Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 18 ноября
 
 

Это интересно!

Ранее

Умные часы Apple Watch первого поколения остаются самой популярной моделью

Рынок умных умных часов продолжает стремительно расти, о чем мы уже сообщали, опираясь на свежий отчет аналитической компании Counterpoint.

Доля AMD на мобильном рынке процессоров за год выросла на 60%, а в целом — на 41%

Специалисты источника, ссылаясь на данные аналитиков Mercury Research поделились статистикой на рынке процессоров по итогам третьего квартала.

IDC: рынок планшетов за год сократился на 8,6%

В минувшем квартале по всему миру было отгружено 36,4 млн планшетов. Это на 8,6% меньше, чем в третьем квартале 2017 года. К такому выводу пришли специалисты аналитической компании IDC, подготовившие соответствующий отчет.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

7 ноября 2018

SK Hynix выпускает «первую в мире флэш-память 4D NAND»

В 96-слойной микросхеме TLC плотностью 512 Гбит используется технология памяти с ловушкой заряда.

К

омпания SK Hynix выпустила, по ее данным, первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим определением производитель подразумевает 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла — 512 Гбит.

Название 4D NAND отражает использование в дополнение к вертикальной интеграции ячеек памяти, то есть их многослойной компоновке, размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что SK Hynix — не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. Достижение заключается в объединении CTF и PUC в одном изделии.

Вместе с увеличением слоев ячеек это позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине — на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности. Кроме того, скорость записи удалось повысить на 30%, чтения — на 25%, а пропускную способность линий ввода-вывода довести до 1200 Мбит/с (в расчете на линию) при напряжении питания 1,2 В.

Серийный выпуск новой памяти начнется до конца года. В этот же срок SK Hynix рассчитывает представить SSD объемом 1ТБ, в котором будут использоваться контроллер и встроенное ПО собственной разработки.

Источник: SK Hynix, Techpowerup

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты