Вблизи города Йоккаити в префектуре Миэ компания Toshiba строит новый завод по выпуску памяти 3D NAND.
Строительство запланировано в два этапа. Первая очередь корпусов начала строиться в феврале 2017 года. В августе компания начала закупать для линий первой очереди и для оборудования чистой комнаты первое промышленное оборудование. Тогда же компания объявила о начале строительства корпусов второй очереди.
Свежим пресс-релизом Toshiba сообщает, что совет директоров утвердил размеры первого транша на закупку оборудования для чистой комнаты второй очереди. За сумму в 27 млрд иен (примерно $250 млн) будет закуплено и установлено оборудование для кондиционирования воздуха и другие промышленные установки первой необходимости. Ожидается, что линии первой очереди начнут выпускать продукцию ближе к середине текущего года, а второй — в конце года. Согласно планам, это должна быть 96-слойная память 3D NAND в виде 256-Гбит, 512-Гбит или 768-Гбит кристаллов. В последнем случае речь идёт о ячейке с записью четырёх бит данных, тогда как в первых двух случаях речь о ячейке TLC.