил обложить налогами труд роботов

Основатель Microsoft предложил замедлить скорость автоматизации и замещения человеческого труда роботами с помощью налоговой политики. По его мысли, труд роботов нужно обложить подоходным налогом и социальными выплатами.

Рынок контрактного производства ноутбуков стагнирует и консолидируется

Третий по величине контрактный производитель ноутбуков не верит в их будущее. В прошлом году рынок ноутбуков сократился на 5%.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

20 февраля 2017

Китайские производители полупроводников хотят освоить технологию FD-SOI

К этому их побуждает высокая конкуренция в сегменте FinFET, где работают такие гиганты как Intel, Samsung и TSMC.

П

о данным представителей отрасли, на которых ссылается источник, китайские производители полупроводниковой продукции, включая компанию Huali Microelectronics (HLMC), планируют освоить технологию FD-SOI. К этому их побуждает высокая конкуренция в сегменте FinFET, где работают такие гиганты как Intel, Samsung и TSMC.

Не отказываясь от использования FinFET на этапах 28 и 14 нм, компания HLMC рассматривает в качестве более экономичной альтернативы возможность освоения FD-SOI на фабрике, рассчитанной на 300-миллиметровые пластины.

Будучи более доступной по стоимости, эта технология может привлечь китайских разработчиков микросхем для IoT, не располагающих собственными мощностями. Основным контрактным производителем, предлагающим FD-SOI, является Globalfoundries.

В 2015 году компания Globalfoundries представила первую в отрасли 22-нанометровую технологическую платформу FD-SOI — 22FDX. Как утверждается, платформа 22FDX обеспечивает уровни производительности и энергопотребления, близкие к FinFET, при стоимости, сравнимой с 28-нанометровыми планарными технологиями. В приложениях, где нет острой необходимости в предельной производительности транзисторов FinFET, 22FDX обеспечивает выигрыш в стоимости и энергопотреблении.

В прошлом году компания Globalfoundries представила 12-нанометровую технологическую платформу FD-SOI, а на прошлой неделе стало известно, что Globalfoundries расширяется, инвестируя в производства, расположенные в четырех странах. В частности, в Китае компания Globalfoundries собирается построить фабрику, рассчитанную на 300-миллиметровые пластины, на которой будет использоваться техпроцесс 22FDX. Выпуск продукции предприятие должно начать в 2018 году.

Источник: Digitimes

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты