Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 12 декабря
 
 


 

1 января

Магниторезистивная память MRAM - быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме

Исследование магниторезистивных структур как энергонезависимых элементов для хранения информации началось еще в первой половине ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM. В некоторых публикациях этот факт называют прорывом в области разработки памяти за последние 10 лет. Так ли это, и что из себя представляет магниторезистивная память — на эти вопросы отвечает данная статья. Также приводится подробное описание характеристик микросхемы MR2A16A — первого продукта в линейке памяти MRAM.



Т

екст статьи здесь.

Статья опубликована в журнале «Электронные компоненты» №1/2007.



Вы можете скачать эту статью в формате pdf здесь.
Оцените материал:

Источник: ИД Электроника

Автор: Михаил Соколов, инженер по применению, компания Freescale Semiconductor. Александр Гришин, инженер, МЭИ (ТУ)



Комментарии

0 / 0
0 / 0
 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты