Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 18 января
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Умные часы Apple Watch первого поколения остаются самой популярной моделью

Рынок умных умных часов продолжает стремительно расти, о чем мы уже сообщали, опираясь на свежий отчет аналитической компании Counterpoint.

Доля AMD на мобильном рынке процессоров за год выросла на 60%, а в целом — на 41%

Специалисты источника, ссылаясь на данные аналитиков Mercury Research поделились статистикой на рынке процессоров по итогам третьего квартала.

IDC: рынок планшетов за год сократился на 8,6%

В минувшем квартале по всему миру было отгружено 36,4 млн планшетов. Это на 8,6% меньше, чем в третьем квартале 2017 года. К такому выводу пришли специалисты аналитической компании IDC, подготовившие соответствующий отчет.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

7 ноября 2018

SK Hynix выпускает «первую в мире флэш-память 4D NAND»

В 96-слойной микросхеме TLC плотностью 512 Гбит используется технология памяти с ловушкой заряда.

К

омпания SK Hynix выпустила, по ее данным, первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим определением производитель подразумевает 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла — 512 Гбит.

Название 4D NAND отражает использование в дополнение к вертикальной интеграции ячеек памяти, то есть их многослойной компоновке, размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что SK Hynix — не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. Достижение заключается в объединении CTF и PUC в одном изделии.

Вместе с увеличением слоев ячеек это позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине — на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности. Кроме того, скорость записи удалось повысить на 30%, чтения — на 25%, а пропускную способность линий ввода-вывода довести до 1200 Мбит/с (в расчете на линию) при напряжении питания 1,2 В.

Серийный выпуск новой памяти начнется до конца года. В этот же срок SK Hynix рассчитывает представить SSD объемом 1ТБ, в котором будут использоваться контроллер и встроенное ПО собственной разработки.

Источник: SK Hynix, Techpowerup

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты