Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 24 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Экс-вице-президент отдела проектирования Qualcomm будет работать над однокристальными системами в Apple

Как стало известно, компания Apple наняла Эсина Терзиоглу (Esin Terzioglu), который последние восемь лет работал в Qualcomm на должности вице-президента отдела проектирования.

Акции Samsung SDI выросли до годового максимума

Производитель аккумуляторных батарей компания Samsung SDI сегодня зафиксировала рекордную в этом году цену за акцию, которая составила 148,5 доллара.

Samsung рассматривает возможность расширения полупроводникового производства в Китае

Компания Samsung Electronics сегодня сообщила, что рассматривает возможность расширения производства микросхем памяти, расположенного в Китае. Намерения южнокорейского производителя продиктованы растущим спросом на эту продукцию.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

31 мая 2017

SK Hynix и Micron пытаются догнать Samsung в технологиях производства DRAM

Компании SK Hynix и Micron, занимающие соответственно второе и третье места в мировом рейтинге производителей микросхем памяти DRAM, пытаются догнать в технологическом отношении компанию Samsung.

К

омпании SK Hynix и Micron, занимающие соответственно второе и третье места в мировом рейтинге производителей микросхем памяти DRAM, пытаются догнать в технологическом отношении компанию Samsung.

Компания SK Hynix, работая над увеличением процента выхода годной продукции по нормам 21 нм, одновременно готовит к серийному производству 18-нанометровый техпроцесс. Во втором полугодии должен начаться выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM для компьютеров, а позже — и для мобильных устройств.

Компания Micron, начавшая выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM в прошлом квартале, намерена в течение ближайших двух-трех лет инвестировать 2 млрд долларов в исследования, направленные на разработку 13-нанометрового техпроцесса для выпуска памяти DRAM. Определенные шаги, включая расширение «чистой комнаты» на японском предприятии и закупку передового оборудования, уже сделаны. По имеющимся оценкам, переход с норм 18 нм на нормы 13 нм повысит производительность линий более чем на 20%.

Что касается компании Samsung Electronics, она начала выпуск 18-нанометровой памяти DRAM еще в марте прошлого года. Во второй половине текущего года Samsung собирается начать серийный выпуск 15-нанометровой памяти DRAM. По словам источника, Samsung опережает конкурентов на один-два года.

Источник: CDRinfo

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты