Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 июля
 
 


Это интересно!

Новости

Россиян перестанут сажать за GPS-трекеры и якобы шпионские фотокамеры


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Пока только Huawei способна выпускать двухрежимный 5G-смартфон

Huawei официально объявила, что Huawei Mate 20 X 5G стал первым коммерческим 5G-смартфоном в Китае, который получил соответствующую лицензию на выход.

Google потеряет 700-800 миллионов пользователей, если Huawei откажется от Android в пользу HongMeng OS

Выпуск операционной системы HongMeng OS или Oak OS запланирован на конец сентября или начало октября.

Huawei вложила в 5G более 40 миллиардов долларов

Компания получила 2570 соответствующих патентов и мировую рыночную долю более 20%.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

28 июня 2019

SK Hynix первой в мире начала выпуск 128-слойной флеш-памяти 4D NAND

Компания SK Hynix объявила о начале серийного выпуска первых в мире кристаллов 128-слойной флеш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит.

Т

акой кристалл представляет собой наиболее сложное изделие в своем роде: он насчитывает более 360 миллиардов ячеек, каждая из которых хранит три бита.

Производитель отмечает, что это не первые кристаллы флеш-памяти плотностью 1 Тбит, но ранее речь шла о памяти QLC NAND, в каждой ячейке которой хранится четыре бита.

Основным преимуществом памяти, которую SK Hynix называет 4D NAND, является повышенная плотность компоновки. Она достигается за счет вертикальной интеграции не только ячеек памяти с ловушкой заряда (CTF), но и периферийных цепей, размещаемых в подлежащем слое (эту технологию обозначают аббревиатурой PUC — от Peri. Under Cell).

Примечательно, что за счет использования готовой платформы 4D и оптимизации процессов производителю удалось сократить общее количество производственных процессов на 5%, а инвестиционных затрат на переход с 96-слойной памяти к 128-слойной — на 60%. В то же время, как несложно посчитать, информационная емкость в расчете на пластину увеличилась на 40%.

Поставки новой памяти SK Hynix обещает начать во втором полугодии. Высокая скорость в сочетании с низким энергопотреблением — 1400 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В — позволяет использовать новую память как мобильных устройствах, так и в корпоративных твердотельных накопителях.

В первом полугодии 2020 года SK Hynix планирует разработать на базе новой памяти модуль UFS 3.1 объемом 1 ТБ для флагманских смартфонов и начать серийный выпуск SSD объемом 2 ТБ с контроллером и программным обеспечением собственной разработки. В будущем году также должны быть готовы SSD объемом 16 и 32 ТБ для облачных дата-центров.

Кроме того, SK Hynix продолжает разработку 176-слойной флеш-памяти NAND следующего поколения.

Источник: SK Hynix

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты