Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 12 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Продажи DRAM и NAND вывели полупроводниковый рынок в плюс

Аналитики IHS Markit утверждают, что мировой полупроводниковый рынок в 2016 году продемонстрировал признаки восстановления после падения в 2015.

Американцы предложили за полупроводниковое производство Toshiba почти 18 млрд долларов

По сообщению источника, ссылающегося на издание Nikkei, американская инвестиционная компания Silver Lake Partners и американский производитель полупроводниковых микросхем Broadcom предложили компании Toshiba 17,9 млрд долларов за ее полупроводниковое производство.

Toshiba подала заявление о банкротстве Westinghouse Electric

Как известно, компания Toshiba сейчас находится в крайне сложном финансовом положении. Из-за проблем с ядерным бизнесом японскому гиганту приходится продавать большую часть полупроводникового.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

3 апреля 2017

Intel призывает покончить с дутыми нанометрами

В ходе недавнего мероприятия 2017 Manufacturing Day компания Intel устами Марка Бора (Mark Bohr), старшего заслуженного исследователя и директора по архитектурам процессов и интеграции Intel, предложила отрасли внести ясность в определение технологических норм.

Р

анее переход на каждый следующий шаг приводил к удвоению степени интеграции или плотности компоновки: на той же площади кристалла помещалось вдвое больше транзисторов. Например, так было при переходе от 90 нм к 64 нм, а затем — к 45 нм и 32 нм. Однако в последнее время — по мнению Бора, это связано с ростом сложности дальнейшего уменьшения размеров — некоторые компании отказались от этого правила, используя все меньшие числа для обозначения норм при минимальном, а то и вовсе отсутствующем повышении плотности компоновки. В результате декларируемые значения не дают представления о реальных возможностях техпроцесса и его положении на графике, соответствующем закону Мура.

Чтобы внести ясность, Intel предлагает определять возможности техпроцесса по формуле, в которую входят размеры типовых блоков — простейшей ячейки NAND и более сложного триггера — и число транзисторов в них. Относительная распространенность простых и более сложных элементов отражена в весовых коэффициентах.

Если каждый производитель будет публиковать значение, полученное по этой формуле для того или иного техпроцесса, появится возможность сравнивать между собой разные техпроцессы одного производителя и разных производителей. Компании, занимающиеся обратным инжинирингом, смогут легко проверять заявленные значения.

Еще одним распространенным строительным блоком для микросхем являются ячейки SRAM. Их наличие может заметно влиять на степень интеграции, определяемую как общее число транзисторов на единицу площади кристалла. Учитывая, что в разных микросхемах соотношение количества ячеек SRAM и логических блоков существенно отличается, размеры ячеек SRAM предлагается сообщать отдельно.

Источник: Intel

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты