Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 20 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Принципы построения радиоприемников с цифровой обработкой сигнала

В статье рассматриваются принципы разработки цифровых радиоприемных устройств, аппаратные и программные средства для их проектирования и вопросы применения различных видов цифровых фильтров в радиоприемных устройствах.

Беспроводные технологии и их применение в промышленности. Передача речевой информации через WPAN

Данная статья продолжает цикл публикаций (см. ЭК4, 10) на тему применения беспроводных технологий в промышленности. В этой части обсуждаются вопросы передачи речевой информации по беспроводным персональным сетям WPAN, которые определены в проекте стандарта ISA 100.15 по созданию единой беспроводной транспортной сети предприятия BACKHAUL.

Увеличение пропускной способности сетей 802.11n за счёт усовершенствования протокола MAC. Часть 2

В Части 2 этой статьи (начало см. в ЭК10) описаны изменения и доработки в MAC-протоколе и их влияние на пропускную способность сетей.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

3 мая

X-параметры: коммерческие реализации последних технологий предлагают новые решения для повседневных задач

В настоящей статье представлены важные достижения в области имеющихся на рынке решений для измерения характеристик, моделирования и проектирования нелинейных компонентов и систем на основе технологии X-параметров*. X-параметры объединяют S-параметры, нелинейные изменения выходного импеданса и современные методы измерения сигнала для более полного описания нелинейных характеристик и предиктивного проектирования нелинейных ВЧ- и СВЧ-компонентов и систем. То, что раньше считалось невозможным, теперь доступно простым инженерам.



Введение

С момента первого представления в 2008 г. компанией Agilent технологии X-параметров в решении для нелинейного векторного анализа цепей на базе PNA-X (NVNA) она продолжает стремительно развиваться. Последние достижения в этой области представлены в статье [8]. Компания Agilent серийно выпускает полный набор совместимых программных и аппаратных инструментов на основе X-параметров, которые уже переопределили промышленные методы измерения характеристик, моделирования и проектирования нелинейных компонентов. Уже выпущено несколько действующих приложений, иллюстрирующих мощь и простоту применения X-параметров для решения широкого спектра важных проблем, в которых современные компоненты демонстрируют как высокочастотное, так и нелинейное поведение. Кроме того, благодаря появившимся недавно средствам моделирования на основе X-параметров в автоматизированной системе проектирования ADS и существенно расширенным возможностям измерения X-параметров на основе NVNA многие преимущества концепции X-параметров распространены теперь на существенно более широкий спектр компонентов и приложений.

Интеграция усилителей мощности в сотовые телефоны

Стремление продлить срок службы аккумулятора в персональных коммуникационных устройствах требует более эффективной работы соответствующих усилителей мощности (УМ). За эффективность приходится расплачиваться нелинейностью, а именно, генерацией внутриполосных искажений, а также высших гармоник, которые могут мешать нормальной работе сотового телефона. Серьезной проблемой является простота интеграции таких УМ в телефон и обеспечение, еще на этапе разработки, соответствия усилителя общим характеристиками системы при взаимодействии его с компонентами телефона, такими как другие усилители или антенна. В качестве конкретного примера такой проблемы можно привести двухдиапазонный усилитель GSM/Edge, выпускаемый компанией Skyworks для интеграции в сотовые телефоны Sony-Ericsson [1]. Компании Sony-Ericsson потребовалось измерять эффекты рассогласования выхода усилителя на основной частоте и их влияние на уровень выходной мощности или КПД (PAE) и уровни искажений на второй гармонике, создававшиеся усилителем на выходе. В то время не существовало систематического способа решения этой проблемы без создания и тестирования телефона с использованием дорогого, трудоемкого, длительного и, в конечном итоге, непрактичного метода гармонического анализа при различных значениях выходного импеданса. Конструктор компании Sony-Ericsson д-р Джоаким Эрикссон узнал об X-параметрах из технической литературы и попросил Agilent помочь решить эту проблему с помощью новых технологий. Усилитель Skyworks показан на рисунке 1a. X-параметрическая модель полного усилителя, включая все контрольные точки, была создана на основе измерений NVNA. Сравнение модели с характеристиками, приведенными в техническом описании, показано на рисунке 1б. Для предсказания зависимости рассогласования выхода от фазы сигналов, попадающих на выходной порт GSM, компания Sony-Ericsson использовала защищенную от копирования модель, причем усилитель работал в области компрессии. Имитировались также гармонические искажения различного порядка. Моделируемые значения X-параметров для рассогласования под нагрузкой выделены красным эллипсом на рисунке 1в. Прежняя, считающаяся лучшей и принятая в качестве промышленного стандарта методика («Горячие S-параметры»), показана синим цветом. Независимые контрольные измерения, выполненные с помощью NVNA, представлены цветными символами. Выводы таковы: X-параметры предсказывают рассогласование при большом входном сигнале, а Горячий S22 — нет.

Рис. 1. Усилитель Skyworks

X-параметры решили проблему Sony Ericsson. Процесс измерения характеристик этого усилителя и двух других усилителей разных производителей с помощью NVNA, извлечение X-параметров, создание полной модели УМ и моделирование рассогласования и других параметров в САПР ADS заняло три дня. Регистрация данных на территории заказчика с помощью стоечного оборудования, включающего систему изменения выходного импеданса, заняла один месяц. Но этим возможности решения на основе X-параметров не ограничиваются. Это решение позволяет создать полнофункциональную, основанную на результатах измерений нелинейную модель усилителя, которая может свободно распространяться без нарушения авторских прав и повторно применяться в широком спектре приложений и для последующих расчетов в САПР ADS. Эти преимущества и новые возможности оказали такое впечатление на д-ра Эрикссона, что он воскликнул: «Мы и не думали, что такое возможно!»

Из всего сказанного можно сделать вывод, что X-параметры позволяют выполнять предиктивное нелинейное проектирование сложных нелинейных систем из элементарных нелинейных компонентов. X-параметры позволяют решать сложные промышленные проблемы, причем полнее, с большими преимуществами и за более короткое время по сравнению с менее исчерпывающими стандартными решениями. Вот почему большинство крупных компаний старается использовать X-параметры в процессе измерения характеристик, моделирования и проектирования. В качестве примера тенденций современного рынка элементной базы можно упомянуть тот факт, что компания Agilent Technologies будет избирательно поставлять на внешний рынок монолитные СВЧ ИС на основе GaAs и InP с прилагаемыми X-параметрическими моделями. Среди первых ИС с X-параметрическими моделями будет усилитель на биполярных транзисторах с гетеропереходом (HBT) (номер по каталогу Agilent HMMC 5200) и интегральный InP-смеситель на 50 ГГц (номер по каталогу Agilent 1GC1-8068). Подробнее см. www.agilent.com/find/mmic.

X-параметры компонента позволяют системному интегратору спроектировать функциональный блок и оценить, насколько хорошо (или плохо) он будет работать в системе. При использовании в САПР ADS X-параметры выступают в роли полностью интерактивного «нелинейного электронного технического описания», которое предоставляет значительно более полную информацию о компоненте для схем, работающих с большим сигналом, чем могут предоставить целые стопки бумажной документации или таблицы Excel. Применение X-параметров в САПР ADS позволяет обойтись без дорогостоящих и трудоемких в изготовлении макетных плат с реальными компонентами. Преимущество электронного технического описания еще и в том, что оно создает потенциальные выгоды для изготовителя усилителя, который может предоставить заказчикам загружаемые «виртуальные образцы X-параметров» своих компонентов. X-параметры полностью защищают интеллектуальную собственность разработчика компонента, но точно описывают реальные нелинейные характеристики (при измерении) и соответствие модели, на основе которой они созданы (если созданы по результатам моделирования). Это является эволюционным шагом в электронной промышленности, включая изготовителей компонентов и системных интеграторов.

X-параметры позволяют моделировать нелинейные показатели качества (FOM) каскадно включенных нелинейных функциональных блоков, как в примере с Sony-Ericsson. Возьмем, например, такой параметр как относительный уровень мощности в соседнем канале (ACPR). ACPR представляет собой скалярный FOM. В общем случае невозможно предсказать, скажем, ACPR всей цепочки нелинейных компонентов, зная только ACPR всех составных частей. X-параметры содержат векторные описания искажения (амплитуду и фазу), которые позволяют моделировать взаимодействие компонентов и распространение искажений по цепочке нелинейных компонентов с помощью САПР ADS. Посредством X-параметров можно моделировать в САПР ADS не только ACPR компонента, но и изменения ACPR, вызванные эффектами рассогласования, которые возникают при встраивании компонента в схему или систему. Фактически, X-параметры позволяют каскадировать нелинейные компоненты так же, как S-параметры позволяют каскадировать линейные компоненты. Следовательно, общие нелинейные FOM системы можно точно рассчитать на этапе проектирования по X-параметрам составляющих ее нелинейных компонентов. Это в корне меняет методы проектирования нелинейных систем.

Поколение X: второе поколение технологии X-параметров

С появлением второго поколения технологий X-параметров Agilent предлагает два законченных процесса проверки разрабатываемых схем. Они показаны на рисунке 2. Сравнение основных преимуществ методов проектирования на основе измеренных и смоделированных X-параметров приведено на рисунке 3.

Рис. 2. Два процесса проверки разрабатываемых схем

Рис. 3. Сравнение основных преимуществ методов проектирования на основе измеренных и смоделированных X-параметров

Создание X-параметров по электрическим схемам

Новый метод проектирования на основе моделируемых X-параметров в САПР ADS дает множество дополнительных преимуществ. Нелинейные ВЧ-цепи и системы могут быть очень сложными и содержать сотни и даже тысячи нелинейных компонентов. Учитывая сложность системы со многими тысячами нелинейных уравнений, моделирование всей цепи на уровне транзисторов может оказаться вообще невозможным. Но даже если удастся смоделировать всю цепь, модель может работать так медленно, что ограничит возможности эффективной оптимизации или сделает ее невозможной. В настоящее время с помощью САПР ADS можно применять X-параметры непосредственно внутри симулятора и реализовать иерархическое проектирование. Возможности нового «поколения X-параметров» встроены в САПР ADS. Новые возможности САПР ADS достаточно универсальны для создания многочастотных и многопортовых моделей (смесителей и преобразователей). Пример реального 50-ГГц InP-смесителя (номер по каталогу Agilent 1GC1-8068) приведен на рисунке 4. Эта схема содержит более 40 биполярных транзисторов с гетеропереходом (HBT), выполненных по собственной InP-технологии Agilent, каждый из которых представлен HBT-моделью компании Agilent [2]. Точность представления X-параметров по сравнению с подробной моделью схемотехнического уровня является достаточно типичной. Кроме того, даже в условиях значительного рассогласования порта ПЧ X-параметрическая модель обеспечивает гораздо более высокую точность по сравнению со схемотехнической моделью.

Рис. 4. Пример реального 50-ГГц InP-смесителя

Улучшенное моделирование компонентов на основе X-параметров для значительного повышения скорости

Теперь существенно улучшенный компонент моделирования на основе X-параметров в САПР ADS может в полной мере использовать преимущества присущей X-параметрам высокой скорости. X-параметрическая модель изначально быстрее, поскольку она описывает поведение компонента на языке математики, понятном для алгоритмов моделирования, которые используются для наиболее эффективного решения нелинейных задач [3], в данном случае для анализа методом гармонического баланса и методом огибающей. В некоторых случаях замена сложных схемотехнических и «компактных» транзисторных моделей X-параметрами ускоряла моделирование в 100 раз. X-параметры дают высокодостоверное представление поведения модели, на основе которой они созданы. Фактически X-параметры могут эффективно заменить все поведенческие модели, предлагаемые ранее в САПР ADS, и обеспечить целый ряд дополнительных преимуществ. Снижение сложности при сохранении прежней точности позволяет моделировать более крупные узлы и даже устройства целиком, вместо того чтобы имитировать только ограниченный набор функциональных блоков в надежде на то, что их взаимовлиянием можно пренебречь.

Еще до изготовления такого устройства как усилитель мощности можно запустить систему его проектирования, начав со схемотехнического моделирования компонентов, а затем преобразовать эти модели в X-параметры и эффективно выполнить проектирование на следующем уровне абстракции. В конечном итоге, когда устройство реально изготовлено, можно просто заменить виртуальные X-параметры X-параметрами, измеренными с помощью NVNA, и выполнить детальную восходящую проверку на основе измеренных значений.

Иерархическое проектирование нелинейных ВЧ-систем с помощью X-параметров

X-параметры делают возможным иерархическое проектирование нелинейных систем, для которого не существует базового эквивалента. В этом отношении прослеживаются близкие аналогии с широко распространенной практикой применения S-параметров для проектирования линейных систем из линейных компонентов. Например, можно объединить X-параметры отдельных каскадов усилителя и получить одно X-параметрическое представление каскадной структуры. В свою очередь, это представление можно объединить с X-параметрами смесителя или преобразователя, иерархически извлечь и многократно использовать X-параметры всего входного тракта ВЧ-системы. Пример ВЧ-системы, которая была разработана по модели усилителя, созданной на основе измерений реального усилителя Agilent HMMC 5200 HBT, и X-параметрической модели, основанной на результатах моделирования реального 50-ГГц InP-смесителя Agilent 1GC1-8068, показан на рисунке 5.

Рис. 5. Пример ВЧ-системы и X-параметрической модели

Возможности измерения X-параметров второго поколения X-параметры, зависящие от нагрузки

Часто при проектировании согласующих цепей для мощных транзисторов и усилителей мощности требуется оптимизировать параметры качества, такие как уровень выходной мощности или КПД. Комплексное выходное сопротивление мощных транзисторов приближается к 1 Ом и значительно отличается от типового значения 50 Ом, что дополнительно усложняет измерения. Традиционно в таких измерениях используется метод изменения выходного импеданса. Тем не менее даже при наличии полных данных для различных значений выходного импеданса обычно не удается создать полные двухпортовые нелинейные модели компонентов для типового проектирования. Например, классические схемы изменения выходного импеданса не дают достаточной информации для проектирования и оптимизации многокаскадных усилителей, для которых требуются точные значения сдвига фазы между входом и выходом и параметры вторичных сигналов, включая гармоники на входном порту. Благодаря возможности совместного измерения X-параметров с помощью автоматических тюнеров X-параметры систематически решают такие проблемы и дают значительно более полную информацию о компонентах, которую можно сразу же применять в САПР ADS для нелинейного проектирования. Это значит, данные являются моделью.

В этом году компания Agilent и ее торговый партнер Maury Microwave объединили усилия, чтобы представить еще одно передовое достижение: произвольно зависимые от нагрузки X-параметры. Это интегрированное программно-аппаратное решение объединяет ПО управления изменением выходного импеданса Maury ATS, тюнеры нагрузки Maury, новую опцию 520 для Agilent NVNA и компонент расширенного моделирования X-параметров в САПР ADS. Фотография оборудования показана на рисунке 6. Программное обеспечение Maury работает на NVNA на базе Agilent PNA-X. Простой графический интерфейс позволяет задавать сложные состояния по всей области Смита. X-параметры измеряются и калибруются с помощью встроенного защищенного алгоритма Agilent в соответствии с неуправляемыми гармоническими импедансами, реализуемыми посредством тюнера, и корректируются для устранения всех погрешностей и получения необходимых дискретных вариаций комплексной нагрузки. На основе этих измерений мгновенно создается полная X-параметрическая модель нелинейного двухпортового функционального блока, представляющая зависимость нелинейного поведения компонента от мощности, частоты, комплексной нагрузки и смещения. Чтобы начать нелинейное проектирование согласованных цепей, многокаскадных усилителей и т.д., достаточно просто переместить полученный файл. Прямая связь между расширенными нелинейными измерениями и возможностями нелинейного проектирования позволила Гари Симпсону, директору отдела измерений ВЧ-устройств компании Maury Microwave Corporation, назвать это серийное решение «промышленной революцией».

Рис. 6. Программно-аппаратное решение

Это решение в высшей степени автоматизировано, чрезвычайно точно и дает значительно больше преимуществ по сравнению с обычным методом изменения выходного импеданса. В предельном случае малого сигнала оно переходит в решение для S-параметров. В отличие от обычного метода изменения выходного импеданса, оно включает полную информацию о сдвиге фазы между входом и выходом, а также амплитуды и межчастотные фазы гармоник. Это новое решение на основе X-параметров не только включает S-параметры и измерения при различных значениях выходного импеданса, но и предоставляет значительно более исчерпывающую модель большого сигнала для проектирования в САПР ADS.

Конкретное применение произвольно зависимых от нагрузки X-параметров показано на примере серийно выпускаемого транзистора (см. рис. 7). X-параметры позволяют предсказать точные формы тока и напряжения транзистора при любом сопротивлении по всей области диаграммы Смита! Модель можно каскадировать даже в условиях сильного рассогласования и использовать для предсказания взаимного влияния компонентов, что идеально подходит для проектирования многокаскадных схем. Этот новый подход к проектированию выгодно дополняет традиционные модели активных устройств. Особенно привлекательным он становится при отсутствии хороших «компактных» SPICE- или ADS-моделей транзистора, как, например, в случае новых технологий (таких как GaN) или при появлении нового компонента [5, 6]. Такой подход позволяет выполнять имитацию сигналов во временной области на основе измерений в условиях сильной компрессии практически при любом сопротивлении. Впервые серийно выпускаемый измерительный прибор может предоставить информацию, обычно получаемую в результате моделирования в условиях большого сигнала; в сущности, это «экспериментальный гармонический баланс».

Рис. 7. Применение произвольно зависимых от нагрузки X-параметров

Помимо всего прочего, произвольно зависимые от нагрузки X-параметры столь универсальны, что могут предсказывать влияние независимо настраиваемых гармонических терминаторов компонентов, даже если управление этими терминаторами в процессе измерения характеристик не может быть полностью независимым [7]. Это подтверждается на рисунке 8 для GaN-транзистора мощностью 10 Вт. Эти примеры показывают, что для большинства мощных устройств и усилителей необязательно применять громоздкие дорогостоящие системы гармонического изменения выходного импеданса, которые для определения чувствительности устройства к гармоническим терминаторам используют большое число состояний нагрузки (независимое управление каждой нагрузкой на каждом порту для каждой гармоники). Это еще один случай, в котором X-параметры заставляют заказчика сказать: «Мы и не предполагали, что такое возможно».

Рис. 8. Подтверждение универсальности X-параметров

Возможность применения многочастотных X-параметров, уже доступных в САПР ADS, уже реализована в виде приложения для NVNA. Это позволяет измерять амплитуду и фазу интермодуляционных искажений, зависящих от промежутка между тональными сигналами, и может непосредственно использоваться компонентом моделирования X-параметров в САПР ADS. Эту калиброванную информацию о нелинейных межчастотных векторных искажениях можно использовать при разработке цепей компенсации искажений и для применения других принципов проектирования, таких как наложение производных [9], которые до этого можно было применять лишь при наличии полной уверенности в точности модели нелинейного устройства. Более того, компания Agilent расширила возможности NVNA до измерения трехпортовых устройств, таких как смесители и преобразователи. Эта возможность в корне изменила способ измерения параметров этих фундаментальных компонентов и их применения в ВЧ-системах.

Дополнительные возможности измерения X-параметров

В настоящее время модельный ряд NVNA включает приборы с диапазоном частот 13,5; 26; 43,5 и 50 ГГц. Это позволяет измерять X-параметры на вдвое больших частотах, чем это было возможно в момент выпуска первого NVNA в 2008 г. Кроме того, новые рекомендации по применению описывают измерение X-параметров устройств мощностью до 250 Вт! Это позволяет использовать преимущества X-параметров в таких сегментах рынка как усилители базовых станций и мощные транзисторы.

Моделирование транзисторов на основе X-параметров

Ценность X-параметров еще и в том, что они предлагают дополнительный подход к моделированию транзисторов по сравнению с традиционными «компактными» моделями, построенными на основе физических или эмпирических данных. Компактные модели, такие как Берклеевская модель BSIM 4 MOSFET [10] и модель составного гетеропереходного биполярного транзистора Agilent HBT [2], представляют собой достаточно исчерпывающие модели с обширным набором нелинейных уравнений. Каждая из них имеет более 100 параметров, которые надо извлечь для привязки модели к данной технологии. На создание точных уникальных моделей уходит несколько лет, а на их соответствующее извлечение можно потратить от нескольких дней до нескольких недель. Поэтому ощущается острая потребность в быстрых, точных и просто извлекаемых нелинейных моделях для измерения параметров устройств, для которых не существует хороших компактных моделей. Это особенно справедливо для новых технологий, таких как GaN. К счастью, существует простая процедура на основе X-параметров, которая дает привлекательный альтернативный метод. Требуется просто измерить X-параметры компонента с помощью NVNA, переместить результирующий файл в САПР ADS и затем можно тут же приступить к проектированию нелинейных цепей. Примеры таких моделей приведены на рисунках 7 и 8.

Приведем еще один пример от пользователя NVNA и X-параметров из Национальной лаборатории наноустройств в Тайване, демонстрирующий извлечение X-параметров для нового кремниевого транзистора с кольцевой геометрией, для которого не существовало готовой модели. Результаты этой операции были представлены на Международном микроволновом симпозиуме в июне 2009 г. [5]. X-параметрическая модель дала превосходный прогноз интермодуляционных искажений в широком диапазоне входной мощности, а также очень хорошо предсказала искажения во временной области при подаче на вход сигнала с очень большим уровнем. Результаты были представлены Гуньяном с соавторами на конференции IEEE ARFTG 2009, подтвердив произвольно зависимые от нагрузки X-параметры для GaAs MESFET транзистора при подаче сигналов WCDMA [6].

Эти примеры демонстрируют применение X-параметров в качестве точного, не зависящего от технологии метода моделирования. Благодаря X-параметрам можно не полагаться на то, что придет доктор наук и реализует и отладит новую компактную модель транзистора. Теперь не требуется проводить дни и недели, извлекая сотни параметров обычной модели для использования этого компонента в проектировании. X-параметры гораздо проще в применении, предусматривают большую степень автоматизации и более воспроизводимы на основе измерений, выполненных на NVNA, чем стандартные компактные модели, созданные на базе режимов постоянного тока и линейных S-параметров. Кроме того, X-параметрические модели, полученные на основе измерений, очень точны, поскольку нелинейные данные, соответствующим образом измеренные с помощью NVNA, являются основой для моделирования поведения компонента для применения в САПР ADS.

Заключение

X-параметры прошли путь от увлекательных демонстраций до серийно выпускаемых измерительных приборов (Agilent NVNA) и средств автоматизированного проектирования (ADS) [11]. Совместимые измерения X-параметров на основе NVNA и проектирование в САПР ADS с применением X-параметров, полученных в результате моделирования, так же просты, как и знакомые линейные S-параметры, но обладают при этом непревзойденной производительностью и другими существенными преимуществами. X-параметры объединяют линейные S-параметры, нелинейные изменения выходного импеданса и современные методы измерений, позволяя полнее измерять нелинейные характеристики и выполнять предиктивное нелинейное проектирование ВЧ- и СВЧ-компонентов и систем. Компания Agilent предлагает лучшие в отрасли продукты для каждой части нелинейной головоломки с мощными встроенными алгоритмами и обеспечивает их взаимодействие. Применение X-параметров для лучшего выполнения привычных операций значительно экономит и время, и деньги. Совершенно новые возможности X-параметров позволяют использовать новые методы измерения характеристик, проектирования и проверки, давая существенные конкурентные преимущества тем заказчикам, которые создают и применяют нелинейные компоненты от транзисторов до нелинейных ВЧ- и СВЧ-систем.

Литература

  1. Дж. Хорн, Дж. Верспех, Д. Гуньян, Л. Бетс, Д. Е. Рут и Джоаким Эрикссон. «Моделирование и измерение X-параметров усилителя телефона GSM»//Дайджест европейской микроволновой конференции 2008. Амстердам. Октябрь 2008 г.
  2. М. Ивамото и Д. Рут. Модель Agilent HBT: обзор. Заседание совета по компактным моделям. Декабрь 2006. г.//www.eigroup.org/cmc/minutes/4q06_presentations/agilent_hbt_model_overview_cmc.pdf.
  3. Д. Е. Рут, Дж. Вуд и Н. Туфилларо. «Новые методы моделирования нелинейного поведения ВЧ/СВЧ ИС по результатам моделирования и нелинейных СВЧ измерений». 40-й номер материалов Конференции по автоматизации проектирования ACM/IEEE. Анахайм, Калифорния, США. Июнь 2003 г. С. 85–90.
  4. Г. Симпсон, Дж. Хорн, Д. Гуньян и Д. Е. Рут. «Изменение выходного импеданса + NVNA = Расширенные X-параметры для проектирования усилителей мощности с помощью независимых от технологии моделей большого сигнала с большим рассогласованием». Конференция IEEE ARFTG. Портленд. Орегон. Декабрь 2008 г.
  5. Чиу и др. «Определение характеристик кольцевых ВЧ LDMOS-транзисторов с помощью модели полигармонических искажений». Дайджест международного микроволнового симпозиума IEEE MTT-S. 2009 г. С. 87–90.
  6. Д. Гуньян и др. «Нелинейная проверка X-параметров с произвольной нагрузкой и моделей, построенных на основе измерений». Конференция IEEE MTT-S ARFTG. Бостон. Массачусетс. Июнь 2009 г.
  7. Дж. Хорн и др. «Прогнозирование гармонической нагрузки с помощью X-параметров»//Симпозиум IEEE по усилителям мощности. Сан-Диего. Сентябрь 2009 г.
  8. Д. Е. Рут и др. «X-параметры: новая парадигма измерений, моделирования и проектирования нелинейных ВЧ и СВЧ компонентов». Microwave Engineering Europe. Декабрь 2008 г. С. 16–21//www.mwee.com.
  9. Д. Вестер, Дж. Скот, Д. Хейг. «Управление искажениями цепи с помощью метода наложения производных». Письма IEEE по технике СВЧ и волноводам. Том 6. № 3. Март 1996 г. С. 125.
  10. www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/bsim4.html.
  11. www.agilent.com/find/nvna и www.agilent.com/find/eesof-ads2009-update1.


Вы можете скачать эту статью в формате pdf здесь.
Оцените материал:

Автор: Дэвид Рут (David Root), ст. научн. сотрудник, Agilent Technologies



Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать





 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты