Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 19 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Конференция DAC: автоматизация рабочего процесса – следующий рубеж для САПР?

Три участника прошедшей в Анахайме (США, шт. Калифорния) на прошлой неделе Конференции по автоматизации проектирования (Design Automation Conference) заметно выделялись на общем фоне не величиной выставочных стендов или новизной демонстрируемой продукции, но иным, чем все остальные компании, пониманием вопроса автоматизации проектирования электроники. К числу этих трех компаний относятся Dassault Systemes ENOVIA, IBM Software Group и Methodics.

Блок обеспечения доступа на основе RFID-технологии BM3420

В статье описан принцип работы электронного замка ВМ3420.

Применение полимерных клеев и стеклянных припоев в сборке и герметизации ИС и оптоволоконных приборов

Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем включает в себя множество технологических операций, среди которых особое место занимают сборка и герметизация. От качества сборочных операций зависят стабильность электрических параметров и надежность конечного изделия. Кроме того, выбор метода сборки влияет на суммарную стоимость продукта. В статье рассматриваются современные технологические решения на основе клеев и стеклянных припоев для следующих операций: присоединение кристалла к основанию корпуса; герметизация полупроводниковых ИС путем присоединения крышки корпуса к основанию; фиксация и герметизация оптических волокон.

 

28 июня

Субмикронная УФ-литография появится нескоро

Опрос, проведенный некоммерческим консорциумом Sematech (Semiconductor Manufacturing Technology) в мае этого года на форуме Litho Forum, показал, что стоимость владения – основная проблема литографии критических слоев. Сотрудничество компаний – ключ к жизнеспособным решениям.



Традиционно на форуме Litho Forum, который организует консорциум Sematech каждые два года, в конце этого мероприятия проводится опрос участников о том, как они оценивают состояние и перспективы развития литографии. Несмотря на то, что в прошлые годы эксперты полупроводниковой индустрии много дискутировали на тему о предпочтительном выборе метода литографии, технология EUV (Extreme UltraViolet lithography – фотолитография с использованием глубокого ультрафиолета) в настоящее время рассматривается как наиболее перспективное решение. На повестке дня – вопрос о том, насколько быстро будут преодолены оставшиеся трудности.

На заданный производителям интегральных схем вопрос, какую технологию они предпочли бы использовать в литографии критических слоев в 2012 г., 41,3% участников указали EUV, тогда как 33,3% сделали выбор в пользу экспонирования с двойным шаблоном (double patterning). Однако на вопрос о том, какую технологию им придется применять в действительности, только 5,6% респондентов указали EUV, а экспонирование с двойным шаблоном – 77,8%.

Процесс формирования изображение на пластине методом EUV

Компания ASML, поставщик литографических систем, начнет в этом году отгрузку первого из шести заказов на опытные образцы EUV-сканера NXE:3100. Она планирует отгрузку первой установки NXE:3300B, предназначенной для массового производства, во II кв. 2012 г., однако масштабы выпуска этих инструментов не настолько велики, чтобы EUV-технология получила широкое распространение в 2012 г. Японская корпорация Nikon не планирует выпуска EUV-сканера вплоть до 2014–2015 гг.

Предстоит проделать большую техническую работу по созданию EUV-сканера. По мнению Брайана Райса (Bryan Rice), директора отдела литографии консорциума Sematech, 77% компаний имеет запасной план развития.

Этот план основан на использовании технологии экспонирования с двойным шаблоном –переходного звена между 193-нм иммерсионной литографией и EUV. Рард де Лиюв (Rard de Leeuw), директор отдела сбыта, ASML, считает, что экспонирование с двойным шаблоном позволяет перейти на меньшие технологические размеры, однако его стоимость слишком велика и, кроме того, эта технология накладывает ограничения на схему. По мнению де Лиюва, литография на базе экспонирования с двойным шаблоном может привести к удорожанию производства в 2–3 раза, тогда как при использовании метода EUV и объеме выпуска более 100 пластин/ч стоимость производства сравнялась бы со стоимостью производства по методу единичного шаблона (single patterning).
Однако большая производительность потребует более мощные источники глубокого ультрафиолета, которых пока нет. Платформа NXE компании ASML будет оснащена установкой LPP (laser-produced plasma – плазма, созданная лазерным излучением) компании Cymer. Опытная установка имеет производительность 15 пластин/ч, однако ожидается более мощный агрегат со скоростью 60 пластин/ч. В 2013 г. компания ASML планирует достичь показателя в 125 пластин/ч для сканера NXE:3300B и 150 пластин/ч – для NXE:3300C.

Отраслевые компании рассчитывают на непрерывное совершенствование EUV-установок, поскольку возможности метода двойного экспонирования исчерпываются. Ожидается, что этот метод будет главенствующим в 2012 г., когда состоится переход на 22-нм технологию – 60,4% респондентов намереваются применять экспонирование с двойным шаблоном для формирования вентильных и 51,1% – для контактных слоев. К 2014–2015 гг., когда многие респонденты перейдут на 16-нм технологию, метод EUV станет лидирующим в производстве логических слоев – им воспользуется 43,8% компаний и 47,7% – в производстве контактных слоев. В период 2016–2018 гг., когда будет задействован 11-нм процесс, EUV-технологией и ее расширенным вариантом воспользуются 60,6% респондентов для получения логических структур и 63,9% – для контактов.

Однако на этом этапе производительность EUV-установок будет неудовлетворительной для большинства отраслевых компаний. Так считает Оберт Вуд (Obert Wood), главный член технического руководства отдела литографии, компания GlobalFoundries, и лидер программы EUV альянса IBM Alliance. Если не будет достигнута требуемая мощность установки, стоимость владения станет главным препятствием для компаний, применяющих метод EUV.

Прогноз в отношении большинства моделей стоимости владения указывает на то, что стоимость из расчета на одни слой в EUV-технологии выше, чем в стандартной иммерсионной 193-нм литографии, но лишь наполовину или на треть больше, чем при экспонировании с двойным шаблоном, отметил Вуд. Однако расчет для таких моделей в основном ведется исходя из производительности EUV-экспозиции. В настоящее время неизвестна стоимость заготовок фотошаблона со слоем фоторезиста, а стоимость процесса минимизации дефектов и AIMS-инспекции придется включить в общую стоимость фотошаблонов.

О недостатке финансирования инфраструктуры для инспекции дефектов маски много говорилось за последние полтора года. Консорциум Sematech обязался взяться за развитие этого направления и в начале года заявил о создании организации EUVL Mask Infrastructure (EMI) Partnership. Ее цель – финансирование разработки бездефектных EUV-масок. В настоящее время в эту организацию входит семь компаний, занимающихся вопросами AIMS-инспекции, контроля необработанных подложек и структурированных масок.

Роль электронно-лучевой литографии

Помимо EUV-технологии, 10,2% респондентов форума Litho Forum привлекает возможность применения в 2012 г. электронно-лучевой литографии с непосредственным формированием рисунка EBDW (e-beam direct-write) для критических слоев. Однако тех, кто действительно воспользуется этой технологией, гораздо меньше – 2,8%. Процентный состав участников опроса, намеревающихся применять или поддерживать EBDW для логических и контактных слоев в 2012 г., а также в периоды 2014–2015, 2016–2018 гг., выражается однозначными цифрами.

Несмотря на то, что консорциуму eBeam Initiative, в состав которого входит 30 членов, всего два года, EBDW, которую также называют безмасочной литографией (ML2), не нашла поддержки, необходимой для преодоления технологических трудностей.

 

Leica VB6 UHR - оборудование для электронно-лучевой литографии
Leica VB6 UHR - оборудование для электронно-лучевой литографии. Фото с сайта phy.cam.ac.uk

Достоинство EBDW – в ее разрешении, но эксперты считают, что это и ее самый большой недостаток, т.к. наибольшим ограничением на разрешение при создании критических слоев является размытость рисунка, формируемого с помощью пучка электронов. Величина размытости на 11 нм сопоставима с размером элемента.

При этом многолучевую технологию, которой занимаются несколько производителей, работающих над ML2, поддерживает все большее число компаний как средство уменьшения времени записи маски. С ростом плотности элементов и сложности схемы возможность записи данных для маскирования за приемлемое время уменьшается, считает Ллойд Литт (Lloyd Litt), руководитель альтернативной программы по литографии, Sematech, поэтому значительные усилия направлены на разработку высокоскоростного записывающего устройства.

В ближайшие полгода Sematech постарается создать структуру по финансовой поддержке программы создания такой установки.

Источник: edn.com

Оцените материал:



Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать





 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты